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公开(公告)号：CN114072544A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202080045902.0
申请日：2020-05-07
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 通常，本文中描述的实例涉及用于在硅锗(SiGe)表面上各向异性地外延地生长材料的方法和半导体处理系统。在一个实例中，在基板上形成硅锗表面。外延硅锗外延地生长在硅锗表面上。外延硅锗的第一生长率沿着垂直于硅锗表面的第一方向，并且外延硅锗的第二生长率沿着垂直于第一方向的第二方向。第一生长率大于第二生长率至少5倍。
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公开(公告)号：CN115516615A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180032885.1
申请日：2021-07-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿德尔·乔治·塔诺 , 舒伯特·S·楚 , 刘树坤 , 卡蒂克·布彭德拉·仙 , 朱作明 , 阿拉·莫拉迪亚 , 苏拉吉特·库马尔 , 斯里尼瓦萨·兰加帕 , 秦嘉政 , 维希瓦·库马尔·帕迪
IPC: H01L21/67 , H05B3/00 , H01L21/687 , C30B25/10
Abstract: 提供批处理腔室及在批处理腔室中使用的处理配件。处理配件包括外衬垫、内衬垫、及顶板与底板，外衬垫具有上外衬垫与下外衬垫，顶板与底板附接于内衬垫的内表面。顶板与底板和内衬垫一起形成围护件，并且在围护件内设置盒。包括隔板的盒被构造成用以在隔板上保存多个基板。内衬垫具有入口开口与出口开口，入口开口设置在内衬垫的注入侧上并且被构造成用以与处理腔室的气体注入组件流体连通，出口开口设置在内衬垫的排出侧上并且被构造成用以与处理腔室的排气组件流体连通。围护件的内表面包括被构造成用以引起在围护件内的黑体辐射的材料。
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公开(公告)号：CN119487242A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380051292.9
申请日：2023-01-17
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开关于用于沉积均匀性及处理可调性的导流结构及热屏蔽结构及相关方法。在一个实施方式中，一种用于基板处理的设备包括腔室主体，腔室主体包括处理容积。设备包括一或多个热源。设备包括导流结构，导流结构定位在处理容积中。导流结构包括一或多个第一分流器和一或多个第二分流器，一或多个第一分流器将处理容积分成多个流动水平面，一或多个第二分流器定向成与一或多个第一分流器相交并将多个流动水平面中的每个流动水平面分成多个流段。导流结构包括一或多个第三分流器，一或多个第三分流器定向成与一或多个第二分流器相交并将多个流段分成多个流动区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110678972B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201880029923.6
申请日：2018-06-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/02 , H10B41/20
Abstract: 用于形成3D‑NAND器件的方法包括使多晶Si层凹陷到间隔的氧化物层下方的某一深度。在所述间隔的氧化物层上而不是在凹陷的多晶Si层上形成衬垫。在所述衬垫上的间隙中沉积金属层以形成字线。
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公开(公告)号：CN110678972A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880029923.6
申请日：2018-06-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/02 , H01L27/11551
Abstract: 用于形成3D-NAND器件的方法包括使多晶Si层凹陷到间隔的氧化物层下方的某一深度。在所述间隔的氧化物层上而不是在凹陷的多晶Si层上形成衬垫。在所述衬垫上的间隙中沉积金属层以形成字线。
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公开(公告)号：CN116438335A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202280007004.5
申请日：2022-01-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布赖恩•海斯•伯罗斯 , 阿拉•莫拉迪亚 , 朱作明 , 秦嘉政
IPC: C30B29/36
Abstract: 提供一种用于提供在处理腔室内设置的基板的均匀加热的方法及设备。设备包括在处理腔室中设置的一或多个加热线圈。一或多个加热线圈使用加热器杆电气耦接到功率源。加热器杆耦接到与到加热线圈的连接相对的远端上的插座。插座包括穿通及经配置为从围绕加热器杆的区域移除污染物(诸如甲烷)的冷却板。
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公开(公告)号：CN113950736A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202080042756.6
申请日：2020-06-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/8234 , H01L29/10 , H01L27/088
Abstract: 本文描述的一个或多个实施方式涉及用于制造器件及结构的选择性方法。在这些实施方式中，器件暴露在处理腔室的处理空间内。前驱物气体以一定的流量比并在一定的处理条件下在处理空间中流动。本文所述的处理条件导致在对应于每个鳍片顶部的器件晶面的{100}面上的选择性的外延层生长。另外，处理条件导致对应于每个鳍片侧壁的晶面的{110}面的选择性蚀刻。因此，本文所述的方法提供了在不同晶面处生长或蚀刻外延膜的方法。此外，本文所述的方法允许在不同的晶面上同时发生外延膜生长和蚀刻。
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