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公开(公告)号：CN102396050B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN200880122176.7
申请日：2008-12-14
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/304
CPC分类号： C11D7/5009 , C11D3/3723 , C11D3/3765 , C11D3/3773 , C11D7/261 , C11D7/3263 , C11D7/34 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , Y10S134/902
摘要： 向衬底表面施加清洁流体。该清洁流体包括用于截留该衬底表面上存在的污染物的聚合材料。以受控速度向该衬底表面施加冲洗流体以从该衬底表面去除该清洁材料和该清洁材料中截留的污染物。该冲洗流体的该受控速度被设置为使该清洁流体在被该冲洗流体冲击时以弹性方式运行，从而改善从该衬底表面的污染物除去。
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公开(公告)号：CN101903987B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200880122187.5
申请日：2008-12-12
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/304
CPC分类号： C11D7/5009 , C11D3/3723 , C11D3/3765 , C11D3/3773 , C11D7/261 , C11D7/3263 , C11D7/34 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , Y10S134/902
摘要： 本发明的实施例提供用于清洁具有精细特征的图案化的基片的方法。该用于清洁图案化基片的方法的优点在于通过使用所描述的清洁材料来清洁具有精细特征的图案化的基片而基本上不损伤该特征。该清洁材料是流体，或者是液相，或着液/气相，并在器件特征附近变形；所以，该清洁材料基本上不损伤该器件特征或降低总共的损伤。包含由大分子量的聚合化合物组成的聚合物的该清洁材料捕获该基片上的污染物。另外，该清洁材料截留该污染物和不会将该污染物返回到该基片表面上。一种或多种大分子量的聚合化合物组成的该聚合物形成长聚合链，其还可以交联以形成网状物(或聚合网状物)。该长聚合物链和/或聚合网状物相比传统的清洁材料表现出更好的捕获和截留污染物能力。
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公开(公告)号：CN101802983A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880107210.3
申请日：2008-06-20
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02063 , H01L21/6708
摘要： 一种用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的方法和系统，包括确定用于从该衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的干式快速化学物质。该干式快速化学物质被配置为选择性地除去一区域中蚀刻操作留下的蚀刻后聚合物残留，其中在该区域中穿过低k电介质膜层形成特征。使用很短的快速处理施用该确定的干式快速化学物质以除去该蚀刻后聚合物残留的至少一部分同时最小化对该电介质膜层的损害。然后向该衬底表面施用湿式清洁化学物质。该湿式清洁化学物质的施用有助于基本上除去该短快速处理留下的蚀刻后聚合物残留。
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公开(公告)号：CN108630578A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810208164.1
申请日：2018-03-14
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/8234
摘要： 本发明涉及超高选择性的氮化物蚀刻以形成FinFET器件。用于选择性地蚀刻衬底上的层的衬底处理系统包括上室区域、围绕上室区域布置的感应线圈和包括衬底支撑件以支撑衬底的下室区域。气体分配装置布置在上室区域和下室区域之间并且包括具有多个孔的板。冷却充气室冷却气体分配装置，并且吹扫气体充气室将吹扫气体引导到下室中。孔的表面积与体积之比大于或等于4。控制器选择性地将蚀刻气体混合物供应到上室并将吹扫气体供应到吹扫气体充气室，并且在上室中激励等离子体以相对于衬底的至少一个其他暴露层选择性地蚀刻衬底的层。
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公开(公告)号：CN101903985B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200880122180.3
申请日：2008-12-12
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/304
CPC分类号： C11D7/5009 , C11D3/3723 , C11D3/3765 , C11D3/3773 , C11D7/261 , C11D7/3263 , C11D7/34 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , Y10S134/902
摘要： 本发明的实施例提供改进的材料，用以清洁具有精细特征的图案化的基片。该清洁材料的优点在于清洁具有精细特征的图案化的基片而基本上不损伤该特征。该清洁材料是流体，或者是液相，或着液/气相，并在器件特征附近变形；所以，该清洁材料基本上不损伤该器件特征或降低总共的损伤。包含由大分子量的聚合化合物组成的聚合物的该清洁材料捕获该基片上的污染物。另外，该清洁材料截留该污染物和不会将该污染物返回到该基片表面上。一种或多种大分子量的聚合化合物组成的该聚合物形成长聚合物链，其还可以交联以形成网状物(或聚合网状物)。该长聚合物链和/或聚合物网状物相比传统的清洁材料表现出更好的捕获和截留污染物能力。
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公开(公告)号：CN102396050A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200880122176.7
申请日：2008-12-14
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/304
CPC分类号： C11D7/5009 , C11D3/3723 , C11D3/3765 , C11D3/3773 , C11D7/261 , C11D7/3263 , C11D7/34 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , Y10S134/902
摘要： 向衬底表面施加清洁流体。该清洁流体包括用于截留该衬底表面上存在的污染物的聚合材料。以受控速度向该衬底表面施加冲洗流体以从该衬底表面去除该清洁材料和该清洁材料中截留的污染物。该冲洗流体的该受控速度被设置为使该清洁流体在被该冲洗流体冲击时以弹性方式运行，从而改善从该衬底表面的污染物除去。
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公开(公告)号：CN101903985A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200880122180.3
申请日：2008-12-12
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/304
CPC分类号： C11D7/5009 , C11D3/3723 , C11D3/3765 , C11D3/3773 , C11D7/261 , C11D7/3263 , C11D7/34 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , Y10S134/902
摘要： 本发明的实施例提供改进的材料，用以清洁具有精细特征的图案化的基片。该清洁材料的优点在于清洁具有精细特征的图案化的基片而基本上不损伤该特征。该清洁材料是流体，或者是液相，或着液/气相，并在器件特征附近变形；所以，该清洁材料基本上不损伤该器件特征或降低总共的损伤。包含由大分子量的聚合化合物组成的聚合物的该清洁材料捕获该基片上的污染物。另外，该清洁材料截留该污染物和不会将该污染物返回到该基片表面上。一种或多种大分子量的聚合化合物组成的该聚合物形成长聚合物链，其还可以交联以形成网状物(或聚合网状物)。该长聚合物链和/或聚合物网状物相比传统的清洁材料表现出更好的捕获和截留污染物能力。
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公开(公告)号：CN101479831A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200780024615.6
申请日：2007-06-28
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 朱吉 , 尹秀敏 , 马克·威尔科克森 , 约翰·M·德拉里奥斯
CPC分类号： H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/67051 , Y10S134/902
摘要： 本发明揭示了一种半导体晶片表面清洗方法。提供用于去除晶片表面上的污染物的第一清洗溶液到晶片表面。去除晶片表面上的所述第一清洗溶液和一些污染物。接下来，提供氧化剂溶液到晶片表面。氧化剂溶液在残留污染物材料上形成氧化层。氧化剂溶液再从晶片表面去除掉，接着，提供第二清洗溶液到晶片表面。第二清洗溶液从晶片表面去除。所述第二清洗溶液配置为能充分去除氧化层与残留污染物。
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公开(公告)号：CN108630578B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201810208164.1
申请日：2018-03-14
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/8234
摘要： 本发明涉及超高选择性的氮化物蚀刻以形成FinFET器件。用于选择性地蚀刻衬底上的层的衬底处理系统包括上室区域、围绕上室区域布置的感应线圈和包括衬底支撑件以支撑衬底的下室区域。气体分配装置布置在上室区域和下室区域之间并且包括具有多个孔的板。冷却充气室冷却气体分配装置，并且吹扫气体充气室将吹扫气体引导到下室中。孔的表面积与体积之比大于或等于4。控制器选择性地将蚀刻气体混合物供应到上室并将吹扫气体供应到吹扫气体充气室，并且在上室中激励等离子体以相对于衬底的至少一个其他暴露层选择性地蚀刻衬底的层。
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公开(公告)号：CN101802983B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200880107210.3
申请日：2008-06-20
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02063 , H01L21/6708
摘要： 一种用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的方法和系统，包括确定用于从该衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的干式快速化学物质。该干式快速化学物质被配置为选择性地除去一区域中蚀刻操作留下的蚀刻后聚合物残留，其中在该区域中穿过低k电介质膜层形成特征。使用很短的快速处理施用该确定的干式快速化学物质以除去该蚀刻后聚合物残留的至少一部分同时最小化对该电介质膜层的损害。然后向该衬底表面施用湿式清洁化学物质。该湿式清洁化学物质的施用有助于基本上除去该短快速处理留下的蚀刻后聚合物残留。
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