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公开(公告)号：CN110379918B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201910500208.2
申请日：2016-04-20
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 本发明涉及图案化MRAM堆栈的干法等离子体蚀刻法。提供了蚀刻金属的方法，所述方法通过沉积可与待被蚀刻的金属和卤素反应以形成挥发性物质的材料以及将衬底暴露于含卤素的气体和活化气体以蚀刻衬底来进行。所沉积的材料可以包括硅、锗、钛、碳、锡、以及它们的组合。方法适合于制造MRAM结构并且可以包括在不破坏真空的情况下将ALD和ALE工艺结合。
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公开(公告)号：CN108807128B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201810642746.0
申请日：2016-01-12
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H01L43/12 , H01L21/316
Abstract: 本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。
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公开(公告)号：CN110741462B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201780086828.5
申请日：2017-12-14
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 克伦·雅各布斯·卡纳里克 , 特塞翁格·金姆
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 本文提供了用于评估各种材料的改性和去除操作的协同作用以确定通过原子层蚀刻进行自限蚀刻的工艺条件的方法。所述方法包括确定材料的表面结合能量，为材料选择改性气体，其中用于使材料表面改性的工艺条件产生的能量小于改性能量且大于解吸能量，选择去除气体，其中用于去除经改性的表面的工艺条件产生的能量大于解吸能量以去除经改性的表面但小于材料的表面结合能量以防止溅射，并计算协同作用以使用于原子层蚀刻的工艺窗最大化。
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公开(公告)号：CN110741462A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201780086828.5
申请日：2017-12-14
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 克伦·雅各布斯·卡纳里克 , 特塞翁格·金姆
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 本文提供了用于评估各种材料的改性和去除操作的协同作用以确定通过原子层蚀刻进行自限蚀刻的工艺条件的方法。所述方法包括确定材料的表面结合能量，为材料选择改性气体，其中用于使材料表面改性的工艺条件产生的能量小于改性能量且大于解吸能量，选择去除气体，其中用于去除经改性的表面的工艺条件产生的能量大于解吸能量以去除经改性的表面但小于材料的表面结合能量以防止溅射，并计算协同作用以使用于原子层蚀刻的工艺窗最大化。
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公开(公告)号：CN106067513B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201610248296.8
申请日：2016-04-20
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L43/12 , H01J37/305
Abstract: 本发明涉及图案化MRAM堆栈的干法等离子体蚀刻法。提供了蚀刻金属的方法，所述方法通过沉积可与待被蚀刻的金属和卤素反应以形成挥发性物质的材料以及将衬底暴露于含卤素的气体和活化气体以蚀刻衬底来进行。所沉积的材料可以包括硅、锗、钛、碳、锡、以及它们的组合。方法适合于制造MRAM结构并且可以包括在不破坏真空的情况下将ALD和ALE工艺结合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108807128A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810642746.0
申请日：2016-01-12
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H01L43/12 , H01L21/316
Abstract: 本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。
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公开(公告)号：CN105789027A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610017911.4
申请日：2016-01-12
Applicant: 朗姆研究公司
CPC classification number: H01L21/30655 , C23C16/45527 , C23C16/45544 , H01J37/32009 , H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/31116 , H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L21/67207 , H01L21/6831 , H01L43/12 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/6719
Abstract: 本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。
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公开(公告)号：CN118610084A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410719591.1
申请日：2017-12-14
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 克伦·雅各布斯·卡纳里克 , 特塞翁格·金姆
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/3213 , H01L21/311 , H01L21/306 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本文提供了用于评估各种材料的改性和去除操作的协同作用以确定通过原子层蚀刻进行自限蚀刻的工艺条件的方法。所述方法包括确定材料的表面结合能量，为材料选择改性气体，其中用于使材料表面改性的工艺条件产生的能量小于改性能量且大于解吸能量，选择去除气体，其中用于去除经改性的表面的工艺条件产生的能量大于解吸能量以去除经改性的表面但小于材料的表面结合能量以防止溅射，并计算协同作用以使用于原子层蚀刻的工艺窗最大化。
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公开(公告)号：CN110383458B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201880016403.1
申请日：2018-03-07
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 一种沉积用于对衬底的特征执行自下而上的间隙填充的金属籽晶的方法包括：提供包含多个特征的衬底；使稀释金属前体溶液流入所述特征中，其中，所述稀释金属前体溶液包括金属前体和稀释液体；蒸发所述稀释液体以将所述金属前体定位在所述多个特征的底部；将所述衬底暴露于等离子体处理以将所述金属前体还原为金属或金属合金中的至少一种，并形成籽晶层；对所述衬底执行热处理；以及使用选择性间隙填充工艺以用过渡金属接触所述籽晶层来填充特征。
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公开(公告)号：CN110383458A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880016403.1
申请日：2018-03-07
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 一种沉积用于对衬底的特征执行自下而上的间隙填充的金属籽晶的方法包括：提供包含多个特征的衬底；使稀释金属前体溶液流入所述特征中，其中，所述稀释金属前体溶液包括金属前体和稀释液体；蒸发所述稀释液体以将所述金属前体定位在所述多个特征的底部；将所述衬底暴露于等离子体处理以将所述金属前体还原为金属或金属合金中的至少一种，并形成籽晶层；对所述衬底执行热处理；以及使用选择性间隙填充工艺以用过渡金属接触所述籽晶层来填充特征。
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