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发明授权
CN103890919B 半导体接合保护用玻璃复合物、半导体装置的制造方法以及半导体装置 有权

半导体接合保护用玻璃复合物、半导体装置的制造方法以及半导体装置
摘要：
一种半导体接合保护用玻璃复合物，至少含有SiO2，B2O3，Al2O3，ZnO，以及含有CaO、MgO和BaO中至少两种碱土金属氧化物，且实质上不含有Pb，As，Sb，Li，Na，K，并且在50℃～550℃的温度范围中的平均线膨胀系数在3.33×10-6～4.13×10-6的范围内。根据本发明中的半导体接合保护用玻璃复合物，使用不含铅的玻璃材料也可以制造出与以往使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料时同样高耐压的半导体装置。
摘要（英）：

Provided is a glass composition for protecting a semiconductor junction which contains at least SiO 2 , B 2 O 3 , Al 2 O 3 , ZnO and at least two oxides of alkaline earth metals selected from a group consisting of CaO, MgO and BaO, and substantially contains none of Pb, As, Sb, Li, Na and K, wherein an average linear expansion coefficient within a temperature range of 50°C to 550°C falls within a range of 3.33×10 -6 to 4.13×10 -6 . A semiconductor device having high breakdown strength can be manufactured using such a glass material containing no lead in the same manner as a conventional case where "a glass material containing lead silicate as a main component" is used.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314 ......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）
H01L21/316 .......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层
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