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公开(公告)号：CN101903987B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200880122187.5
申请日：2008-12-12
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/304
CPC classification number: C11D7/5009 , C11D3/3723 , C11D3/3765 , C11D3/3773 , C11D7/261 , C11D7/3263 , C11D7/34 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , Y10S134/902
Abstract: 本发明的实施例提供用于清洁具有精细特征的图案化的基片的方法。该用于清洁图案化基片的方法的优点在于通过使用所描述的清洁材料来清洁具有精细特征的图案化的基片而基本上不损伤该特征。该清洁材料是流体，或者是液相，或着液/气相，并在器件特征附近变形；所以，该清洁材料基本上不损伤该器件特征或降低总共的损伤。包含由大分子量的聚合化合物组成的聚合物的该清洁材料捕获该基片上的污染物。另外，该清洁材料截留该污染物和不会将该污染物返回到该基片表面上。一种或多种大分子量的聚合化合物组成的该聚合物形成长聚合链，其还可以交联以形成网状物(或聚合网状物)。该长聚合物链和/或聚合网状物相比传统的清洁材料表现出更好的捕获和截留污染物能力。
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公开(公告)号：CN101903986B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200880122186.0
申请日：2008-12-12
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/304
CPC classification number: C11D7/5009 , C11D3/3723 , C11D3/3765 , C11D3/3773 , C11D7/261 , C11D7/3263 , C11D7/34 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , Y10S134/902
Abstract: 本发明的实施方式提供使用清洁材料清洁具有细微特征的图案化衬底的装置。使用该清洁材料的该装置有清洁具有细微特征的图案化衬底，同时又基本上不损害该特征的优点。该清洁材料是流体，是液相或液/气相的；并围绕器件特征变形；因此，该清洁材料基本上不损害该器件特征或减小全部的损害。包含具有大分子量的聚合化合物的聚合物的该清洁材料捕获该衬底上的污染物。另外，该清洁材料截留该污染物并且不使该污染物返回该衬底表面。具有大分子量的一个或多个聚合化合物的聚合物形成长聚合物链，长聚合物链也可以交叉链接已形成网络(或聚合网络)。与传统清洁材料相比，该长聚合物链和/或聚合物网络显示出更好的捕获和截留污染物的能力。
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公开(公告)号：CN115135812A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180015850.7
申请日：2021-02-16
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 提供了在半导体处理室中使用的部件的制造方法。部件本体由导电材料形成，该导电材料的热膨胀系数低于10.0×10‑6/K。接着，在该部件本体的表面上方设置金属氧化物层。
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公开(公告)号：CN115003857A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202180010655.5
申请日：2021-01-21
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 许临 , 大卫·约瑟夫·韦策尔 , 萨蒂什·斯里尼瓦桑 , 罗宾·科什伊 , 约翰·迈克尔·克恩斯 , 约翰·多尔蒂
Abstract: 一种等离子体处理室的部件在至少一个表面上具有涂层，涂层包含钇铝。涂层为从氧化钇粉末和含铝粉末的粉末混合物所形成的气溶胶沉积涂层，且具有4:1至1:4的钇比铝的摩尔数比例。可对涂层进行退火以形成多孔性三元氧化物。
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公开(公告)号：CN110223945A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910160229.4
申请日：2019-03-04
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 许临 , 罗宾·科什伊 , 约翰·爱德华·多尔蒂 , 萨蒂什·斯里尼瓦桑 , 大卫·韦策尔
IPC: H01L21/673 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及具有保护涂层的石英组件。石英结构包括含有氧化钇的保护层。石英结构可以通过以下方式制造：(a)接收石英结构；以及(b)用包含氧化钇的保护层涂覆石英结构，以形成将在等离子体反应器中使用的部件。该部件的尺寸和形状适于在等离子体反应器中形成窗或注射器。保护层基本上不改变石英结构的尺寸或形状。该部件可以安装在等离子体反应器中在使得在操作期间所述等离子体将接触或接近所述部件的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101903987A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200880122187.5
申请日：2008-12-12
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/304
CPC classification number: C11D7/5009 , C11D3/3723 , C11D3/3765 , C11D3/3773 , C11D7/261 , C11D7/3263 , C11D7/34 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , Y10S134/902
Abstract: 本发明的实施例提供用于清洁具有精细特征的图案化的基片的方法。该用于清洁图案化基片的方法的优点在于通过使用所描述的清洁材料来清洁具有精细特征的图案化的基片而基本上不损伤该特征。该清洁材料是流体，或者是液相，或着液/气相，并在器件特征附近变形；所以，该清洁材料基本上不损伤该器件特征或降低总共的损伤。包含由大分子量的聚合化合物组成的聚合物的该清洁材料捕获该基片上的污染物。另外，该清洁材料截留该污染物和不会将该污染物返回到该基片表面上。一种或多种大分子量的聚合化合物组成的该聚合物形成长聚合链，其还可以交联以形成网状物(或聚合网状物)。该长聚合物链和/或聚合网状物相比传统的清洁材料表现出更好的捕获和截留污染物能力。
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公开(公告)号：CN101903986A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200880122186.0
申请日：2008-12-12
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/304
CPC classification number: C11D7/5009 , C11D3/3723 , C11D3/3765 , C11D3/3773 , C11D7/261 , C11D7/3263 , C11D7/34 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , Y10S134/902
Abstract: 本发明的实施方式提供使用清洁材料清洁具有细微特征的图案化衬底的装置。使用该清洁材料的该装置有清洁具有细微特征的图案化衬底，同时又基本上不损害该特征的优点。该清洁材料是流体，是液相或液/气相的；并围绕器件特征变形；因此，该清洁材料基本上不损害该器件特征或减小全部的损害。包含具有大分子量的聚合化合物的聚合物的该清洁材料捕获该衬底上的污染物。另外，该清洁材料截留该污染物并且不使该污染物返回该衬底表面。具有大分子量的一个或多个聚合化合物的聚合物形成长聚合物链，长聚合物链也可以交叉链接已形成网络(或聚合网络)。与传统清洁材料相比，该长聚合物链和/或聚合物网络显示出更好的捕获和截留污染物的能力。
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公开(公告)号：CN114631167A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202080076017.9
申请日：2020-10-21
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 许临 , 道格拉斯·德特尔特 , 约翰·多尔蒂 , 潘卡基·哈扎里卡 , 萨蒂什·斯里尼瓦桑 , 纳什·W·安德森 , 约翰·迈克尔·克恩斯 , 罗宾·科什伊 , 大卫·约瑟夫·韦策尔 , 刘磊 , 埃里克·A·派普
IPC: H01J37/32
Abstract: 等离子体处理室的部件包含单晶金属氧化物材料。该等离子体处理室具有该部件的面向等离子体的至少一个表面。该部件可以由单晶金属氧化物锭机械加工而成。合适的单晶金属氧化物包括尖晶石、钇氧化物和钇铝石榴石(YAG)。可以机械加工单晶金属氧化物以形成等离子体处理室的气体注入器。
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