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公开(公告)号：CN101663740B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN200880012841.7
申请日：2008-01-24
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 尹秀敏 , 马克·威尔考克森 , 约翰·M·德拉里奥斯
IPC分类号： G03F7/16 , H01L21/3105
CPC分类号： H01L21/02359 , C23C16/401 , C23C16/45563 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/3105 , H01L21/67046 , H01L21/6715 , H01L21/76831
摘要： 一种用于修复低k介电膜层中的贫碳的低k材料的设备、系统及方法，包括确定含有烃基的修复化学制剂，该修复化学制剂配置为修复贫碳的低k材料，且将所确定的修复化学制剂弯月面应用于低k介电膜层，从而低k介电膜层中的贫碳的低k材料被充分暴露于该修复化学制剂弯月面而基本上修复低k材料。该修复后的低k材料显示出基本上等同的低k介电膜层的低k电介质特性。
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公开(公告)号：CN101523563B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200780036306.0
申请日：2007-09-27
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 罗伯特·奥唐奈 , 埃里克·伦兹 , 马克·威尔考克森 , 迈克·拉维肯 , 亚历山大·A·艾斯科尔
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/6708 , Y10S134/902 , Y10S269/90 , Y10S269/902 , Y10T29/49826
摘要： 本发明描述一种载具，用于在由上部和下部临近头形成的弯液面处理期间支撑基片。该载具包括具有尺寸设为容纳基片的开口的框架，和多个用于在该开口内支撑该基片的支撑销。该开口稍大于该基片从而在该基片和该开口之间存在间隙。提供减少进入和/或离开痕迹的大小和频次的构造，该构造帮助和促进来自该弯液面的液体排出该间隙。还提供减少进入和/或离开痕迹的大小和频次的方法。
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公开(公告)号：CN101802983A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880107210.3
申请日：2008-06-20
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02063 , H01L21/6708
摘要： 一种用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的方法和系统，包括确定用于从该衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的干式快速化学物质。该干式快速化学物质被配置为选择性地除去一区域中蚀刻操作留下的蚀刻后聚合物残留，其中在该区域中穿过低k电介质膜层形成特征。使用很短的快速处理施用该确定的干式快速化学物质以除去该蚀刻后聚合物残留的至少一部分同时最小化对该电介质膜层的损害。然后向该衬底表面施用湿式清洁化学物质。该湿式清洁化学物质的施用有助于基本上除去该短快速处理留下的蚀刻后聚合物残留。
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公开(公告)号：CN102387872B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201080016274.X
申请日：2010-04-09
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 马克·纳什·卡瓦古奇 , 大卫·穆伊 , 马克·威尔考克森
IPC分类号： B08B7/04
CPC分类号： B08B3/08 , B08B3/12 , B08B5/04 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/67051
摘要： 本发明提供了从衬底表面、特别是从图案化的衬底(或晶片)表面上去除颗粒的设备和方法。该清洁设备和方法在清洁图案化的衬底而不明显破坏衬底表面上的特征方面具有优势。该清洁设备和方法包括使用包含带有诸如大于10000g/mol之类大分子量的聚合物化合物的粘弹性清洁材料。该粘弹性清洁材料捕获了在衬底表面上的至少部分颗粒。在足够短的时间内在粘弹性清洁材料上施加力，使该材料呈现促进粘弹性清洁材料与捕获颗粒一起去除的固体状的性质。在短时间内可以施加多次力以接近粘弹性清洁材料的固体状的性质。可替换地，粘弹性清洁材料的温度降低时，粘弹性清洁材料也呈现固体状的性质。
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公开(公告)号：CN101808754A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880016041.2
申请日：2008-05-07
申请人： 朗姆研究公司
CPC分类号： B08B3/00 , H01L21/67046 , H01L21/67051
摘要： 一种用于防止制造操作之间基片表面过早干燥的装置、系统和方法，包括接收待清洁的基片，对该基片表面执行使用多种制造化学物质的多个清洁操作以从该基片表面除去在一个或多个制造操作过程中留下的污染物和制造化学制品，识别饱和气体化学物质并在过渡区域中施加该识别的饱和气体化学物质从而暴露于该过渡区域中的该饱和气体化学物质的该基片表面保持该湿度，由此防止该基片表面过早干燥。该饱和气体化学物质在两个连续的湿法清洁操作之间施加。
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公开(公告)号：CN101663740A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200880012841.7
申请日：2008-01-24
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 尹秀敏 , 马克·威尔考克森 , 约翰·M·德拉里奥斯
IPC分类号： H01L21/3105
CPC分类号： H01L21/02359 , C23C16/401 , C23C16/45563 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/3105 , H01L21/67046 , H01L21/6715 , H01L21/76831
摘要： 一种用于修复低k介电膜层中的贫碳的低k材料的设备、系统及方法，包括确定含有烃基的修复化学制剂，该修复化学制剂配置为修复贫碳的低k材料，且将所确定的修复化学制剂弯月面应用于低k介电膜层，从而低k介电膜层中的贫碳的低k材料被充分暴露于该修复化学制剂弯月面而基本上修复低k材料。该修复后的低k材料显示出基本上等同的低k介电膜层的低k电介质特性。
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公开(公告)号：CN101523563A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780036306.0
申请日：2007-09-27
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 罗伯特·奥唐奈 , 埃里克·伦兹 , 马克·威尔考克森 , 迈克·拉维肯 , 亚历山大·A·艾斯科尔
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/6708 , Y10S134/902 , Y10S269/90 , Y10S269/902 , Y10T29/49826
摘要： 描述一种载具，用于在由上部和下部临近头形成的弯液面处理期间支撑基片。该载具包括具有尺寸设为容纳基片的开口的框架，和多个用于在该开口内支撑该基片的支撑销。该开口稍大于该基片从而在该基片和该开口之间存在间隙。提供减少进入和/或离开痕迹的大小和频次的构造，该构造帮助和促进来自该弯液面的液体排出该间隙。还提供减少进入和/或离开痕迹的大小和频次的方法。
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公开(公告)号：CN102458697B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201080026545.X
申请日：2010-05-28
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： B08B3/00
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/10 , B08B7/0014 , C11D11/0047 , C11D11/0058 , C11D17/049 , H01L21/02052 , H01L21/02057
摘要： 用于从固体表面清除颗粒污染物的装置和方法，包括在固体表面提供粘弹性物质层。所述粘弹性物质以薄膜的形式涂敷并且呈现出明显的液态样特性。所述粘弹性物质和所述颗粒污染物至少部分粘结。高速液体施加于所述粘弹性物质，以便粘弹性物质呈现出固态样特性。于是，所述粘弹性物质以及所述颗粒污染物从固体表面被清除，因而，清除了固体表面的颗粒污染物。
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公开(公告)号：CN101802983B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200880107210.3
申请日：2008-06-20
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02063 , H01L21/6708
摘要： 一种用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的方法和系统，包括确定用于从该衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的干式快速化学物质。该干式快速化学物质被配置为选择性地除去一区域中蚀刻操作留下的蚀刻后聚合物残留，其中在该区域中穿过低k电介质膜层形成特征。使用很短的快速处理施用该确定的干式快速化学物质以除去该蚀刻后聚合物残留的至少一部分同时最小化对该电介质膜层的损害。然后向该衬底表面施用湿式清洁化学物质。该湿式清洁化学物质的施用有助于基本上除去该短快速处理留下的蚀刻后聚合物残留。
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公开(公告)号：CN101808754B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200880016041.2
申请日：2008-05-07
申请人： 朗姆研究公司
CPC分类号： B08B3/00 , H01L21/67046 , H01L21/67051
摘要： 一种用于防止制造操作之间基片表面过早干燥的装置、系统和方法，包括接收待清洁的基片，对该基片表面执行使用多种制造化学物质的多个清洁操作以从该基片表面除去在一个或多个制造操作过程中留下的污染物和制造化学制品，识别饱和气体化学物质并在过渡区域中施加该识别的饱和气体化学物质从而暴露于该过渡区域中的该饱和气体化学物质的该基片表面保持该湿度，由此防止该基片表面过早干燥。该饱和气体化学物质在两个连续的湿法清洁操作之间施加。
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