公开(公告)号：CN101971295B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200880127387.X

申请日：2008-12-19

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿诺德·霍洛坚科 ,  林成渝(肖恩)

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/67057

Abstract: 构造用于在通过弯液面处理晶圆表面时调节相对于临近头的流体流的邻近头的方法。该方法包括将该头构造成单件，同时保持头的刚性，即使在该头被加长以清洁更大直径的晶圆时。该单件头构造将主流体流与相对于该晶圆表面的独立流体流分开，其中该分开是通过高阻滞流体流构造实现的，产生跨越用于流体供应或返回的单元中的该头的增长的长度的基本上均匀的流体流。

公开(公告)号：CN102422399B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201080020563.7

申请日：2010-05-10

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿诺德·霍洛坚科 ,  卡特里娜·米哈利钦科 ,  林成渝(肖恩) ,  马克·威尔考克森 ,  利昂·金兹伯格 ,  马克·卡瓦古奇

IPC: G03F7/38 ,  H01L21/302

CPC classification number: B08B3/041 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051

Abstract: 对基板的表面进行清洁材料的第一施加。清洁材料包含用于捕获存在所述基板的表面上的污染物的一种或一种以上粘弹性材料。对所述基板的表面进行冲洗流体的第一施加，从而冲洗所述基板的表面上的清洁材料。同时，执行冲洗流体的第一施加，以在所述基板的表面上留下冲洗流体的残留薄膜。对于其上具有冲洗流体的残留薄膜的基板的表面进行清洁材料的第二施加。然后，对所述基板的表面进行冲洗流体的第二施加，从而冲洗所述基板的表面上的清洁材料。

公开(公告)号：CN101971299B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200980104907.X

申请日：2009-02-07

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿诺德·霍洛坚科 ,  林成渝(肖恩) ,  拉塞尔·马丁

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/67051 ,  Y10S134/902 ,  Y10T29/49826

Abstract: 为输送到晶片表面的流体提供调节的进入临近头的流体流。连接到多个下流孔的上部稳压室由主孔提供。该下流孔将流体提供进该上部稳压室，阻抗器孔连接到该上部稳压室。该阻抗器孔容纳阻抗器，其形状限制该流体流经该阻抗器孔。连接到该阻抗器孔的下部稳压室构造为接收来自该阻抗器孔的、受到该阻抗器限制的流体，用以流到在该下部稳压室和该头表面的各表面之间延伸多个出口端口。通过该上部稳压室、具有该阻抗器的阻抗器孔和该下部稳压室流动的流体被大体上调节以限定纵贯该临近头的宽度、基本上一致的离开该多个出口端口流体出流。

公开(公告)号：CN101971299A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980104907.X

申请日：2009-02-07

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿诺德·霍洛坚科 ,  林成渝(肖恩) ,  拉塞尔·马丁

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/67051 ,  Y10S134/902 ,  Y10T29/49826

Abstract: 为输送到晶片表面的流体提供调节的进入临近头的流体流。连接到多个下流孔的上部稳压室由主孔提供。该下流孔将流体提供进该上部稳压室，阻抗器孔连接到该上部稳压室。该阻抗器孔容纳阻抗器，其形状限制该流体流经该阻抗器孔。连接到该阻抗器孔的下部稳压室构造为接收来自该阻抗器孔的、受到该阻抗器限制的流体，用以流到在该下部稳压室和该头表面的各表面之间延伸多个出口端口。通过该上部稳压室、具有该阻抗器的阻抗器孔和该下部稳压室流动的流体被大体上调节以限定纵贯该临近头的宽度、基本上一致的离开该多个出口端口流体出流。

公开(公告)号：CN102422398B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201080018291.7

申请日：2010-03-30

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 林成渝(肖恩) ,  马克·卡瓦古奇 ,  马克·威尔考克森 ,  拉塞尔·马丁 ,  利昂·金兹伯格

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  Y10S134/902

Abstract: 上部加工头包括上表面模块，其定义为将清洁材料施加在基板的上表面、然后将基板暴露于上部冲洗弯液面。所述上表面模块定义为使冲洗材料以基本上单向的方式向着所述清洁材料并逆着基板的移动方向流经所述上部冲洗弯液面。下部加工头包括下表面模块，其定义为将下部冲洗弯液面施加在所述基板上，以均衡由所述上部冲洗弯液面施加在所述基板上的力。所述下表面模块定义为提供用于收集和排放当所述基板不在所述上部加工头和所述下部加工头之间时从所述上部加工头发放的所述清洁材料的排放通道。所述上部加工头和所述下部加工头分别可以包括多个实例的上表面模块和下表面模块。

公开(公告)号：CN102422399A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020563.7

申请日：2010-05-10

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿诺德·霍洛坚科 ,  卡特里娜·米哈利钦科 ,  林成渝(肖恩) ,  马克·威尔考克森 ,  利昂·金兹伯格 ,  马克·卡瓦古奇

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B08B3/041 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051

Abstract: 对基板的表面进行清洁材料的第一施加。清洁材料包含用于捕获存在所述基板的表面上的污染物的一种或一种以上粘弹性材料。对所述基板的表面进行冲洗流体的第一施加，从而冲洗所述基板的表面上的清洁材料。同时，执行冲洗流体的第一施加，以在所述基板的表面上留下冲洗流体的残留薄膜。对于其上具有冲洗流体的残留薄膜的基板的表面进行清洁材料的第二施加。然后，对所述基板的表面进行冲洗流体的第二施加，从而冲洗所述基板的表面上的清洁材料。

公开(公告)号：CN102422398A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080018291.7

申请日：2010-03-30

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 林成渝(肖恩) ,  马克·卡瓦古奇 ,  马克·威尔考克森 ,  拉塞尔·马丁 ,  利昂·金兹伯格

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  Y10S134/902

Abstract: 上部加工头包括上表面模块，其定义为将清洁材料施加在基板的上表面、然后将基板暴露于上部冲洗弯液面。所述上表面模块定义为使冲洗材料以基本上单向的方式向着所述清洁材料并逆着基板的移动方向流经所述上部冲洗弯液面。下部加工头包括下表面模块，其定义为将下部冲洗弯液面施加在所述基板上，以均衡由所述上部冲洗弯液面施加在所述基板上的力。所述下表面模块定义为提供用于收集和排放当所述基板不在所述上部加工头和所述下部加工头之间时从所述上部加工头发放的所述清洁材料的排放通道。所述上部加工头和所述下部加工头分别可以包括多个实例的上表面模块和下表面模块。

公开(公告)号：CN101971295A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200880127387.X

申请日：2008-12-19

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿诺德·霍洛坚科 ,  林成渝(肖恩)

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/67057

Abstract: 构造用于在通过弯液面处理晶圆表面时调节相对于临近头的流体流的邻近头的方法。该方法包括将该头构造成单件，同时保持头的刚性，即使在该头被加长以清洁更大直径的晶圆时。该单件头构造将主流体流与相对于该晶圆表面的独立流体流分开，其中该分开是通过高阻滞流体流构造实现的，产生跨越用于流体供应或返回的单元中的该头的增长的长度的基本上均匀的流体流。