公开(公告)号：CN102714155A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180006827.8

申请日：2011-01-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 卡特里娜·米哈利钦科 ,  丹尼斯·肖明 ,  傅乾 ,  格伦·W·盖尔 ,  刘身健 ,  马克·H·威尔科克森

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111

Abstract: 一种处理在半导体设备制造中所使用的晶片的方法。所述方法可包括在所述晶片上形成高深宽比特征，紧随其后是湿处理和干燥。在干燥过程中，可能发生图案塌陷。该图案塌陷可以被修复如以便能进行所述晶片的附加处理。在一些情况下，图案塌陷可以通过蚀刻来修复，其中该蚀刻打破在图案塌陷期间形成的连接。

公开(公告)号：CN102714155B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201180006827.8

申请日：2011-01-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 卡特里娜·米哈利钦科 ,  丹尼斯·肖明 ,  傅乾 ,  格伦·W·盖尔 ,  刘身健 ,  马克·H·威尔科克森

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111

Abstract: 一种处理在半导体设备制造中所使用的晶片的方法。所述方法可包括在所述晶片上形成高深宽比特征，紧随其后是湿处理和干燥。在干燥过程中，可能发生图案塌陷。该图案塌陷可以被修复如以便能进行所述晶片的附加处理。在一些情况下，图案塌陷可以通过蚀刻来修复，其中该蚀刻打破在图案塌陷期间形成的连接。

公开(公告)号：CN102762314B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201080060192.5

申请日：2010-12-13

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 卡特里娜·米哈利钦科 ,  丹尼斯·肖明 ,  马克·威尔考克森

IPC: B08B3/04

CPC classification number: H01L21/02057

Abstract: 用于利用低表面张力液体处理晶片的系统，其包括：包括能够将所述低表面张力液体加热到低于所述低表面张力液体的沸点不多于25摄氏度的第一热源的低表面张力液体源，用于将已加热的所述低表面张力液体输送到气体/液体交界区域的输送机构以及被定向到所述气体/液体交界区域的第二热源，所述第二热源能够将所述气体/液体交界区域加热到高于所述低表面张力液体的所述沸点至少2摄氏度。还描述了用于用低表面张力液体处理晶片的方法。

公开(公告)号：CN102762314A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201080060192.5

申请日：2010-12-13

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 卡特里娜·米哈利钦科 ,  丹尼斯·肖明 ,  马克·威尔考克森

IPC: B08B3/04

CPC classification number: H01L21/02057

Abstract: 用于利用低表面张力液体处理晶片的系统，其包括：包括能够将所述低表面张力液体加热到低于所述低表面张力液体的沸点不多于25摄氏度的第一热源的低表面张力液体源，用于将已加热的所述低表面张力液体输送到气体/液体交界区域的输送机构以及被定向到所述气体/液体交界区域的第二热源，所述第二热源能够将所述气体/液体交界区域加热到高于所述低表面张力液体的所述沸点至少2摄氏度。还描述了用于用低表面张力液体处理晶片的方法。