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公开(公告)号：CN102789975B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201210246284.3
申请日：2009-03-03
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/3105
CPC分类号： H01L21/31695 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02271 , H01L21/02345 , H01L21/02348 , H01L21/3105
摘要： 本发明用于固化多孔低介电常数电介质膜的方法，描述了固化衬底上的低介电常数(低k)电介质膜的方法，其中低k电介质膜的介电常数是小于约4的值。该方法包括将低k电介质膜暴露于红外(IR)辐射和紫外(UV)辐射。
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公开(公告)号：CN103489813A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310341426.9
申请日：2006-10-06
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02348 , B05D3/062 , H01L21/67034 , H01L21/67115 , H01L21/67207
摘要： 一种用于使电介质膜固化的多步系统和方法，其中该系统包括被配置成用于减少电介质膜中的污染物(例如水分)的量的干燥系统。该系统还包括与干燥系统耦合的固化系统，该固化系统被配置成通过紫外(UV)辐射和红外(IR)辐射处理电介质膜来固化该电介质膜。
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公开(公告)号：CN101960556B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200980107844.3
申请日：2009-03-03
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00
摘要： 本发明描述了固化衬底上的低介电常数(低k)电介质膜的方法，其中低k电介质膜的介电常数是小于约4的值。该方法包括将低k电介质膜暴露于红外(IR)辐射和紫外(UV)辐射。
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公开(公告)号：CN101816059B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200880107034.3
申请日：2008-09-12
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/3105 , H01L21/31058
摘要： 描述了一种用于使衬底上的低介电常数(low-k)介电膜固化的方法，其中，low-k介电膜的介电常数比约4的值更低。所述方法包括将low-k介电膜暴露于紫外线(UV)辐射。在UV暴露之后，将介电膜暴露于IR辐射。
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公开(公告)号：CN102159330B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN200980136347.6
申请日：2009-09-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L21/2686 , H01L21/67115 , H01L21/67184 , H01L21/67207
摘要： 一种用于固化衬底上的低介电常数(低k)电介质膜的系统，其中，低k电介质膜的介电常数小于约4的值。该系统包括一个或多个处理模块，所述处理模块构造为将低k电介质膜暴露于电磁(EM)辐射，例如红外(IR)辐射和紫外(UV)辐射。
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公开(公告)号：CN102789975A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210246284.3
申请日：2009-03-03
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/3105
CPC分类号： H01L21/31695 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02271 , H01L21/02345 , H01L21/02348 , H01L21/3105
摘要： 本发明用于固化多孔低介电常数电介质膜的方法，描述了固化衬底上的低介电常数(低k)电介质膜的方法，其中低k电介质膜的介电常数是小于约4的值。该方法包括将低k电介质膜暴露于红外(IR)辐射和紫外(UV)辐射。
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公开(公告)号：CN101828249B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200880112231.4
申请日：2008-10-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L23/5222 , H01L21/67115 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 描述了一种用于在衬底上形成气隙结构的方法和系统。该方法包括在衬底上形成牺牲层，其中该牺牲层包括在约350摄氏度以上的热分解温度下热分解的可分解材料。其后，在小于牺牲层的热分解温度的衬底温度下，在牺牲层上形成盖层。通过执行衬底的第一次紫外(UV)辐射曝光并且将衬底加热到小于牺牲层的热分解温度的第一温度，来使得牺牲层分解，并且经由盖层移除经分解的牺牲层。通过执行衬底的第二次UV辐射曝光并且将衬底加热到大于第一温度的第二温度，来将盖层硬化而使得盖层交联。
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公开(公告)号：CN101828249A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200880112231.4
申请日：2008-10-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L23/5222 , H01L21/67115 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 描述了一种用于在衬底上形成气隙结构的方法和系统。该方法包括在衬底上形成牺牲层，其中该牺牲层包括在约350摄氏度以上的热分解温度下热分解的可分解材料。其后，在小于牺牲层的热分解温度的衬底温度下，在牺牲层上形成盖层。通过执行衬底的第一次紫外(UV)辐射曝光并且将衬底加热到小于牺牲层的热分解温度的第一温度，来使得牺牲层分解，并且经由盖层移除经分解的牺牲层。通过执行衬底的第二次UV辐射曝光并且将衬底加热到大于第一温度的第二温度，来将盖层硬化而使得盖层交联。
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公开(公告)号：CN101517708A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200680050790.8
申请日：2006-10-06
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/02348 , B05D3/062 , H01L21/67034 , H01L21/67115 , H01L21/67207
摘要： 一种用于使电介质膜固化的多步系统和方法，其中该系统包括被配置成用于减少电介质膜中的污染物(例如水分)的量的干燥系统。该系统还包括与干燥系统耦合的固化系统，该固化系统被配置成通过紫外(UV)辐射和红外(IR)辐射处理电介质膜来固化该电介质膜。
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公开(公告)号：CN102159330A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980136347.6
申请日：2009-09-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L21/2686 , H01L21/67115 , H01L21/67184 , H01L21/67207
摘要： 一种用于固化衬底上的低介电常数(低k)电介质膜的系统，其中，低k电介质膜的介电常数小于约4的值。该系统包括一个或多个处理模块，所述处理模块构造为将低k电介质膜暴露于电磁(EM)辐射，例如红外(IR)辐射和紫外(UV)辐射。
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