-
公开(公告)号：CN101657886A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200880012352.1
申请日：2008-04-11
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 威廉·蒂 , 约翰·M·博迪 , 弗里茨·C·雷德克 , 耶兹迪·多尔迪 , 约翰·帕克斯 , 蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 , 亚历山大·奥夫恰茨 , 托德·巴力斯基 , 克林特·托马斯 , 雅各布·卫理 , 艾伦·M·舍普
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , H01L21/76873
Abstract: 揭露一种用于晶片无电镀覆的干进/干出系统。该系统包括用于晶片进入/退出和干燥操作的上部区域。在该上部区域中提供邻近头以执行该干燥操作。该系统还包括用于无电镀覆操作的下部区域。该下部区域包括无电镀覆装置，其通过流体上涌方法实现晶片的浸没。该系统的上部和下部区域由双壁室包围，其中该内壁是化学惰性塑料的而该外部壁是结构金属。该系统与流体处置系统接口，该流体处置系统向该系统提供必要的化学制品供应和控制。该系统是可控环境的。而且，该系统与环境可控的可管理传送模块(MTM)接口。
-
公开(公告)号：CN101663736A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200880012369.7
申请日：2008-04-11
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 威廉·蒂 , 约翰·M·博迪 , 弗里茨·C·雷德克 , 耶兹迪·多尔迪 , 约翰·帕克斯 , 蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 , 亚历山大·奥夫恰茨 , 托德·巴力斯基 , 克林特·托马斯 , 雅各布·卫理 , 艾伦·M·舍普
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: C23C18/1628 , Y10T137/87652
Abstract: 化学制剂流体处理系统限定为提供若干化学制剂至混合歧管的若干流体输入。该化学制剂流体处理系统包括若干流体再循环回路，用于独立预处理和控制该多个化学制剂每个的供应。该流体再循环回路每个限定为除气、加热和过滤该多个化学制剂成分的具体一个。该混合歧管限定为混合该多个化学制剂以形成该无电镀溶液。该混合歧管包括连接到供应管线的流体输出。该供应管线连接以将该无电镀溶液供应至无电镀室内的溶槽。
-
公开(公告)号：CN101663736B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200880012369.7
申请日：2008-04-11
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 威廉·蒂 , 约翰·M·博迪 , 弗里茨·C·雷德克 , 耶兹迪·多尔迪 , 约翰·帕克斯 , 蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 , 亚历山大·奥夫恰茨 , 托德·巴力斯基 , 克林特·托马斯 , 雅各布·卫理 , 艾伦·M·舍普
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: C23C18/1628 , Y10T137/87652
Abstract: 化学制剂流体处理系统限定为提供若干化学制剂至混合歧管的若干流体输入。该化学制剂流体处理系统包括若干流体再循环回路，用于独立预处理和控制该多个化学制剂每个的供应。该流体再循环回路每个限定为除气、加热和过滤该多个化学制剂成分的具体一个。该混合歧管限定为混合该多个化学制剂以形成该无电镀溶液。该混合歧管包括连接到供应管线的流体输出。该供应管线连接以将该无电镀溶液供应至无电镀室内的溶槽。
-
公开(公告)号：CN101351282B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200680050024.1
申请日：2006-12-08
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 埃里克·M·弗里尔 , 约翰·M·德拉里奥斯 , 卡特里娜·米哈利钦科 , 迈克尔·拉夫金 , 米哈伊尔·科罗利克 , 弗雷德·C·雷德克 , 克林特·托马斯 , 约翰·帕克斯
IPC: B08B7/00
CPC classification number: H01L21/6715 , B05D3/10 , C11D3/14 , C11D11/0047 , C11D17/0004 , C11D17/0013 , C23G1/00 , G03F7/42 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/02096 , H01L21/67051
Abstract: 清洁材料设置在基片上。该清洁材料包括分散在液体媒介内的固体成分。力施加到该液体媒介内的固体成分上以使该固体成分接近该基片上存在的污染物。施加到该固体成分上的力可由该液体媒介内的不溶成分施加。当使该固体成分足够接近该污染物时，在该固体成分和该污染物之间建立相互作用。然后，移动该固体成分远离该基片从而将与该固体成分相互作用的该污染物从该基片去除。
-
公开(公告)号：CN101663737B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200880012422.3
申请日：2008-04-11
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 威廉·蒂 , 约翰·M·博迪 , 弗里茨·C·雷德克 , 耶兹迪·多尔迪 , 约翰·帕克斯 , 蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 , 亚历山大·奥夫恰茨 , 托德·巴力斯基 , 克林特·托马斯 , 雅各布·卫理 , 艾伦·M·舍普
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02104 , C23C18/1619 , H01L21/67005 , H01L21/6715
Abstract: 一种半导体晶片无电镀设备包括压板和溶槽。该压板具有限定为支撑晶片的顶部表面，和从该顶部表面的边缘向下延伸至该压板的下表面的外部表面。该溶槽具有由内部表面限定的内部容积，以便在该内部容积内接收该压板和待支撑在其上的晶片。密封件围绕该溶槽的内部表面设置以便当啮合在该溶槽的该内部表面和该压板的该外部表面之间时形成液密密封阻挡。若干流体分配喷嘴设置为在该密封件上方、该溶槽内分配点入溶液，以便升高和淹没该该压板，由此当该晶片存在于该压板上时淹没该晶片。
-
公开(公告)号：CN101657886B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880012352.1
申请日：2008-04-11
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 威廉·蒂 , 约翰·M·博迪 , 弗里茨·C·雷德克 , 耶兹迪·多尔迪 , 约翰·帕克斯 , 蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 , 亚历山大·奥夫恰茨 , 托德·巴力斯基 , 克林特·托马斯 , 雅各布·卫理 , 艾伦·M·舍普
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , H01L21/76873
Abstract: 揭露一种用于晶片无电镀覆的干进/干出系统。该系统包括用于晶片进入/退出和干燥操作的上部区域。在该上部区域中提供邻近头以执行该干燥操作。该系统还包括用于无电镀覆操作的下部区域。该下部区域包括无电镀覆装置，其通过流体上涌方法实现晶片的浸没。该系统的上部和下部区域由双壁室包围，其中该内壁是化学惰性塑料的而该外部壁是结构金属。该系统与流体处置系统接口，该流体处置系统向该系统提供必要的化学制品供应和控制。该系统是可控环境的。而且，该系统与环境可控的可管理传送模块(MTM)接口。
-
公开(公告)号：CN101663737A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200880012422.3
申请日：2008-04-11
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 威廉·蒂 , 约翰·M·博迪 , 弗里茨·C·雷德克 , 耶兹迪·多尔迪 , 约翰·帕克斯 , 蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 , 亚历山大·奥夫恰茨 , 托德·巴力斯基 , 克林特·托马斯 , 雅各布·卫理 , 艾伦·M·舍普
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02104 , C23C18/1619 , H01L21/67005 , H01L21/6715
Abstract: 一种半导体晶片无电镀设备包括压板和溶槽。该压板具有限定为支撑晶片的顶部表面，和从该顶部表面的边缘向下延伸至该压板的下表面的外部表面。该溶槽具有由内部表面限定的内部容积，以便在该内部容积内接收该压板和待支撑在其上的晶片。密封件围绕该溶槽的内部表面设置以便当啮合在该溶槽的该内部表面和该压板的该外部表面之间时形成液密密封阻挡。若干流体分配喷嘴设置为在该密封件上方、该溶槽内分配点入溶液，以便升高和淹没该该压板，由此当该晶片存在于该压板上时淹没该晶片。
-
公开(公告)号：CN101351282A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200680050024.1
申请日：2006-12-08
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 埃里克·M·弗里尔 , 约翰·M·德拉里奥斯 , 卡特里娜·米哈利钦科 , 迈克尔·拉夫金 , 米哈伊尔·科罗利克 , 弗雷德·C·雷德克 , 克林特·托马斯 , 约翰·帕克斯
IPC: B08B7/00
CPC classification number: H01L21/6715 , B05D3/10 , C11D3/14 , C11D11/0047 , C11D17/0004 , C11D17/0013 , C23G1/00 , G03F7/42 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/02096 , H01L21/67051
Abstract: 清洁材料设置在基片上。该清洁材料包括分散在液体媒介内的固体成分。力施加到该液体媒介内的固体成分上以使该固体成分接近该基片上存在的污染物。施加到该固体成分上的力可由该液体媒介内的不溶成分施加。当使该固体成分足够接近该污染物时，在该固体成分和该污染物之间建立相互作用。然后，移动该固体成分远离该基片从而将与该固体成分相互作用的该污染物从该基片去除。
