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公开(公告)号：CN118588551A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410561177.2
申请日：2019-03-12
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 克伦·J·卡纳里克 , 萨曼莎·西亚姆-华·坦 , 潘阳 , 杰弗里·马克斯
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/308 , H01L21/768 , H01L21/67
摘要： 提供了一种用于在蚀刻室中在图案化掩模下方蚀刻堆叠件中的特征的方法。用冷却剂温度低于‑20℃的冷却剂冷却堆叠件。使蚀刻气体流入蚀刻室。由蚀刻气体产生等离子体。相对于图案化的掩模将特征选择性地蚀刻到堆叠件中。
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公开(公告)号：CN107039264B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201611177683.3
申请日：2016-12-19
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/308
摘要： 本发明涉及在图案化结构上的定向沉积。本发明提供了通过在图案化结构上执行高度非共形(定向)沉积来促进图案化的方法和相关装置。所述方法包括在图案化结构(例如硬掩模)上沉积膜。沉积可以是衬底选择性的，使得膜相对于下伏的待蚀刻的材料具有高的蚀刻选择性，并且是图案选择性的，使得膜定向沉积以复制图案化结构的图案。在一些实施方式中，在与执行后续蚀刻的室相同的室中执行沉积。在一些实施方式中，沉积可在通过真空传送室连接到蚀刻室的单独室(例如，PECVD沉积室)中执行。沉积可在蚀刻工艺期间之前或在蚀刻工艺期间的选定的间隔期间执行。在一些实施方式中，沉积涉及沉积工艺和处理工艺的多个循环。
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公开(公告)号：CN101496141B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200780026262.3
申请日：2007-04-30
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 黄志松 , 杰弗里·马克斯 , S·M·列扎·萨贾迪
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/31144 , H01L21/32139
摘要： 提供一种用于在蚀刻层提供特征的方法。在蚀刻层上提供具有牺牲特征的图案化牺牲层。在该牺牲特征内形成共形侧壁，其包括至少两个侧壁形成工艺循环，其中每个循环包括侧壁沉积阶段和侧壁轮廓成形阶段。将共形侧壁之间的图案化牺牲层部分去除，留下其间具有间隙的共形侧壁，在该间隙的图案化牺牲层部分被选择性去除。使用该共形侧壁作为蚀刻掩膜在该蚀刻层蚀刻特征，其中穿过共形侧壁之间的间隙在蚀刻层中蚀刻特征，在该间隙的该图案化牺牲层部分被选择性去除。
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公开(公告)号：CN114026501A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202080046943.1
申请日：2020-06-25
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： G03F7/36 , G03F7/40 , G03F7/16 , G03F7/004 , H01L21/027
摘要： 光致抗蚀剂的显影对于例如用于在高分辨率图案化的背景下形成图案化掩模会是有用的。显影可使用例如卤化氢之类的含卤化物化学品而完成。使用干式或湿式沉积技术可在半导体衬底上沉积含金属抗蚀剂膜。该光致抗蚀剂膜可以是EUV敏感的含有机金属氧化物或含有机金属薄膜抗蚀剂。在暴露后，使用湿式或干式显影将经光图案化的含金属抗蚀剂进行显影。
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公开(公告)号：CN106067513B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201610248296.8
申请日：2016-04-20
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L43/12 , H01J37/305
摘要： 本发明涉及图案化MRAM堆栈的干法等离子体蚀刻法。提供了蚀刻金属的方法，所述方法通过沉积可与待被蚀刻的金属和卤素反应以形成挥发性物质的材料以及将衬底暴露于含卤素的气体和活化气体以蚀刻衬底来进行。所沉积的材料可以包括硅、锗、钛、碳、锡、以及它们的组合。方法适合于制造MRAM结构并且可以包括在不破坏真空的情况下将ALD和ALE工艺结合。
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公开(公告)号：CN108807128A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810642746.0
申请日：2016-01-12
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H01L43/12 , H01L21/316
摘要： 本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。
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公开(公告)号：CN105789027A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610017911.4
申请日：2016-01-12
申请人： 朗姆研究公司
CPC分类号： H01L21/30655 , C23C16/45527 , C23C16/45544 , H01J37/32009 , H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/31116 , H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L21/67207 , H01L21/6831 , H01L43/12 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/6719
摘要： 本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。
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公开(公告)号：CN104953026A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510072693.X
申请日：2015-02-11
申请人： 朗姆研究公司
摘要： 一种蚀刻非挥发性金属材料的方法，特别是用于蚀刻带有含钌层的堆叠的方法，所述含钌层配置在硬掩膜的下方和带有针扎层的磁性隧道结(MTJ)堆叠的上方。所述硬掩膜被使用干法蚀刻进行蚀刻。所述含钌层被使用基于次氯酸盐和/或臭氧的化学物质进行蚀刻。所述MTJ堆叠被蚀刻。所述MTJ堆叠由电介质材料覆盖。所述针扎层紧接着所述MTJ覆盖被蚀刻。
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公开(公告)号：CN103153825A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048113.3
申请日：2011-09-22
申请人： 朗姆研究公司
CPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/54 , H01L21/30604 , H01L21/308 , H01L21/67051 , H01L21/67173 , H01L21/6776 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 多个衬底处理设备以分隔方式被设置在共享周围环境中。传送设备被设置在该共享周围环境中且被限定来以连续方式使衬底移动通过衬底处理设备中的每一个以及在衬底处理设备中的每一个之间移动。一些衬底处理设备被限定来执行干法衬底处理操作，其中，带电反应环境被创建，暴露于衬底表面，没有液体材料。一些衬底处理设备被限定来执行湿法衬底处理操作，其中，至少一种液态材料被施加到衬底。在一实施方式中，干法和湿法衬底处理设备的互补对相对于衬底被传送设备的移动以顺序方式被设置在共享周围环境中。
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公开(公告)号：CN101288165B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200680037893.0
申请日：2006-09-08
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 杰弗里·马克斯
IPC分类号： H01L21/77 , C25D5/02 , C25D5/04 , C25D17/28 , G02F1/1368 , G02F1/1362
CPC分类号： H01L29/4908 , C25D5/022 , C25D5/06 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/458
摘要： 提供用于将金属特征限定为液晶显示器(LCD)一部分的方法和系统。该方法应用于玻璃基板，并且该玻璃基板具有限定在该玻璃基板或该玻璃基板的层上的掩蔽导电金属层(例如，阻挡层)。反型光刻胶掩模施加在该掩蔽导电金属层上。然后在该反型光刻胶掩模上形成电镀弯液面。该电镀弯液面至少包含电解溶液和电镀化学品，其中，该电镀弯液面在掩蔽导电金属层上的未被该反型光刻胶掩模覆盖的区域内形成金属特征。
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