公开(公告)号：CN104701179B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201410749757.0

申请日：2014-12-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.希尔勒 ,  A.毛德 ,  A.迈泽 ,  H-J.舒尔策 ,  H.韦伯 ,  M.聪德尔

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02258 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/32105 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66477

Abstract: 用于形成半导体器件的方法，包括通过在半导体衬底和电解液内的外部电极之间生成吸引电场以吸引电解液的氧化离子从而引起半导体衬底的表面区的氧化，来执行半导体衬底的表面区的阳极氧化以在半导体衬底的表面处形成氧化层。此外，该方法包括在半导体衬底在电解液内的同时，减小氧化层内的剩余氧化离子的数量。

公开(公告)号：CN104701180B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201410749770.6

申请日：2014-12-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.希尔勒 ,  A.毛德 ,  A.迈泽 ,  H-J.舒尔策 ,  H.韦伯 ,  M.聪德尔

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/402 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/861

Abstract: 用于形成半导体器件的方法，包括在半导体衬底的主表面处形成电气结构并且执行对半导体衬底的背侧表面的背侧表面区的阳极氧化，以在半导体衬底的背侧表面处形成氧化层。

公开(公告)号：CN104701147B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201410727433.7

申请日：2014-12-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W.彦切尔 ,  H-J.舒尔策 ,  W.舒施特雷德 ,  H.施特拉克 ,  H.韦伯

IPC: H01L21/26 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L21/263 ,  H01L21/324 ,  H01L22/14 ,  H01L22/34 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明涉及包括质子辐照的制造半导体器件的方法和包括电荷补偿结构的半导体器件。一种制造半导体器件的方法包括在半导体衬底中形成电荷补偿器件结构。所述方法还包括测量涉及电荷补偿器件的电特性的值。基于测量值调整质子辐照和退火参数中的至少一个。基于经调整的质子辐照和退火参数中的所述至少一个，利用质子辐照半导体衬底，并且此后对半导体衬底退火。

公开(公告)号：CN105870162A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610078275.6

申请日：2016-02-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W.扬切尔 ,  R.鲁普 ,  H-J.舒尔策 ,  W.舒斯特雷德 ,  H.韦伯

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明涉及基于SiC的超结半导体器件。提出了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体主体，该半导体主体包括显示出小于硅的相应掺杂剂扩散系数的掺杂剂扩散系数的半导体主体材料；至少一个第一半导体区，该至少一个第一半导体区用第一导电性类型的掺杂剂掺杂，并且显示出沿着延伸方向延伸到半导体主体中的圆柱形状，其中至少一个第一半导体区的分别宽度沿着所述延伸方向连续地增加；包含在半导体主体中的至少一个第二半导体区，该至少一个第二半导体区邻近于至少一个第一半导体区布置，并且用与第一导电性类型互补的第二导电性类型的掺杂剂掺杂。

公开(公告)号：CN104701180A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410749770.6

申请日：2014-12-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.希尔勒 ,  A.毛德 ,  A.迈泽 ,  H-J.舒尔策 ,  H.韦伯 ,  M.聪德尔

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/402 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/861

Abstract: 用于形成半导体器件的方法，包括在半导体衬底的主表面处形成电气结构并且执行对半导体衬底的背侧表面的背侧表面区的阳极氧化，以在半导体衬底的背侧表面处形成氧化层。

公开(公告)号：CN104701179A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410749757.0

申请日：2014-12-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.希尔勒 ,  A.毛德 ,  A.迈泽 ,  H-J.舒尔策 ,  H.韦伯 ,  M.聪德尔

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02258 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/32105 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66477

Abstract: 用于形成半导体器件的方法，包括通过在半导体衬底和电解液内的外部电极之间生成吸引电场以吸引电解液的氧化离子从而引起半导体衬底的表面区的氧化，来执行半导体衬底的表面区的阳极氧化以在半导体衬底的表面处形成氧化层。此外，该方法包括在半导体衬底在电解液内的同时，减小氧化层内的剩余氧化离子的数量。

公开(公告)号：CN104701147A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410727433.7

申请日：2014-12-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W.彦切尔 ,  H-J.舒尔策 ,  W.舒施特雷德 ,  H.施特拉克 ,  H.韦伯

IPC: H01L21/26 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L21/263 ,  H01L21/324 ,  H01L22/14 ,  H01L22/34 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明涉及包括质子辐照的制造半导体器件的方法和包括电荷补偿结构的半导体器件。一种制造半导体器件的方法包括在半导体衬底中形成电荷补偿器件结构。所述方法还包括测量涉及电荷补偿器件的电特性的值。基于测量值调整质子辐照和退火参数中的至少一个。基于经调整的质子辐照和退火参数中的所述至少一个，利用质子辐照半导体衬底，并且此后对半导体衬底退火。