公开(公告)号：CN105390381B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201510688559.2

申请日：2011-04-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赛沙德利·甘古利 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  雷宇 ,  卢欣亮 ,  刘相浩 ,  金勋 ,  保罗·F·马 ,  张梅 ,  梅特伊·马哈贾尼 ,  帕特丽夏·M·刘

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  C23C16/06 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明的实施例大致提供沉积含金属材料和其组成物的方法。方法包括沉积工艺，其利用气相沉积工艺形成金属、金属碳化物、金属硅化物、金属氮化物和金属碳化物衍生物，包括热分解、化学气相沉积(CVD)、脉冲式CVD或原子层沉积(ALD)。在一实施例中，提供处理基板的方法，该方法包括沉积介电常数大于10的介电材料、于介电材料内形成特征结构定界、共形沉积功函数材料至特征结构定界的侧壁和底部上、以及沉积金属栅极填充材料至功函数材料上，以填充特征结构定界，其中功函数材料通过使化学式为MXy的至少一金属卤化物前驱物反应而沉积，其中M为钽、铪、钛和镧，X为选自由氟、氯、溴或碘所组成的组的卤化物，y为3至5。

公开(公告)号：CN102918636A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180026521.9

申请日：2011-04-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赛沙德利·甘古利 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  雷宇 ,  卢欣亮 ,  刘相浩 ,  金勋 ,  保罗·F·马 ,  张梅 ,  梅特伊·马哈贾尼 ,  帕特丽夏·M·刘

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28008 ,  C23C16/06 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966

Abstract: 本发明的实施例大致提供沉积含金属材料和其组成物的方法。方法包括沉积工艺，其利用气相沉积工艺形成金属、金属碳化物、金属硅化物、金属氮化物和金属碳化物衍生物，包括热分解、化学气相沉积（CVD）、脉冲式CVD或原子层沉积（ALD）。在一实施例中，提供处理基板的方法，该方法包括沉积介电常数大于10的介电材料、于介电材料内形成特征结构定界、共形沉积功函数材料至特征结构定界的侧壁和底部上、以及沉积金属栅极填充材料至功函数材料上，以填充特征结构定界，其中功函数材料通过使化学式为MXy的至少一金属卤化物前驱物反应而沉积，其中M为钽、铪、钛和镧，X为选自由氟、氯、溴或碘所组成的组的卤化物，y为3至5。

公开(公告)号：CN105390381A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510688559.2

申请日：2011-04-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赛沙德利·甘古利 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  雷宇 ,  卢欣亮 ,  刘相浩 ,  金勋 ,  保罗·F·马 ,  张梅 ,  梅特伊·马哈贾尼 ,  帕特丽夏·M·刘

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  C23C16/06 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/28008 ,  C23C16/06 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966

Abstract: 本发明的实施例大致提供沉积含金属材料和其组成物的方法。方法包括沉积工艺，其利用气相沉积工艺形成金属、金属碳化物、金属硅化物、金属氮化物和金属碳化物衍生物，包括热分解、化学气相沉积(CVD)、脉冲式CVD或原子层沉积(ALD)。在一实施例中，提供处理基板的方法，该方法包括沉积介电常数大于10的介电材料、于介电材料内形成特征结构定界、共形沉积功函数材料至特征结构定界的侧壁和底部上、以及沉积金属栅极填充材料至功函数材料上，以填充特征结构定界，其中功函数材料通过使化学式为MXy的至少一金属卤化物前驱物反应而沉积，其中M为钽、铪、钛和镧，X为选自由氟、氯、溴或碘所组成的组的卤化物，y为3至5。

公开(公告)号：CN102918636B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180026521.9

申请日：2011-04-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赛沙德利·甘古利 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  雷宇 ,  卢欣亮 ,  刘相浩 ,  金勋 ,  保罗·F·马 ,  张梅 ,  梅特伊·马哈贾尼 ,  帕特丽夏·M·刘

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28008 ,  C23C16/06 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966

Abstract: 本发明的实施例大致提供沉积含金属材料和其组成物的方法。方法包括沉积工艺，其利用气相沉积工艺形成金属、金属碳化物、金属硅化物、金属氮化物和金属碳化物衍生物，包括热分解、化学气相沉积（CVD）、脉冲式CVD或原子层沉积（ALD）。在一实施例中，提供处理基板的方法，该方法包括沉积介电常数大于10的介电材料、于介电材料内形成特征结构定界、共形沉积功函数材料至特征结构定界的侧壁和底部上、以及沉积金属栅极填充材料至功函数材料上，以填充特征结构定界，其中功函数材料通过使化学式为MXy的至少一金属卤化物前驱物反应而沉积，其中M为钽、铪、钛和镧，X为选自由氟、氯、溴或碘所组成的组的卤化物，y为3至5。