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公开(公告)号：CN112020574A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201980028205.1
申请日：2019-03-27
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 凯尔文·陈 , 特拉维斯·科 , 西蒙·黄 , 菲利普·艾伦·克劳斯
IPC: C23C16/515 , C23C16/24 , C23C16/40 , C23C16/34 , H01L21/02
Abstract: 实施方式包括一种处理基板的方法。在一实施方式中，所述方法包括使一种或多种源气体流入处理腔室中，以及用在第一模式下操作的等离子体源从源气体诱发等离子体。在一实施方式中，所述方法可进一步包括用在第二模式下操作的DC电源来偏压基板。在一实施方式中，所述方法可进一步包括将膜沉积在基板上。
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公开(公告)号：CN113957415A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110824340.6
申请日：2021-07-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 马克·约瑟夫·萨利 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 托马斯·约瑟夫·奈斯利 , 凯尔文·陈 , 瑞加娜·杰曼尼·弗雷德 , 戴维·迈克尔·汤普森 , 苏米特·辛格·罗伊 , 马杜尔·萨尚
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/50 , B05D1/00 , H01L21/027
Abstract: 本文公开的实施方式包括使用干法沉积工艺沉积金属氧光刻胶的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：用包括第一金属前驱物蒸气和第一氧化剂蒸气的第一气相工艺在所述基板上形成第一金属氧膜；和用包括第二金属前驱物蒸气和第二氧化剂蒸气的第二气相工艺在所述第一金属氧膜之上形成第二金属氧膜。
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公开(公告)号：CN113957414A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110824339.3
申请日：2021-07-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 马克·约瑟夫·萨利 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 托马斯·约瑟夫·奈斯利 , 凯尔文·陈 , 瑞加娜·杰曼尼·弗雷德 , 戴维·迈克尔·汤普森 , 苏米特·辛格·罗伊 , 马杜尔·萨尚
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/50 , B05D1/00 , H01L21/027
Abstract: 本文公开的实施方式包括使用干法沉积工艺沉积金属氧光刻胶的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：用包括第一金属前驱物蒸气和第一氧化剂蒸气的第一气相工艺在所述基板上形成第一金属氧膜；和用包括第二金属前驱物蒸气和第二氧化剂蒸气的第二气相工艺在所述第一金属氧膜之上形成第二金属氧膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110176393A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910126663.0
申请日：2019-02-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 汉宏·陈 , 凯尔文·陈 , 菲利普·艾伦·克劳斯 , 蔡泰正
IPC: H01L21/205
Abstract: 实施方式包括用于在沉积腔室中的基板上形成氮化硅膜的方法。在实施方式中，将基板顺序地暴露于一序列的处理气体，包括：卤化硅前驱物，所述卤化硅前驱物吸附到所述基板的表面上以形成吸附的卤化硅层；第一反应气体，所述第一反应气体包括N2以及Ar和He中的一种或两种；和第二反应气体，所述第二反应气体包括含氢气体以及Ar、He和N2中的一种或多种。在实施方式中，所述含氢气体包括H2(分子氢)、NH3(氨)、N2H2(二氮烯)、N2H4(肼)和HN3(叠氮化氢)中的至少一种。实施方式可以包括重复所述序列，直到获得期望厚度的所述氮化硅膜。
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公开(公告)号：CN110088875A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780077670.5
申请日：2017-11-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 处理方法包括通过以下步骤来形成包含钨或钼的间隙填充层：将具有至少一个特征在其上的基板表面依次地暴露于金属前驱物和包含氢的还原剂以在所述特征中形成所述间隙填充层，其中在所述基板表面与所述间隙填充层之间不存在成核层。
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公开(公告)号：CN101886254B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201010219968.5
申请日：2007-10-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 达斯廷·W·胡 , 胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯 , 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 , 凯尔文·陈 , 纳加拉简·雷杰戈帕兰 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉马克里史南
IPC: C23C16/455 , C23C16/448
CPC classification number: H01L21/31695 , C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/0234 , H01L21/02348 , H01L21/02351
Abstract: 本发明公开了一种用于沉积有机硅酸盐介质层的方法，所述方法通过将衬底定位在具有功率供给的电极的处理腔室中，将一种或多种氧化气体流入处理腔室，将有机硅化合物从第一大容量储存容器中以第一有机硅流速经过第一数字式液体流量计流到第一蒸发注射阀，将有机硅化合物蒸发并将该有机硅化合物和一种载气流到处理腔室中，保持第一有机硅流速以在RF功率存在下沉积初始层，将致孔剂化合物从第二大容量储存容器中以第一致孔剂流速经过第二数字式液体流量计流到第二蒸发注射阀，将致孔剂化合物蒸发并将该致孔剂化合物和一种载气流到处理腔室中，在RF功率存在下沉积一过渡层的同时，增加第一有机硅流速和第一致孔剂流速，并保持第二有机硅流速和第二致孔剂流速以在RF功率存在下沉积含有致孔剂的有机硅酸盐介质层。
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公开(公告)号：CN119768888A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380047271.X
申请日：2023-05-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿卜杜拉·扎法尔 , 凯尔文·陈 , 菲利普·艾伦·克劳斯
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文公开的实施例包括半导体处理工具。在实施例中，半导体处理工具包括等离子体源和耦接至等离子体源的腔室。在实施例中，泵耦接至腔室。在实施例中，半导体处理工具进一步包括采样线。在实施例中，采样线包括反应腔室和吸收腔室。
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