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公开(公告)号:CN101283442A
公开(公告)日:2008-10-08
申请号:CN200680037849.X
申请日:2006-04-24
申请人: 盐谷喜美
发明人: 盐谷喜美
IPC分类号: H01L21/31 , H01L21/316
CPC分类号: H01L21/3105 , C23C16/401 , C23C16/482 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02181 , H01L21/02345 , H01L21/02348 , H01L21/31633 , H01L21/3185 , H01L21/67115 , H01L21/67207
摘要: 本发明提供一种能够把绝缘膜改质的半导体制造装置。在照射装置中具有对绝缘膜照射光的照射机构,该光的波长在与该绝缘膜的吸收端对应的波长以上,且在为了切断与该绝缘膜的氢相关的结合基所必要的波长以下。