公开(公告)号：CN102714155A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180006827.8

申请日：2011-01-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 卡特里娜·米哈利钦科 ,  丹尼斯·肖明 ,  傅乾 ,  格伦·W·盖尔 ,  刘身健 ,  马克·H·威尔科克森

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111

Abstract: 一种处理在半导体设备制造中所使用的晶片的方法。所述方法可包括在所述晶片上形成高深宽比特征，紧随其后是湿处理和干燥。在干燥过程中，可能发生图案塌陷。该图案塌陷可以被修复如以便能进行所述晶片的附加处理。在一些情况下，图案塌陷可以通过蚀刻来修复，其中该蚀刻打破在图案塌陷期间形成的连接。

公开(公告)号：CN102714155B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201180006827.8

申请日：2011-01-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 卡特里娜·米哈利钦科 ,  丹尼斯·肖明 ,  傅乾 ,  格伦·W·盖尔 ,  刘身健 ,  马克·H·威尔科克森

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111

Abstract: 一种处理在半导体设备制造中所使用的晶片的方法。所述方法可包括在所述晶片上形成高深宽比特征，紧随其后是湿处理和干燥。在干燥过程中，可能发生图案塌陷。该图案塌陷可以被修复如以便能进行所述晶片的附加处理。在一些情况下，图案塌陷可以通过蚀刻来修复，其中该蚀刻打破在图案塌陷期间形成的连接。