公开(公告)号：CN103582930A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201280018022.X

申请日：2012-03-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  B·多里斯 ,  A·卡基菲鲁兹 ,  P·库尔卡尼

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/0603 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78

Abstract: 公开了具有凹陷沟道和突变结的MOSFET和用于制造该MOSFET的方法。所述方法包括在虚设栅极处于适当位置时制造源极和漏极延伸。所述源极/漏极延伸与硅衬底产生扩散结。所述方法包括除去所述虚设栅极以及在所述硅衬底中蚀刻凹陷。所述凹陷与所述源极和漏极结的至少一部分相交。然后，通过生长硅膜以至少部分填充所述凹陷而形成沟道。所述沟道与源极和漏极具有陡峭结，而保留在沟道下方的未被蚀刻的硅具有与源极和漏极的扩散结。由此，可以产生在同一晶体管中具有两个结区（陡峭和扩散）的MOSFET。

公开(公告)号：CN103582930B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201280018022.X

申请日：2012-03-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  B·多里斯 ,  A·卡基菲鲁兹 ,  P·库尔卡尼

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/0603 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78

Abstract: 公开了具有凹陷沟道和突变结的MOSFET和用于制造该MOSFET的方法。所述方法包括在虚设栅极处于适当位置时制造源极和漏极延伸。所述源极/漏极延伸与硅衬底产生扩散结。所述方法包括除去所述虚设栅极以及在所述硅衬底中蚀刻凹陷。所述凹陷与所述源极和漏极结的至少一部分相交。然后，通过生长硅膜以至少部分填充所述凹陷而形成沟道。所述沟道与源极和漏极具有陡峭结，而保留在沟道下方的未被蚀刻的硅具有与源极和漏极的扩散结。由此，可以产生在同一晶体管中具有两个结区（陡峭和扩散）的MOSFET。

公开(公告)号：CN103283016B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180064247.4

申请日：2011-12-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： W·E-A·汉施 ,  P·库尔卡尼 ,  山下典洪

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/845 ,  H01L27/1211

Abstract: 形成包括第一和至少第二鳍片结构的结构。所述第一和至少第二鳍片结构中的每一者具有垂直定向的半导体主体。所述垂直定向的半导体主体由垂直表面构成。位于所述第一和至少第二鳍片结构中的每一者中的掺杂区由位于所述半导体主体中用以形成第一电阻器和至少第二电阻器的浓度的掺杂剂离子构成，以及一对合并鳍片形成在所述第一和至少第二鳍片结构的所述掺杂区的外部部分上。所述一对合并鳍片被电连接，以便所述第一和至少第二电阻器相互并联电连接。

公开(公告)号：CN103620748A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280022389.9

申请日：2012-02-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 叶俊呈 ,  郭德超 ,  蔡明 ,  P·库尔卡尼

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

Abstract: 一种形成半导体结构的方法包括：在设置于衬底之上的一个或多个部分完成的场效应晶体管（FET）器件之上形成应力诱导层，所述一个或多个部分完成的FET器件包括牺牲伪栅极结构；对所述应力诱导层进行平面化并且去除所述牺牲伪栅极结构；以及在对所述应力诱导层进行平面化并且去除所述牺牲伪栅极结构之后，进行对所述应力诱导层的紫外（UV）固化，以增强由所述应力诱导层最初施加在所述一个或多个部分完成的FET器件的沟道区上的应力的值。

公开(公告)号：CN103283016A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201180064247.4

申请日：2011-12-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： W·E-A·汉施 ,  P·库尔卡尼 ,  山下典洪

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/845 ,  H01L27/1211

Abstract: 形成包括第一和至少第二鳍片结构的结构。所述第一和至少第二鳍片结构中的每一者具有垂直定向的半导体主体。所述垂直定向的半导体主体由垂直表面构成。位于所述第一和至少第二鳍片结构中的每一者中的掺杂区由位于所述半导体主体中用以形成第一电阻器和至少第二电阻器的浓度的掺杂剂离子构成，以及一对合并鳍片形成在所述第一和至少第二鳍片结构的所述掺杂区的外部部分上。所述一对合并鳍片被电连接，以便所述第一和至少第二电阻器相互并联电连接。

公开(公告)号：CN103620748B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201280022389.9

申请日：2012-02-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 叶俊呈 ,  郭德超 ,  蔡明 ,  P·库尔卡尼

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

Abstract: 一种形成半导体结构的方法包括：在设置于衬底之上的一个或多个部分完成的场效应晶体管（FET）器件之上形成应力诱导层，所述一个或多个部分完成的FET器件包括牺牲伪栅极结构；对所述应力诱导层进行平面化并且去除所述牺牲伪栅极结构；以及在对所述应力诱导层进行平面化并且去除所述牺牲伪栅极结构之后，进行对所述应力诱导层的紫外（UV）固化，以增强由所述应力诱导层最初施加在所述一个或多个部分完成的FET器件的沟道区上的应力的值。