Invention Grant
CN101828249B 形成气隙结构的方法和系统
失效 - 权利终止
- Patent Title: 形成气隙结构的方法和系统
- Patent Title (English): Method and system for forming an air gap structure
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Application No.: CN200880112231.4Application Date: 2008-10-14
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Publication No.: CN101828249BPublication Date: 2012-05-23
- Inventor: 刘俊军 , 多雷尔·I·托玛
- Applicant: 东京毅力科创株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 东京毅力科创株式会社
- Current Assignee: 东京毅力科创株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
- Agent 王安武; 南霆
- Priority: 11/874,461 2007.10.18 US
- International Application: PCT/US2008/079877 2008.10.14
- International Announcement: WO2009/052117 EN 2009.04.23
- Date entered country: 2010-04-19
- Main IPC: H01L21/00
- IPC: H01L21/00 ; H01L23/52

Abstract:
描述了一种用于在衬底上形成气隙结构的方法和系统。该方法包括在衬底上形成牺牲层,其中该牺牲层包括在约350摄氏度以上的热分解温度下热分解的可分解材料。其后,在小于牺牲层的热分解温度的衬底温度下,在牺牲层上形成盖层。通过执行衬底的第一次紫外(UV)辐射曝光并且将衬底加热到小于牺牲层的热分解温度的第一温度,来使得牺牲层分解,并且经由盖层移除经分解的牺牲层。通过执行衬底的第二次UV辐射曝光并且将衬底加热到大于第一温度的第二温度,来将盖层硬化而使得盖层交联。
Public/Granted literature
- CN101828249A 形成气隙结构的方法和系统 Public/Granted day:2010-09-08
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IPC分类: