公开(公告)号：CN104871299B

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201380068121.3

申请日：2013-11-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 约瑟夫·M·拉内什 ,  保罗·布里尔哈特 ,  乔斯·安东尼奥·马林 ,  萨瑟施·库珀奥 ,  巴拉苏布拉马尼恩·拉马钱德雷 ,  斯瓦米纳坦·T·斯里尼瓦桑 ,  穆罕默德·图格鲁利·萨米尔

IPC: H01L21/324

Abstract: 描述了一种用于处理半导体基板的方法与设备。所述设备是具有光学透明的上拱形结构与下拱形结构的处理腔室。在处理过程中，处理腔室维持真空。通过沿着处理区域外的上拱形结构流动热控制流体来热控制上拱形结构。热灯被定位成靠近下拱形结构，热传感器被设置在灯之间。灯以区域供电，控制器根据从热传感器接收的数据来调整供至各灯区的功率。

公开(公告)号：CN104871299A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201380068121.3

申请日：2013-11-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 约瑟夫·M·拉内什 ,  保罗·布里尔哈特 ,  乔斯·安东尼奥·马林 ,  萨瑟施·库珀奥 ,  巴拉苏布拉马尼恩·拉马钱德雷 ,  斯瓦米纳坦·T·斯里尼瓦桑 ,  穆罕默德·图格鲁利·萨米尔

IPC: H01L21/324

CPC classification number: C30B25/105 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  C30B25/08 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  G01J5/0007 ,  G01J5/10 ,  G01J2005/106 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/10 ,  H01L22/20

Abstract: 描述了一种用于处理半导体基板的方法与设备。所述设备是具有光学透明的上拱形结构与下拱形结构的处理腔室。在处理过程中，处理腔室维持真空。通过沿着处理区域外的上拱形结构流动热控制流体来热控制上拱形结构。热灯被定位成靠近下拱形结构，热传感器被设置在灯之间。灯以区域供电，控制器根据从热传感器接收的数据来调整供至各灯区的功率。

公开(公告)号：CN106165104B

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201580019086.5

申请日：2015-03-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 斯瓦米纳坦·T·斯里尼瓦桑 ,  法里恩·阿德尼·哈贾 ,  埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 ,  帕特里克·M·马丁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及降低异质外延生长薄膜中的位错密度，以及包括具有降低的位错密度的异质外延薄膜的装置。根据本公开内容的实施方式，高深宽比沟槽的侧壁可倾斜或具有倾角，以允许形成于高深宽比沟槽中的结晶材料中的缺陷终止于倾斜的侧壁中，所述缺陷包括沿高深宽比沟槽的长度传播的缺陷。本公开内容的实施方式可用以减少微电子应用中硅(Si)上异质外延生长中的缺陷，诸如在场效应晶体管中使用第III族‑第V族元素的高迁移率通道。

公开(公告)号：CN106537558A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580036817.7

申请日：2015-07-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 斯瓦米纳坦·T·斯里尼瓦桑 ,  阿伦·缪尔·亨特 ,  马蒂亚斯·鲍尔 ,  阿米科姆·萨德

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/46 ,  C23C16/483 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792

Abstract: 本公开内容的实施方式提供用于在基板上形成外延层的方法及装置。将基板暴露于脉冲激光辐射以清洁、退火，和/或活化基板的表面。然后在自限制沉积工艺中将基板暴露于沉积前驱物。可再次将基板暴露于脉冲激光辐射，然后在第二自限制沉积工艺中将基板暴露于第二沉积前驱物。可按需重复工艺以每次一个原子层的方式形成品质极高的外延层。

公开(公告)号：CN116435167A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202211543021.9

申请日：2016-10-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 约瑟夫·M·拉内什 ,  阿伦·缪尔·亨特 ,  斯瓦米纳坦·T·斯里尼瓦桑

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265

Abstract: 本文所公开的实施方式一般地涉及用于处理基板的底表面以抵消基板上的热应力的方法及装置。可将校正应变施加至基板的底表面，校正应变可补偿基板的顶表面上的非期望的应变及变形。可通过任意结合沉积、注入、热处理及蚀刻在基板的背侧上形成经特别设计的膜，以产生能补偿基板的非所欲变形的应变。通过局部改变氮化硅膜或碳膜的氢含量可导致局部应变。可由印刷、光刻术或自组装技术形成结构。可由期望的应力图来确定对膜的数个层的处理，且所述处理可包括退火、注入、熔融或其它热处理。

公开(公告)号：CN108352298B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201680064396.3

申请日：2016-10-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 约瑟夫·M·拉内什 ,  阿伦·缪尔·亨特 ,  斯瓦米纳坦·T·斯里尼瓦桑

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265

Abstract: 本文所公开的实施方式一般地涉及用于处理基板的底表面以抵消基板上的热应力的方法及装置。可将校正应变施加至基板的底表面，校正应变可补偿基板的顶表面上的非期望的应变及变形。可通过任意结合沉积、注入、热处理及蚀刻在基板的背侧上形成经特别设计的膜，以产生能补偿基板的非所欲变形的应变。通过局部改变氮化硅膜或碳膜的氢含量可导致局部应变。可由印刷、光刻术或自组装技术形成结构。可由期望的应力图来确定对膜的数个层的处理，且所述处理可包括退火、注入、熔融或其它热处理。

公开(公告)号：CN106165104A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580019086.5

申请日：2015-03-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 斯瓦米纳坦·T·斯里尼瓦桑 ,  法里恩·阿德尼·哈贾 ,  埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 ,  帕特里克·M·马丁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及降低异质外延生长薄膜中的位错密度，以及包括具有降低的位错密度的异质外延薄膜的装置。根据本公开内容的实施方式，高深宽比沟槽的侧壁可倾斜或具有倾角，以允许形成于高深宽比沟槽中的结晶材料中的缺陷终止于倾斜的侧壁中，所述缺陷包括沿高深宽比沟槽的长度传播的缺陷。本公开内容的实施方式可用以减少微电子应用中硅(Si)上异质外延生长中的缺陷，诸如在场效应晶体管中使用第III族‑第V族元素的高迁移率通道。

公开(公告)号：CN117043398A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202280016987.9

申请日：2022-04-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 石川哲也 ,  斯瓦米纳坦·T·斯里尼瓦桑 ,  卡蒂克·布彭德拉·仙 ,  阿拉·莫拉迪亚 ,  曼朱纳特·苏班纳 ,  马蒂亚斯·鲍尔 ,  彼得·赖默 ,  迈克尔·R·赖斯

IPC: C30B25/10

Abstract: 本公开内容大致与用于处理半导体基板的工艺腔室相关。该工艺腔室包括：上部灯组件；下部灯组件；基板支撑件；上部窗口，设置在该基板支撑件与该上部灯组件之间；下部窗口，设置在该下部灯组件与该基板支撑件之间；喷射环；以及基部环。该上部灯组件和该下部灯组件的每一者包括垂直定向的灯孔，用于将加热灯放置在灯孔中。该喷射环包括气体喷射器，该气体喷射器被设置为通过该喷射环，并且该基部环包括基板传输通道、下部腔室排气通道和一个或多个上部腔室排气通道。这些气体喷射器设置在该基板传输通道之上，并且设置在该下部腔室排气通道和该一个或多个上部腔室排气通道对面。

公开(公告)号：CN116964257A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280015106.1

申请日：2022-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 石川哲也 ,  斯瓦米纳坦·T·斯里尼瓦桑 ,  马蒂亚斯·鲍尔 ,  阿拉·莫拉迪亚 ,  曼朱纳特·苏班纳 ,  卡蒂克·布彭德拉·仙 ,  埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 ,  苏拉布·佐凯 ,  迈克尔·R·赖斯 ,  彼得·赖默

IPC: C30B25/14

Abstract: 本公开内容大致涉及用于处理半导体基板的处理腔室的气体注射装置。该气体注射装置包括一个或多个气体注射器，该一个或多个气体注射器被配置为与该处理腔室耦接。这些气体注射器中的每一者被配置为接收处理气体并且将该处理气体分配到一个或多个气体出口。这些气体注射器包括多个路径、鳍片阵列和挡板阵列。这些气体注射器被单独加热。也利用了气体混合组件，以控制从这些气体注射器中的每一者流动到处理容积中的处理气体的浓度。该气体混合组件使处理气体的浓度以及流率能够被控制。

公开(公告)号：CN108352298A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680064396.3

申请日：2016-10-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 约瑟夫·M·拉内什 ,  阿伦·缪尔·亨特 ,  斯瓦米纳坦·T·斯里尼瓦桑

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/265 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L29/32

Abstract: 本文所公开的实施方式一般地涉及用于处理基板的底表面以抵消基板上的热应力的方法及装置。可将校正应变施加至基板的底表面，校正应变可补偿基板的顶表面上的非期望的应变及变形。可通过任意结合沉积、注入、热处理及蚀刻在基板的背侧上形成经特别设计的膜，以产生能补偿基板的非所欲变形的应变。通过局部改变氮化硅膜或碳膜的氢含量可导致局部应变。可由印刷、光刻术或自组装技术形成结构。可由期望的应力图来确定对膜的数个层的处理，且所述处理可包括退火、注入、熔融或其它热处理。