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公开(公告)号：CN118302844A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202280077662.1
申请日：2022-11-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科斯蒂安蒂·阿奇卡索夫 , 彼得·赖默 , 肖恩·天山·勒 , 苏拉布·佐凯
Abstract: 用于半导体处理腔室的示例性诊断晶片可包括限定多个凹槽的晶片主体。所述诊断晶片可包括可定位在多个凹槽内的一者内的至少一个数据记录圆盘。所述诊断晶片可包括可定位在多个凹槽内的一者内的至少一个电池圆盘。所述诊断晶片可包括可定位在多个凹槽内的一者内的至少一个传感器圆盘。
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公开(公告)号：CN116783336A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202280012498.6
申请日：2022-04-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 石川哲也 , 斯瓦米纳坦•T•斯里尼瓦桑 , 马蒂亚斯·鲍尔 , 曼朱纳特•苏班纳 , 阿拉•莫拉迪亚 , 卡蒂克•布彭德拉•仙 , 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 迈克尔·R·赖斯 , 彼得·赖默 , 马克·舒尔
IPC: C30B25/14
Abstract: 本文所述的实施方式包括与外延沉积相关的工艺和装置。提供了一种用于外延地沉积材料的方法，该方法包括：将基板定位在腔室主体的工艺容积内的承载器的基板支撑表面上，其中该工艺容积包含上部腔室区域和下部腔室区域。该方法包括：使含有一种或多种化学前驱物的工艺气体从在该腔室主体的第一侧的上部气体入口流过该基板，并且流动到在该腔室主体的第二侧的上部气体出口；使净化气体从在该腔室主体的该第一侧的下部气体入口流过所述承载器的该下表面，并且流动到在该腔室主体的该第二侧的下部气体出口；以及将该下部腔室区域的压力维持为大于该上部腔室区域的压力。
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公开(公告)号：CN1272550C
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN01820836.3
申请日：2001-12-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: F04D19/04
CPC classification number: F01D1/36 , F04D19/042
Abstract: 一方面，本发明提供了一种包括真空处理腔和被放置在真空处理腔上的涡轮分子泵的真空处理系统。涡轮分子泵包括具有进气口和出气口的壳体、被设置于壳体内壁的定子、被设置于定子内的转子以及与转子共轴设置的马达，其中至少泵的第一级被扩大，而且除了相应的外壳上部之外泵的其它部件没有相应扩大。
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公开(公告)号：CN118843926A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202380025673.X
申请日：2023-03-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿米尔·H·塔瓦科利 , 托尼·S·考沙尔 , 彼得·赖默 , 戴维·约根森
Abstract: 描述了涂布含金属部件的例示性方法。开发该方法是为了提高抗腐蚀性并改善涂层对金属基板的黏附力。该方法包括在金属基板上形成接合层，其中该接合层包含该金属基板中的金属的氧化物。该涂布方法进一步包括在接合层上沉积应力缓冲层，其中该应力缓冲层的特征在于应力缓冲层热膨胀系数(CTE)小于金属基板CTE和接合层CTE。该涂布方法还包括在应力缓冲层上沉积环境阻障层，其中金属基板CTE与环境阻障层CTE的比率为大于或约20:1，并且其中环境阻障层包含氧化硅。该含金属部件可在电子元件的制造装备中使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117043398A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280016987.9
申请日：2022-04-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 石川哲也 , 斯瓦米纳坦·T·斯里尼瓦桑 , 卡蒂克·布彭德拉·仙 , 阿拉·莫拉迪亚 , 曼朱纳特·苏班纳 , 马蒂亚斯·鲍尔 , 彼得·赖默 , 迈克尔·R·赖斯
IPC: C30B25/10
Abstract: 本公开内容大致与用于处理半导体基板的工艺腔室相关。该工艺腔室包括：上部灯组件；下部灯组件；基板支撑件；上部窗口，设置在该基板支撑件与该上部灯组件之间；下部窗口，设置在该下部灯组件与该基板支撑件之间；喷射环；以及基部环。该上部灯组件和该下部灯组件的每一者包括垂直定向的灯孔，用于将加热灯放置在灯孔中。该喷射环包括气体喷射器，该气体喷射器被设置为通过该喷射环，并且该基部环包括基板传输通道、下部腔室排气通道和一个或多个上部腔室排气通道。这些气体喷射器设置在该基板传输通道之上，并且设置在该下部腔室排气通道和该一个或多个上部腔室排气通道对面。
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公开(公告)号：CN116964257A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280015106.1
申请日：2022-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 石川哲也 , 斯瓦米纳坦·T·斯里尼瓦桑 , 马蒂亚斯·鲍尔 , 阿拉·莫拉迪亚 , 曼朱纳特·苏班纳 , 卡蒂克·布彭德拉·仙 , 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 苏拉布·佐凯 , 迈克尔·R·赖斯 , 彼得·赖默
IPC: C30B25/14
Abstract: 本公开内容大致涉及用于处理半导体基板的处理腔室的气体注射装置。该气体注射装置包括一个或多个气体注射器，该一个或多个气体注射器被配置为与该处理腔室耦接。这些气体注射器中的每一者被配置为接收处理气体并且将该处理气体分配到一个或多个气体出口。这些气体注射器包括多个路径、鳍片阵列和挡板阵列。这些气体注射器被单独加热。也利用了气体混合组件，以控制从这些气体注射器中的每一者流动到处理容积中的处理气体的浓度。该气体混合组件使处理气体的浓度以及流率能够被控制。
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公开(公告)号：CN117083257A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202280023108.5
申请日：2022-02-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马克·舒尔 , 彼得·赖默 , 洪·P·高 , 钱德拉·V·德什潘迪
IPC: C04B41/45
Abstract: 示例沉积方法可包括将氢引入到处理腔室中，粉末设置在处理腔室的处理区域内。方法可包括在处理区域中触发第一等离子体，第一等离子体包括高能氢物种。方法可包括将粉末暴露于处理区域中的高能氢物种。方法可包括通过粉末与高能氢物种的反应来化学地还原粉末。方法可包括从处理区域去除包括未反应氢的工艺流出物。方法还可包括在处理区域内的粉末的颗粒上形成材料层。
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公开(公告)号：CN116940719A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280017051.8
申请日：2022-04-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 石川哲也 , 斯瓦米纳坦•T•斯里尼瓦桑 , 卡蒂克•布彭德拉•仙 , 阿拉•莫拉迪亚 , 曼朱纳特•苏班纳 , 马蒂亚斯·鲍尔 , 彼得·赖默 , 迈克尔·R·赖斯
IPC: C30B25/10
Abstract: 本公开内容一般涉及用于处理半导体基板的外延腔室。在一个示例中，该外延腔室具有腔室主体组件。该腔室主体组件包括下部窗口和上部窗口，其中该腔室主体组件、该下部窗口和该上部窗口包围内部空间。基座组件设置在该内部空间中。该外延腔室也具有多个温度控制元件。该多个温度控制元件包括上部灯模块、下部灯模块、上部加热器、下部加热器或加热气体通道中的一者或多者。
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公开(公告)号：CN1529794A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN01820836.3
申请日：2001-12-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: F04D19/04
CPC classification number: F01D1/36 , F04D19/042
Abstract: 一方面，本发明提供了一种包括真空处理腔和被放置在真空处理腔上的涡轮分子泵的真空处理系统。涡轮分子泵包括具有进气口和出气口的壳体、被设置于壳体内壁的定子、被设置于定子内的转子以及与转子共轴设置的马达，其中至少泵的第一级被扩大，而且除了相应的外壳上部之外泵的其它部件没有相应扩大。
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