-
公开(公告)号:CN101636824A
公开(公告)日:2010-01-27
申请号:CN200880008510.6
申请日:2008-03-04
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H05B3/06
Abstract: 具有非导电性外壳和在其中安装的弹簧支撑的导电组件的电气接头。该非导电性外壳具有纵轴,该弹簧支撑的导电组件可在沿该纵轴在任一方向上的有限范围内运动。该导电组件包括导电接触垫和导电延伸轴,它们在该非导电性外壳内匹配。沿接触轴并与之邻接安装的弹簧使该接触轴在远离该接触座的方向上偏移。当该电气接头被用于例如配合晶圆处理室的具有集成了分层加热器的室盖组件的室盖中时,该弹簧使该接触轴的下表面相对该加热器偏移。
-
公开(公告)号:CN101316949A
公开(公告)日:2008-12-03
申请号:CN200580039837.6
申请日:2005-09-23
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 拉杰·迪得萨 , 费利克斯·科扎克维奇 , 埃里克·伦茨 , 拉塞尔·马丁
IPC: C23F1/00 , H01L21/306 , B44C1/22
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32568
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理系统中的用于选择性地在电极与地之间提供RF接地路径的装置。该装置包括RF导电路径结构和环形结构。环形结构和RF导电路径结构具有彼此相关的两个相关位置。两个相关位置的第一相关位置的特征在于使环形结构与RF导电路径结构电耦合,以使RF导电路径结构接地。两个相关位置的第二相关位置的特征在于使环形结构从RF导电路径电分离。
-
公开(公告)号:CN101971299B
公开(公告)日:2013-03-20
申请号:CN200980104907.X
申请日:2009-02-07
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/30
CPC classification number: H01L21/67051 , Y10S134/902 , Y10T29/49826
Abstract: 为输送到晶片表面的流体提供调节的进入临近头的流体流。连接到多个下流孔的上部稳压室由主孔提供。该下流孔将流体提供进该上部稳压室,阻抗器孔连接到该上部稳压室。该阻抗器孔容纳阻抗器,其形状限制该流体流经该阻抗器孔。连接到该阻抗器孔的下部稳压室构造为接收来自该阻抗器孔的、受到该阻抗器限制的流体,用以流到在该下部稳压室和该头表面的各表面之间延伸多个出口端口。通过该上部稳压室、具有该阻抗器的阻抗器孔和该下部稳压室流动的流体被大体上调节以限定纵贯该临近头的宽度、基本上一致的离开该多个出口端口流体出流。
-
公开(公告)号:CN102112193A
公开(公告)日:2011-06-29
申请号:CN200980130735.3
申请日:2009-08-17
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: B01D19/00
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6708
Abstract: 一个示例实施方案中,用于将流体沉积在半导体晶片上的顶部附近头部包括接收流体的输送孔。所述顶部附近头部包括风室,其通过许多输入通道与所述输送孔相连,流体从所述输送孔流入所述输入通道。各输入通道具有倒置的V-型开口,其促使所有气泡向上流。所述流体从所述风室流经顶部附近头部外的输出通道而形成弯月面。通过通向返回孔的返回通道将所述流体从所述弯月面吸回到所述顶部附近头部。一通路将所述输送孔与所述返回孔相连,允许气泡从所述输送孔逃逸到所述返回孔。所述通路允许可忽略量的流体在所述两孔之间直接流动而不经过所述风室。
-
公开(公告)号:CN102422398B
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201080018291.7
申请日:2010-03-30
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , Y10S134/902
Abstract: 上部加工头包括上表面模块,其定义为将清洁材料施加在基板的上表面、然后将基板暴露于上部冲洗弯液面。所述上表面模块定义为使冲洗材料以基本上单向的方式向着所述清洁材料并逆着基板的移动方向流经所述上部冲洗弯液面。下部加工头包括下表面模块,其定义为将下部冲洗弯液面施加在所述基板上,以均衡由所述上部冲洗弯液面施加在所述基板上的力。所述下表面模块定义为提供用于收集和排放当所述基板不在所述上部加工头和所述下部加工头之间时从所述上部加工头发放的所述清洁材料的排放通道。所述上部加工头和所述下部加工头分别可以包括多个实例的上表面模块和下表面模块。
-
公开(公告)号:CN102112193B
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN200980130735.3
申请日:2009-08-17
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: B01D19/00
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6708
Abstract: 一个示例实施方案中,用于将流体沉积在半导体晶片上的顶部附近头部包括接收流体的输送孔。所述顶部附近头部包括风室,其通过许多输入通道与所述输送孔相连,流体从所述输送孔流入所述输入通道。各输入通道具有倒置的V-型开口,其促使所有气泡向上流。所述流体从所述风室流经顶部附近头部外的输出通道而形成弯月面。通过通向返回孔的返回通道将所述流体从所述弯月面吸回到所述顶部附近头部。一通路将所述输送孔与所述返回孔相连,允许气泡从所述输送孔逃逸到所述返回孔。所述通路允许可忽略量的流体在所述两孔之间直接流动而不经过所述风室。
-
公开(公告)号:CN102422398A
公开(公告)日:2012-04-18
申请号:CN201080018291.7
申请日:2010-03-30
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , Y10S134/902
Abstract: 上部加工头包括上表面模块,其定义为将清洁材料施加在基板的上表面、然后将基板暴露于上部冲洗弯液面。所述上表面模块定义为使冲洗材料以基本上单向的方式向着所述清洁材料并逆着基板的移动方向流经所述上部冲洗弯液面。下部加工头包括下表面模块,其定义为将下部冲洗弯液面施加在所述基板上,以均衡由所述上部冲洗弯液面施加在所述基板上的力。所述下表面模块定义为提供用于收集和排放当所述基板不在所述上部加工头和所述下部加工头之间时从所述上部加工头发放的所述清洁材料的排放通道。所述上部加工头和所述下部加工头分别可以包括多个实例的上表面模块和下表面模块。
-
公开(公告)号:CN101316949B
公开(公告)日:2015-10-07
申请号:CN200580039837.6
申请日:2005-09-23
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 拉杰·迪得萨 , 费利克斯·科扎克维奇 , 埃里克·伦茨 , 拉塞尔·马丁
IPC: C23F1/00 , H01L21/306 , B44C1/22
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32568
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理系统中的用于选择性地在电极与地之间提供RF接地路径的装置。该装置包括RF导电路径结构和环形结构。环形结构和RF导电路径结构具有彼此相关的两个相关位置。两个相关位置的第一相关位置的特征在于使环形结构与RF导电路径结构电耦合,以使RF导电路径结构接地。两个相关位置的第二相关位置的特征在于使环形结构从RF导电路径电分离。
-
公开(公告)号:CN101636824B
公开(公告)日:2011-12-14
申请号:CN200880008510.6
申请日:2008-03-04
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H05B3/06
Abstract: 具有非导电性外壳和在其中安装的弹簧支撑的导电组件的电气接头。该非导电性外壳具有纵轴,该弹簧支撑的导电组件可在沿该纵轴在任一方向上的有限范围内运动。该导电组件包括导电接触垫和导电延伸轴,它们在该非导电性外壳内匹配。沿接触轴并与之邻接安装的弹簧使该接触轴在远离该接触座的方向上偏移。当该电气接头被用于例如配合晶圆处理室的具有集成了分层加热器的室盖组件的室盖中时,该弹簧使该接触轴的下表面相对该加热器偏移。
-
公开(公告)号:CN101971299A
公开(公告)日:2011-02-09
申请号:CN200980104907.X
申请日:2009-02-07
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/30
CPC classification number: H01L21/67051 , Y10S134/902 , Y10T29/49826
Abstract: 为输送到晶片表面的流体提供调节的进入临近头的流体流。连接到多个下流孔的上部稳压室由主孔提供。该下流孔将流体提供进该上部稳压室,阻抗器孔连接到该上部稳压室。该阻抗器孔容纳阻抗器,其形状限制该流体流经该阻抗器孔。连接到该阻抗器孔的下部稳压室构造为接收来自该阻抗器孔的、受到该阻抗器限制的流体,用以流到在该下部稳压室和该头表面的各表面之间延伸多个出口端口。通过该上部稳压室、具有该阻抗器的阻抗器孔和该下部稳压室流动的流体被大体上调节以限定纵贯该临近头的宽度、基本上一致的离开该多个出口端口流体出流。
-
-
-
-
-
-
-
-
-