公开(公告)号：CN101802983A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880107210.3

申请日：2008-06-20

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 尹秀敏 ,  马克·威尔考克森 ,  朱吉 ,  庄凯文 ,  小伟·庄 ,  娄大卫

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/02063 ,  H01L21/6708

摘要： 一种用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的方法和系统，包括确定用于从该衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的干式快速化学物质。该干式快速化学物质被配置为选择性地除去一区域中蚀刻操作留下的蚀刻后聚合物残留，其中在该区域中穿过低k电介质膜层形成特征。使用很短的快速处理施用该确定的干式快速化学物质以除去该蚀刻后聚合物残留的至少一部分同时最小化对该电介质膜层的损害。然后向该衬底表面施用湿式清洁化学物质。该湿式清洁化学物质的施用有助于基本上除去该短快速处理留下的蚀刻后聚合物残留。

公开(公告)号：CN101802983B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200880107210.3

申请日：2008-06-20

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 尹秀敏 ,  马克·威尔考克森 ,  朱吉 ,  庄凯文 ,  小伟·庄 ,  娄大卫

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/02063 ,  H01L21/6708

摘要： 一种用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的方法和系统，包括确定用于从该衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的干式快速化学物质。该干式快速化学物质被配置为选择性地除去一区域中蚀刻操作留下的蚀刻后聚合物残留，其中在该区域中穿过低k电介质膜层形成特征。使用很短的快速处理施用该确定的干式快速化学物质以除去该蚀刻后聚合物残留的至少一部分同时最小化对该电介质膜层的损害。然后向该衬底表面施用湿式清洁化学物质。该湿式清洁化学物质的施用有助于基本上除去该短快速处理留下的蚀刻后聚合物残留。