公开(公告)号：CN102918636A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180026521.9

申请日：2011-04-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赛沙德利·甘古利 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  雷宇 ,  卢欣亮 ,  刘相浩 ,  金勋 ,  保罗·F·马 ,  张梅 ,  梅特伊·马哈贾尼 ,  帕特丽夏·M·刘

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28008 ,  C23C16/06 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966

Abstract: 本发明的实施例大致提供沉积含金属材料和其组成物的方法。方法包括沉积工艺，其利用气相沉积工艺形成金属、金属碳化物、金属硅化物、金属氮化物和金属碳化物衍生物，包括热分解、化学气相沉积（CVD）、脉冲式CVD或原子层沉积（ALD）。在一实施例中，提供处理基板的方法，该方法包括沉积介电常数大于10的介电材料、于介电材料内形成特征结构定界、共形沉积功函数材料至特征结构定界的侧壁和底部上、以及沉积金属栅极填充材料至功函数材料上，以填充特征结构定界，其中功函数材料通过使化学式为MXy的至少一金属卤化物前驱物反应而沉积，其中M为钽、铪、钛和镧，X为选自由氟、氯、溴或碘所组成的组的卤化物，y为3至5。

公开(公告)号：CN101437981B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200580043491.7

申请日：2005-12-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 高勤台 ,  仇金培 ,  塞法道·P·乌莫吐伊 ,  张梅 ,  袁晓雄 ,  张宇 ,  卢欣亮 ,  潘希恩 ,  威廉·邝 ,  初国川 ,  戴维·T·沃

IPC: H05H1/24 ,  C23C14/46

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32541 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/67069 ,  H01L29/665

Abstract: 本发明提供一种用于清洁处理反应室的方法与设备，此方法包含阻挡冷却流体流入位于处理反应室内的支持构件的通道中；升高支持构件至距离气体分配盘约0.1英寸以内；加热气体分配盘；以及导入热传导气体通过气体分配盘而进入处理反应室中。在一个方面中，反应室包含反应室主体与支持组件，此支持组件至少部分设置在反应室主体内且用于支撑该支持组件上的基板于该支持组件上。反应室另包含盖组件，设置在反应室主体的上表面。盖组件包含顶板与气体输送组件，此二者之间定义出等离子体腔室，其中此气体输送组件是用以加热基板。具有U型等离子体区域的远程等离子体源是连接至此气体输送组件上。

公开(公告)号：CN110088875B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201780077670.5

申请日：2017-11-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  凯尔文·陈 ,  卢欣亮 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  吴勇 ,  苏米特·辛格·罗伊 ,  基亚·成·蔡

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 处理方法包括通过以下步骤来形成包含钨或钼的间隙填充层：将具有至少一个特征在其上的基板表面依次地暴露于金属前驱物和包含氢的还原剂以在所述特征中形成所述间隙填充层，其中在所述基板表面与所述间隙填充层之间不存在成核层。

公开(公告)号：CN105390381B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201510688559.2

申请日：2011-04-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赛沙德利·甘古利 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  雷宇 ,  卢欣亮 ,  刘相浩 ,  金勋 ,  保罗·F·马 ,  张梅 ,  梅特伊·马哈贾尼 ,  帕特丽夏·M·刘

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  C23C16/06 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明的实施例大致提供沉积含金属材料和其组成物的方法。方法包括沉积工艺，其利用气相沉积工艺形成金属、金属碳化物、金属硅化物、金属氮化物和金属碳化物衍生物，包括热分解、化学气相沉积(CVD)、脉冲式CVD或原子层沉积(ALD)。在一实施例中，提供处理基板的方法，该方法包括沉积介电常数大于10的介电材料、于介电材料内形成特征结构定界、共形沉积功函数材料至特征结构定界的侧壁和底部上、以及沉积金属栅极填充材料至功函数材料上，以填充特征结构定界，其中功函数材料通过使化学式为MXy的至少一金属卤化物前驱物反应而沉积，其中M为钽、铪、钛和镧，X为选自由氟、氯、溴或碘所组成的组的卤化物，y为3至5。

公开(公告)号：CN110088875A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201780077670.5

申请日：2017-11-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  凯尔文·陈 ,  卢欣亮 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  吴勇 ,  苏米特·辛格·罗伊 ,  基亚·成·蔡

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 处理方法包括通过以下步骤来形成包含钨或钼的间隙填充层：将具有至少一个特征在其上的基板表面依次地暴露于金属前驱物和包含氢的还原剂以在所述特征中形成所述间隙填充层，其中在所述基板表面与所述间隙填充层之间不存在成核层。

公开(公告)号：CN105390381A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510688559.2

申请日：2011-04-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赛沙德利·甘古利 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  雷宇 ,  卢欣亮 ,  刘相浩 ,  金勋 ,  保罗·F·马 ,  张梅 ,  梅特伊·马哈贾尼 ,  帕特丽夏·M·刘

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  C23C16/06 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/28008 ,  C23C16/06 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966

Abstract: 本发明的实施例大致提供沉积含金属材料和其组成物的方法。方法包括沉积工艺，其利用气相沉积工艺形成金属、金属碳化物、金属硅化物、金属氮化物和金属碳化物衍生物，包括热分解、化学气相沉积(CVD)、脉冲式CVD或原子层沉积(ALD)。在一实施例中，提供处理基板的方法，该方法包括沉积介电常数大于10的介电材料、于介电材料内形成特征结构定界、共形沉积功函数材料至特征结构定界的侧壁和底部上、以及沉积金属栅极填充材料至功函数材料上，以填充特征结构定界，其中功函数材料通过使化学式为MXy的至少一金属卤化物前驱物反应而沉积，其中M为钽、铪、钛和镧，X为选自由氟、氯、溴或碘所组成的组的卤化物，y为3至5。

公开(公告)号：CN102918636B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180026521.9

申请日：2011-04-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赛沙德利·甘古利 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  雷宇 ,  卢欣亮 ,  刘相浩 ,  金勋 ,  保罗·F·马 ,  张梅 ,  梅特伊·马哈贾尼 ,  帕特丽夏·M·刘

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28008 ,  C23C16/06 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966

Abstract: 本发明的实施例大致提供沉积含金属材料和其组成物的方法。方法包括沉积工艺，其利用气相沉积工艺形成金属、金属碳化物、金属硅化物、金属氮化物和金属碳化物衍生物，包括热分解、化学气相沉积（CVD）、脉冲式CVD或原子层沉积（ALD）。在一实施例中，提供处理基板的方法，该方法包括沉积介电常数大于10的介电材料、于介电材料内形成特征结构定界、共形沉积功函数材料至特征结构定界的侧壁和底部上、以及沉积金属栅极填充材料至功函数材料上，以填充特征结构定界，其中功函数材料通过使化学式为MXy的至少一金属卤化物前驱物反应而沉积，其中M为钽、铪、钛和镧，X为选自由氟、氯、溴或碘所组成的组的卤化物，y为3至5。

公开(公告)号：CN101425458B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200810171147.1

申请日：2008-10-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 夏立群 ,  米哈拉·鲍尔西努 ,  维克多·恩古源 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈'萨德 ,  杨海春 ,  卢欣亮 ,  高乾泰 ,  张梅

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供形成至少一层介电层的方法和系统。其中一种结构的形成方法，包括：横跨衬底表面形成至少一个部件；在所述至少一个部件上方形成含氮介电层；以第一速率去除所述至少一个部件的至少一个侧壁上的第一部分含氮层，以第二速率去除与所述至少一个部件的底部区域邻近的衬底上方的第二部分含氮层，该第一速率大于该第二速率；以及在该含氮介电层上方形成介电层。