公开(公告)号：CN119998938A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202380071242.7

申请日：2023-04-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 维希瓦·库马尔·帕迪 ,  卡蒂克·布彭德拉·仙 ,  阿拉·莫拉迪亚

IPC: H01L21/673

Abstract: 本公开内容涉及用于外延沉积操作中的批量处理的盒结构和相关方法。在一个实现方式中，一种被配置用于设置在基板处理腔室中的盒包括第一壁、与第一壁间隔开的第二壁以及在第一壁与第二壁之间延伸并耦接到第一壁和第二壁的一个或多个侧壁。盒包括形成在一个或多个侧壁中的一个或多个入口开口，以及形成在一个或多个侧壁中与一个或多个入口开口相对的一个或多个出口开口。盒包括多个层级，该多个层级包括安装到一个或多个侧壁并且沿着一个或多个侧壁彼此间隔开的多个基板支撑件。

公开(公告)号：CN118043494A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280064038.8

申请日：2022-09-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 维希瓦·库马尔·帕迪 ,  科林·约翰·迪金森 ,  丁克什·胡德利·索曼纳 ,  阿拉·莫拉迪亚 ,  卡蒂克·布彭德拉·仙

IPC: C23C14/54 ,  C23C14/34 ,  C23C14/56 ,  H01J37/34

Abstract: 用于沉积腔室的适配器包括：适配器主体，所述适配器主体在上侧和与所述上侧相对的下侧之间绕着中心轴纵向延伸。所述适配器主体具有绕着所述中心轴的中心开口。所述适配器主体具有径向外部分和径向内部分，所述径向外部分在所述下侧上具有连接表面，所述径向内部分在所述下侧上具有冷却剂通道和阶梯表面。所述冷却剂通道的至少一部分与所述连接表面的径向内端径向向内间隔开。所述冷却剂通道的至少所述部分在所述连接表面和所述阶梯表面之间在所述连接表面下方纵向设置。

公开(公告)号：CN115516615A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202180032885.1

申请日：2021-07-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿德尔·乔治·塔诺 ,  舒伯特·S·楚 ,  刘树坤 ,  卡蒂克·布彭德拉·仙 ,  朱作明 ,  阿拉·莫拉迪亚 ,  苏拉吉特·库马尔 ,  斯里尼瓦萨·兰加帕 ,  秦嘉政 ,  维希瓦·库马尔·帕迪

IPC: H01L21/67 ,  H05B3/00 ,  H01L21/687 ,  C30B25/10

Abstract: 提供批处理腔室及在批处理腔室中使用的处理配件。处理配件包括外衬垫、内衬垫、及顶板与底板，外衬垫具有上外衬垫与下外衬垫，顶板与底板附接于内衬垫的内表面。顶板与底板和内衬垫一起形成围护件，并且在围护件内设置盒。包括隔板的盒被构造成用以在隔板上保存多个基板。内衬垫具有入口开口与出口开口，入口开口设置在内衬垫的注入侧上并且被构造成用以与处理腔室的气体注入组件流体连通，出口开口设置在内衬垫的排出侧上并且被构造成用以与处理腔室的排气组件流体连通。围护件的内表面包括被构造成用以引起在围护件内的黑体辐射的材料。

公开(公告)号：CN118176573A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202280073189.X

申请日：2022-10-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 克里斯托弗·S·奥尔森 ,  卡蒂克·布彭德拉·仙 ,  柴坦尼亚·安贾内亚鲁·普拉萨德 ,  维希瓦·库马尔·帕迪 ,  阿尼尔·库马尔·博德普迪 ,  埃里卡·汉森

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开内容关于一种用于处理腔室的气体注入模块。处理腔室包括：腔室主体；可旋转的基板支撑件，其设置在腔室主体的处理容积内部，基板支撑件被配置成具有旋转自旋速率；形成于腔室主体中的入口端口；及耦接到入口端口的注入模块。注入模块包括：主体；耦接到主体的一个或多个气体入口；形成在主体的供应面中的多个喷嘴，供应面被配置成面向腔室主体的内部，并且从注入模块离开的气体被配置成具有流速；处理腔室还包括控制器，控制器被配置成操作处理腔室使得流速与旋转自旋速率的比率在约1/3和3之间。

公开(公告)号：CN117043398A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202280016987.9

申请日：2022-04-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 石川哲也 ,  斯瓦米纳坦·T·斯里尼瓦桑 ,  卡蒂克·布彭德拉·仙 ,  阿拉·莫拉迪亚 ,  曼朱纳特·苏班纳 ,  马蒂亚斯·鲍尔 ,  彼得·赖默 ,  迈克尔·R·赖斯

IPC: C30B25/10

Abstract: 本公开内容大致与用于处理半导体基板的工艺腔室相关。该工艺腔室包括：上部灯组件；下部灯组件；基板支撑件；上部窗口，设置在该基板支撑件与该上部灯组件之间；下部窗口，设置在该下部灯组件与该基板支撑件之间；喷射环；以及基部环。该上部灯组件和该下部灯组件的每一者包括垂直定向的灯孔，用于将加热灯放置在灯孔中。该喷射环包括气体喷射器，该气体喷射器被设置为通过该喷射环，并且该基部环包括基板传输通道、下部腔室排气通道和一个或多个上部腔室排气通道。这些气体喷射器设置在该基板传输通道之上，并且设置在该下部腔室排气通道和该一个或多个上部腔室排气通道对面。

公开(公告)号：CN116964257A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280015106.1

申请日：2022-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 石川哲也 ,  斯瓦米纳坦·T·斯里尼瓦桑 ,  马蒂亚斯·鲍尔 ,  阿拉·莫拉迪亚 ,  曼朱纳特·苏班纳 ,  卡蒂克·布彭德拉·仙 ,  埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 ,  苏拉布·佐凯 ,  迈克尔·R·赖斯 ,  彼得·赖默

IPC: C30B25/14

Abstract: 本公开内容大致涉及用于处理半导体基板的处理腔室的气体注射装置。该气体注射装置包括一个或多个气体注射器，该一个或多个气体注射器被配置为与该处理腔室耦接。这些气体注射器中的每一者被配置为接收处理气体并且将该处理气体分配到一个或多个气体出口。这些气体注射器包括多个路径、鳍片阵列和挡板阵列。这些气体注射器被单独加热。也利用了气体混合组件，以控制从这些气体注射器中的每一者流动到处理容积中的处理气体的浓度。该气体混合组件使处理气体的浓度以及流率能够被控制。

公开(公告)号：CN116529429A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202280007026.1

申请日：2022-01-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘树坤 ,  布赖恩·海斯·伯罗斯 ,  叶祉渊 ,  理查德·O·柯林斯 ,  朱恩乐 ,  丹尼·D·王 ,  沙尼什·奈利卡 ,  中川敏之 ,  阿布舍克·杜贝 ,  阿拉·莫拉迪亚 ,  卡蒂克·布彭德拉·仙

IPC: C30B25/08

Abstract: 本文描述了一种处理腔室，该处理腔室包括腔室主体，此腔室主体具有设置在底板上方的顶板，其中底盘和注入器环设置在该顶板与该底板之间。上下夹环分别将上部和底板固定到位。上加热模块耦接至顶板上的上夹环。下加热模块耦接至底板下方的下夹环。

公开(公告)号：CN115485822A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180032252.0

申请日：2021-07-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 卡蒂克·布彭德拉·仙 ,  舒伯特·S·楚 ,  阿德尔·乔治·塔诺 ,  阿拉·莫拉迪亚 ,  尼欧·O·谬 ,  苏拉吉特·库马尔 ,  朱作明 ,  布赖恩·海斯·伯罗斯 ,  维希瓦·库马尔·帕迪 ,  刘树坤 ,  斯里尼瓦萨·兰加帕

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H05B3/00

Abstract: 一种用于处理腔室中的处理套组，该处理套组包括：外衬套；内衬套，被配置为与处理腔室的气体注入组件及气体排放组件流体连通；第一环形反射器，设置在该外衬套与该内衬套之间；顶板及底板，附接于该内衬套的内表面，该顶板及底板与内衬套一起形成外壳；盒匣，设置在外壳之内，该盒匣包含被配置为在其上保持多个基板的多个搁架；及边缘温度校正元件，设置在该内衬套与第一环形反射器之间。