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公开(公告)号：CN111902912A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980022122.1
申请日：2019-03-18
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 游正义 , 萨曼莎·西亚姆华·坦 , 鲍里斯·沃洛斯基 , 阿图尔·科利奇 , 潘阳
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67 , C23C16/44
摘要： 一种在衬底上沉积金属互连层的方法包括：将衬底布置在处理室中的衬底支撑件上；以及在所述衬底上沉积被配置成用作黏附层、扩散阻挡层和籽晶层中的至少一者的中间层。沉积所述中间层包括供应金属‑有机前体，所述金属‑有机前体包括具有金属‑硅化物(M‑Si)键的第一材料。所述方法还包括：在所述中间层上沉积所述金属互连层。
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公开(公告)号：CN116134380A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180060331.2
申请日：2021-07-16
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 埃里克·卡尔文·汉森 , 蒂莫西·威廉·威德曼 , 吴呈昊 , 林庆煌 , 基莱·乔丹·布莱克内 , 阿德里安·拉沃伊 , 希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴帕蒂 , 萨曼塔·S·H·坦 , 理查德·怀斯 , 潘阳 , 李英熙 , 卡蒂·林恩·纳尔迪 , 凯文·利·顾 , 鲍里斯·沃洛斯基
IPC分类号： G03F7/004
摘要： 本发明涉及用金属前体与有机前体形成的膜，以及形成并采用这种膜的方法。该膜可用作可光图案化膜或辐射敏感膜。在特定的实施方案中，该膜包括含金属层与有机层的交替层。在其他实施方案中，该膜包括沉积金属与有机成分的基质。
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公开(公告)号：CN114270266A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080059412.6
申请日：2020-06-24
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 蒂莫西·威廉·威德曼 , 凯文·利·顾 , 卡蒂·林恩·纳尔迪 , 吴呈昊 , 鲍里斯·沃洛斯基 , 埃里克·卡尔文·汉森
摘要： 本文的各种实施方案涉及用于在衬底上沉积光致抗蚀剂材料的技术。例如，这些技术可涉及在反应室中提供该衬底；将第一及第二反应物提供至该反应室，其中所述第一反应物为具有化学式M1aR1bL1c的有机金属前体，其中：M1为具有高图案化辐射吸收截面的金属，R1为有机基团，其在所述第一反应物与所述第二反应物之间的所述反应后保留，且能在暴露于图案化辐射下从Ml裂解，L1为与所述第二反应物反应的配体、离子、或其他部分，a≥1，b≥1，且c≥1，且其中满足以下条件中的至少一者：光致抗蚀剂材料包含两或更多高图案化辐射吸收元素、和/或所述光致抗蚀剂材料包含沿着所述光致抗蚀剂材料的厚度的组成梯度。
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公开(公告)号：CN118335604A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410274445.2
申请日：2018-02-13
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/311
摘要： 在半导体器件制造中，氧化锡膜用作间隔物和硬掩模。在一种方法中，在衬底上的突出特征的侧壁和水平表面上共形地形成氧化锡层。然后在侧壁上的氧化锡上形成钝化层，氧化锡然后从突出特征的水平表面去除，而不在突出特征的侧壁处去除。然后去除突出特征的材料，同时留下驻留在突出特征的侧壁处的氧化锡，从而形成氧化锡间隔物。基于氢的干蚀刻化学物质和基于氯的干蚀刻化学物质用于在各种材料存在下选择性地蚀刻氧化锡。在另一种方法中，通过在未图案化的氧化锡上形成图案化的层并将图案转移到氧化锡上而在衬底上形成图案化的氧化锡硬掩模层。
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公开(公告)号：CN114365044A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202080060616.1
申请日：2020-06-22
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 布奇·伯尼 , 艾伦·M·舍普 , 蒂莫西·威廉·威德曼 , 凯文·利·顾 , 吴呈昊 , 卡蒂·林恩·纳尔迪 , 鲍里斯·沃洛斯基 , 克林特·爱德华·托马斯 , 撒德·尼科尔森
IPC分类号： G03F7/16 , G03F7/004 , H01L21/67 , H01L21/683
摘要： 讨论了用于极紫外线敏感(EUV敏感)光致抗蚀剂层的干式沉积的系统和技术。在一些这样的系统中，可以提供特征在于多充气部喷头的处理室，所述多充气部喷头被配置成在一个充气部中接收汽化有机金属前体以及在另一充气部中接收其汽化逆反应物。这两种汽化反应物可以被输送至在处理室内且在支撑该衬底的晶片支撑件上的反应空间。
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公开(公告)号：CN110520963A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201880023914.6
申请日：2018-02-13
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/306 , H01L21/027 , H01L21/67
摘要： 在半导体器件制造中，氧化锡膜用作间隔物和硬掩模。在一种方法中，在衬底上的突出特征的侧壁和水平表面上共形地形成氧化锡层。然后在侧壁上的氧化锡上形成钝化层，氧化锡然后从突出特征的水平表面去除，而不在突出特征的侧壁处去除。然后去除突出特征的材料，同时留下驻留在突出特征的侧壁处的氧化锡，从而形成氧化锡间隔物。基于氢的干蚀刻化学物质和基于氯的干蚀刻化学物质用于在各种材料存在下选择性地蚀刻氧化锡。在另一种方法中，通过在未图案化的氧化锡上形成图案化的层并将图案转移到氧化锡上而在衬底上形成图案化的氧化锡硬掩模层。
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公开(公告)号：CN110520963B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201880023914.6
申请日：2018-02-13
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/306 , H01L21/027 , H01L21/67
摘要： 在半导体器件制造中，氧化锡膜用作间隔物和硬掩模。在一种方法中，在衬底上的突出特征的侧壁和水平表面上共形地形成氧化锡层。然后在侧壁上的氧化锡上形成钝化层，氧化锡然后从突出特征的水平表面去除，而不在突出特征的侧壁处去除。然后去除突出特征的材料，同时留下驻留在突出特征的侧壁处的氧化锡，从而形成氧化锡间隔物。基于氢的干蚀刻化学物质和基于氯的干蚀刻化学物质用于在各种材料存在下选择性地蚀刻氧化锡。在另一种方法中，通过在未图案化的氧化锡上形成图案化的层并将图案转移到氧化锡上而在衬底上形成图案化的氧化锡硬掩模层。
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公开(公告)号：CN110383458B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201880016403.1
申请日：2018-03-07
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/02
摘要： 一种沉积用于对衬底的特征执行自下而上的间隙填充的金属籽晶的方法包括：提供包含多个特征的衬底；使稀释金属前体溶液流入所述特征中，其中，所述稀释金属前体溶液包括金属前体和稀释液体；蒸发所述稀释液体以将所述金属前体定位在所述多个特征的底部；将所述衬底暴露于等离子体处理以将所述金属前体还原为金属或金属合金中的至少一种，并形成籽晶层；对所述衬底执行热处理；以及使用选择性间隙填充工艺以用过渡金属接触所述籽晶层来填充特征。
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公开(公告)号：CN113785381A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202080032750.0
申请日：2020-04-14
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/027 , H01L21/02
摘要： 本发明提供了用于降低EUV抗蚀剂的粗糙度并改善蚀刻特征的方法和系统。所述方法涉及对EUV抗蚀剂除渣、填充EUV抗蚀剂的凹陷、并用帽盖层保护EUV抗蚀剂。所得的EUV抗蚀剂具有更平滑的特征，并增加对下伏层的选择性，从而改善蚀刻特征的质量。在下伏层的蚀刻后，可去除帽盖层。
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公开(公告)号：CN113675081A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110728563.2
申请日：2019-01-29
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 游正义 , 萨曼莎·西亚姆华·坦 , 徐相俊 , 鲍里斯·沃洛斯基 , 希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴保蒂 , 理查德·怀斯 , 潘阳 , 吴晖荣
IPC分类号： H01L21/311
摘要： 氧化锡膜在半导体器件制造中用作心轴。在一个实现方式中，该处理开始于提供一种衬底，该衬底具有存在于暴露的蚀刻停止层上的多个突起的氧化锡特征(心轴)。接下来，在心轴的水平表面和侧壁上都形成保形的间隔材料层。然后从水平表面去除间隔材料，从而暴露出心轴的氧化锡材料，而没有完全去除存在于心轴侧壁上的间隔材料(例如，留下初始在侧壁上的高度的至少50％，例如至少90％)。接下来，选择性地去除心轴(例如，使用基于氢的蚀刻化学物质)，同时保留存在于心轴侧壁上的间隔材料。所得的间隔件可用于图案化蚀刻停止层和下伏层。
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