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1.

发明公开
在电介质中的高深宽比特征的等离子体蚀刻化学过程审中-实审

公开(公告)号：CN118588551A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410561177.2

申请日：2019-03-12

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 克伦·J·卡纳里克 , 萨曼莎·西亚姆-华·坦 , 潘阳 , 杰弗里·马克斯

IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/308 , H01L21/768 , H01L21/67

Abstract: 提供了一种用于在蚀刻室中在图案化掩模下方蚀刻堆叠件中的特征的方法。用冷却剂温度低于‑20℃的冷却剂冷却堆叠件。使蚀刻气体流入蚀刻室。由蚀刻气体产生等离子体。相对于图案化的掩模将特征选择性地蚀刻到堆叠件中。

2.

发明公开
在电介质中的高深宽比特征的等离子体蚀刻化学过程审中-实审

公开(公告)号：CN118263107A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410212576.8

申请日：2019-03-12

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 克伦·J·卡纳里克 , 萨曼莎·西亚姆-华·坦 , 潘阳 , 杰弗里·马克斯

IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/308 , H01L21/768 , H01L21/67

Abstract: 提供了一种用于在蚀刻室中在图案化掩模下方蚀刻堆叠件中的特征的方法。用冷却剂温度低于‑20℃的冷却剂冷却堆叠件。使蚀刻气体流入蚀刻室。由蚀刻气体产生等离子体。相对于图案化的掩模将特征选择性地蚀刻到堆叠件中。

3.

发明公开
在电介质中的高深宽比特征的等离子体蚀刻化学过程审中-公开

公开(公告)号：CN111886678A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201980019733.0

申请日：2019-03-12

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 克伦·J·卡纳里克 , 萨曼莎·西亚姆-华·坦 , 潘阳 , 杰弗里·马克斯

IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/324 , H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/67

Abstract: 提供了一种用于在蚀刻室中在图案化掩模下方蚀刻堆叠件中的特征的方法。用冷却剂温度低于‑20℃的冷却剂冷却堆叠件。使蚀刻气体流入蚀刻室。由蚀刻气体产生等离子体。相对于图案化的掩模将特征选择性地蚀刻到堆叠件中。

4.

发明公开
在电介质中的高深宽比特征的等离子体蚀刻化学过程审中-实审

公开(公告)号：CN118588550A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410561129.3

申请日：2019-03-12

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 克伦·J·卡纳里克 , 萨曼莎·西亚姆-华·坦 , 潘阳 , 杰弗里·马克斯

IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/308 , H01L21/768 , H01L21/67

Abstract: 提供了一种用于在蚀刻室中在图案化掩模下方蚀刻堆叠件中的特征的方法。用冷却剂温度低于‑20℃的冷却剂冷却堆叠件。使蚀刻气体流入蚀刻室。由蚀刻气体产生等离子体。相对于图案化的掩模将特征选择性地蚀刻到堆叠件中。

5.

发明公开
在电介质中的高深宽比特征的等离子体蚀刻化学过程审中-实审

公开(公告)号：CN118588549A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410561073.1

申请日：2019-03-12

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 克伦·J·卡纳里克 , 萨曼莎·西亚姆-华·坦 , 潘阳 , 杰弗里·马克斯

IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/308 , H01L21/768 , H01L21/67

Abstract: 提供了一种用于在蚀刻室中在图案化掩模下方蚀刻堆叠件中的特征的方法。用冷却剂温度低于‑20℃的冷却剂冷却堆叠件。使蚀刻气体流入蚀刻室。由蚀刻气体产生等离子体。相对于图案化的掩模将特征选择性地蚀刻到堆叠件中。

6.

发明公开
在电介质中的高深宽比特征的等离子体蚀刻化学过程审中-实审

公开(公告)号：CN118588548A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410560920.2

申请日：2019-03-12

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 克伦·J·卡纳里克 , 萨曼莎·西亚姆-华·坦 , 潘阳 , 杰弗里·马克斯

IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/308 , H01L21/768 , H01L21/67

Abstract: 提供了一种用于在蚀刻室中在图案化掩模下方蚀刻堆叠件中的特征的方法。用冷却剂温度低于‑20℃的冷却剂冷却堆叠件。使蚀刻气体流入蚀刻室。由蚀刻气体产生等离子体。相对于图案化的掩模将特征选择性地蚀刻到堆叠件中。

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