公开(公告)号：CN104701179B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201410749757.0

申请日：2014-12-10

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： F.希尔勒 ,  A.毛德 ,  A.迈泽 ,  H-J.舒尔策 ,  H.韦伯 ,  M.聪德尔

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02258 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/32105 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66477

摘要： 用于形成半导体器件的方法，包括通过在半导体衬底和电解液内的外部电极之间生成吸引电场以吸引电解液的氧化离子从而引起半导体衬底的表面区的氧化，来执行半导体衬底的表面区的阳极氧化以在半导体衬底的表面处形成氧化层。此外，该方法包括在半导体衬底在电解液内的同时，减小氧化层内的剩余氧化离子的数量。

公开(公告)号：CN102789975A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210246284.3

申请日：2009-03-03

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 刘俊军 ,  多雷尔·I·托玛 ,  埃里克·M·李

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/31695 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105

摘要： 本发明用于固化多孔低介电常数电介质膜的方法，描述了固化衬底上的低介电常数(低k)电介质膜的方法，其中低k电介质膜的介电常数是小于约4的值。该方法包括将低k电介质膜暴露于红外(IR)辐射和紫外(UV)辐射。

公开(公告)号：CN102194687A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110050553.4

申请日：2011-03-01

申请人： 仙童半导体公司

发明人： 罗伯特·J.·珀特尔

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02277 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/3105

摘要： 本发明描述了半导体器件和用于制作这种器件的方法。半导体器件包含已通过应用微波能量而实现沉积和/或流动的介电层(“MW介电层”)。介电层可通过以下方式制成：在反应室中提供衬底；在反应室中使前体气体混合物(包含用于反应以形成介电材料的原子)流动；然后使气体混合物承受一定频率和功率密度的微波能量而足以使得前体气体混合物的原子发生反应和沉积以在衬底上形成介电层。而且，所述器件可通过以下方式制成：在已经沉积的介电膜上施加一定频率和功率密度的微波能量而足以使得沉积的介电材料的原子流动。使用微波能量允许使用低温处理形成介电层，从而为半导体器件提供了多种益处以及处理流程效率和低成本。还描述了其它实施例。

公开(公告)号：CN101283442A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200680037849.X

申请日：2006-04-24

申请人： 盐谷喜美

发明人： 盐谷喜美

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/3105 ,  C23C16/401 ,  C23C16/482 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67207

摘要： 本发明提供一种能够把绝缘膜改质的半导体制造装置。在照射装置中具有对绝缘膜照射光的照射机构，该光的波长在与该绝缘膜的吸收端对应的波长以上，且在为了切断与该绝缘膜的氢相关的结合基所必要的波长以下。

公开(公告)号：CN106252359B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201610742652.1

申请日：2016-08-26

申请人： 武汉华星光电技术有限公司

发明人： 谢应涛

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227 ,  G02F2202/10 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/441 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： 本发明公开了一种阵列基板及液晶显示面板，该阵列基板包括：在氧化物半导体材料层形成后，在射频照射下、并在压缩空气中进行退火中形成钝化层或栅极绝缘层。通过上述方式，本发明能够多个调节氧化物薄膜晶体管的阈值电压之间的差异，并进而为减少氧化物半导体TFT阈值电压的漂移，实现均匀的显示效果提供技术基础。

公开(公告)号：CN103890919B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201280050753.2

申请日：2012-05-08

申请人： 新电元工业株式会社

发明人： 六鎗広野 ,  伊东浩二 ,  小笠原淳 ,  伊藤一彦

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L23/291 ,  C03C3/093 ,  C03C8/04 ,  C03C8/24 ,  C03C2207/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/56 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3185 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体接合保护用玻璃复合物，至少含有SiO2，B2O3，Al2O3，ZnO，以及含有CaO、MgO和BaO中至少两种碱土金属氧化物，且实质上不含有Pb，As，Sb，Li，Na，K，并且在50℃～550℃的温度范围中的平均线膨胀系数在3.33×10-6～4.13×10-6的范围内。根据本发明中的半导体接合保护用玻璃复合物，使用不含铅的玻璃材料也可以制造出与以往使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料时同样高耐压的半导体装置。

公开(公告)号：CN102446741B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110309216.2

申请日：2011-09-30

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 山本克彦 ,  竹林雄二 ,  斋藤达之 ,  奥野正久

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/67115 ,  C23C16/405 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02345 ,  H01L28/40

摘要： 本公开的一些实施方式提供了半导体器件制造方法、衬底处理装置和半导体器件。一种半导体器件制造方法，包括：将衬底加载到处理室中，在该衬底上形成了高k膜；通过在衬底上辐射微波而加热高k膜；以及从处理室卸载该衬底。

公开(公告)号：CN103620748A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280022389.9

申请日：2012-02-24

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 叶俊呈 ,  郭德超 ,  蔡明 ,  P·库尔卡尼

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823412 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： 一种形成半导体结构的方法包括：在设置于衬底之上的一个或多个部分完成的场效应晶体管（FET）器件之上形成应力诱导层，所述一个或多个部分完成的FET器件包括牺牲伪栅极结构；对所述应力诱导层进行平面化并且去除所述牺牲伪栅极结构；以及在对所述应力诱导层进行平面化并且去除所述牺牲伪栅极结构之后，进行对所述应力诱导层的紫外（UV）固化，以增强由所述应力诱导层最初施加在所述一个或多个部分完成的FET器件的沟道区上的应力的值。

公开(公告)号：CN102446741A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110309216.2

申请日：2011-09-30

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 山本克彦 ,  竹林雄二 ,  斋藤达之 ,  奥野正久

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/67115 ,  C23C16/405 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02345 ,  H01L28/40

摘要： 本公开的一些实施方式提供了半导体器件制造方法、衬底处理装置和半导体器件。一种半导体器件制造方法，包括：将衬底加载到处理室中，在该衬底上形成了高k膜；通过在衬底上辐射微波而加热高k膜；以及从处理室卸载该衬底。

公开(公告)号：CN1211842C

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN00811421.8

申请日：2000-06-07

申请人： 联合讯号公司

发明人： H·-J·吴

IPC分类号： H01L21/312 ,  B05D3/06 ,  B05D5/12 ,  C08L83/16 ,  C09D183/16

CPC分类号： H01L21/02126 ,  B05D3/06 ,  B05D5/12 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/3121

摘要： 聚有机硅电介质涂敷材料是通过将特定的聚碳硅烷接受加热或高能量处理产生具有低k介电性质的交联聚有机硅涂料来制备的。加热过程包括多阶段依次提高温度的加热步骤。所制备的聚有机硅聚合物能够用作电介质互连材料和膜涂层，用于半导体器件中导电布线。这些聚有机硅膜涂层还具有相对热稳定性和对基片表面的优异粘合性的附加特性。