公开(公告)号：CN107818925A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710606084.7

申请日：2017-07-24

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 伊藤祯朗

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H05B3/0047 ,  G01J5/0007 ,  G01J5/041 ,  G01J5/0865 ,  G01J5/602 ,  G01J2005/0055 ,  G01J2005/604 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68707 ,  H05B1/0233 ,  H05B3/009

Abstract: 一种热处理装置，即使在吸收红外光的处理气体的环境中，也能够准确地测量基板温度。在对半导体晶片进行热处理的室内形成氨气环境，该氨气吸收与辐射温度计(120)的测量波长区域重叠的波长区域的红外光。通过在辐射温度计(120)的光学透镜系统(21)和检测器(23)之间设置滤光片(22)来排除氨气吸收红外光带来的影响，该滤光片(22)有选择地使不与氨气吸收的波长区域重叠的波长的红外光透过。此外，从表示向辐射温度计(120)入射的红外光的能量和黑体的温度之间的相关关系的多个变换表(26)中，选择与设置的滤光片(22)对应的变换表(26)供辐射温度计(120)使用。由此，不管是否处于氨气环境，都能准确地测量半导体晶片(W)的温度。

公开(公告)号：CN104395998B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201380033996.X

申请日：2013-06-21

Applicant: 威科仪器有限公司

Inventor： 亚历山大·I·居拉瑞 ,  M·别洛乌索夫 ,  G·塔斯

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02

CPC classification number: G01J5/0007 ,  G01J5/02 ,  G01J5/602

Abstract: 一种用于晶圆处理反应器例如化学气相沉积反应器(10)的原位温度测量的方法，优选地包括下列步骤，加热所述反应器直到所述反应器达到晶圆处理温度，并且在所述反应器内绕旋转轴一步包括，当所述晶圆支撑元件(40)绕所述旋转轴(42)转动时，利用第一工作高温计(71)接收来自于所述晶圆支撑元件的第一部分的辐射，获得第一工作温度测量值，并且利用晶圆温度测量器件(80)接收来自至少一个晶圆(46)的辐射，获得第一晶圆温度测量值，所述晶圆温度测量器件位于第一工作位置(A)。(42)旋转晶圆支撑元件(40)。所述方法优选地进

公开(公告)号：CN104697645A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201310651743.0

申请日：2013-12-05

Applicant: 北京智朗芯光科技有限公司

Inventor： 严冬 ,  李成敏 ,  王林梓 ,  刘健鹏 ,  叶龙茂

IPC: G01J5/52

CPC classification number: G01J5/58 ,  G01J5/0007 ,  G01J5/0896 ,  G01J2005/0048 ,  G01J2005/0059

Abstract: 本发明公开了一种在线实时检测外延片温度的装置及方法，属于半导体检测技术领域。该装置包括MOCVD反应腔、光源、分束器、参考光探测器、反射光探测器和数据采集单元。该方法以该装置为基础，能够得到针对外延片的反应腔窗口镀膜引起的热辐射衰减因子和反应腔窗口镀膜引起的反射率衰减因子。该装置及方法能够消除反应腔窗口镀膜对在线实时温度检测值造成的影响、提高在线实时温度检测值准确度。

公开(公告)号：CN103968951A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410043522.X

申请日：2014-01-29

Applicant: AP系统股份有限公司

Inventor： 池尙炫

IPC: G01J5/00

CPC classification number: G01J5/522 ,  G01J5/0007 ,  G01J5/0887

Abstract: 本发明揭示一种校准设备，其用于除去高温计的测量偏差，且更特定来说，涉及一种用于校准高温计的设备，其校准参考值用以除去在高温计中测得的温度中的偏差。所述用于校准高温计的设备包含：黑体，其包含辐射空间，辐射能量从所述辐射空间辐射；主体外壳，其经配置以在其中接纳所述黑体，且包含光输出壁，所述光输出壁具有与所述辐射空间连接的光输出端口；光输出壁保护盖，其经配置以与所述主体外壳的所述光输出壁耦合，用以界定将所述主体外壳的所述光输出壁与外部环境进行连接的通道；以及固定部件，其经配置以将所述光输出壁保护盖固定到所述主体外壳的所述光输出壁。

公开(公告)号：CN103502783A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201180067946.4

申请日：2011-12-22

Applicant: 维易科仪器公司

Inventor： 亚历山大·I·古瑞丽 ,  瓦迪姆·博古斯拉夫斯基 ,  桑迪普·克里希南 ,  马修·金

IPC: G01J5/00

CPC classification number: G01J5/0003 ,  G01J5/0007 ,  G01J2005/0048

Abstract: 一种用于晶圆处理反应器(例如CVD反应器12)的原位高温计校准的方法，包括步骤：将校准高温计80定位在第一校准位置A并且加热反应器直至反应器达到高温计校准温度。所述方法期望地包括绕旋转轴42旋转支撑元件40，并且通过绕旋转轴旋转支撑元件从而从安装在第一操作位置1R处的第一操作高温计71获得第一操作温度测量结果，并且从而校准高温计80获得第一校准温度测量结果。校准高温计80和第一操作高温计71期望地用于接收来自晶圆支撑元件40的与晶圆支撑元件的旋转轴相距第一径向距离D1的第一部分的辐射。

公开(公告)号：CN102301196A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080005656.2

申请日：2010-01-27

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 吉元刚 ,  山根克己 ,  大野哲宏 ,  沟口贵浩

IPC: F27D21/00 ,  F27D19/00 ,  G01K1/16 ,  H05B3/00

CPC classification number: F27D19/00 ,  F27B5/04 ,  F27B17/0016 ,  F27D11/12 ,  F27D21/0014 ,  G01J5/0007 ,  G01J5/02 ,  G01J5/025 ,  G01J5/04 ,  G01J5/045 ,  G01J5/061 ,  G01J5/08 ,  G01J5/0893 ,  G01J5/12

Abstract: 提供一种控制大型的被加热对象基板的温度的技术。在加热室（6）的内部，在辐射加热机构（14）和被加热对象基板（12）对置的区域的侧方配置有温度检测装置（20）。加热装置（2）具有加热室（6）、辐射加热机构（14）、电源装置（25）、基板保持装置（11）、控制装置（15）和温度检测装置（20）。在控制装置（15）中内置有控制程序，通过控制程序控制电源装置（25）对辐射加热机构（14）的投入电力，使其发热，以使由温度检测装置（20）具有的热电偶（21）检测到的温度测量用基板（22）的温度成为设定温度。此外，在温度检测装置（20）中紧贴配置有循环路径（23），如果通过冷却装置（29）使冷媒流到循环路径（23）中，则能够将温度测量用基板（22）的温度从设定温度冷却到初始温度。

公开(公告)号：CN102066888A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200980123845.7

申请日：2009-06-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马修·芬顿·戴维斯

IPC: G01J5/08 ,  G01K1/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01J5/0003 ,  G01J5/0007

Abstract: 本发明提出一种用以在制程期间测量温度的方法与设备。在实施例中，本发明提供一种用以在蚀刻制程期间测量衬底温度的设备，该设备包含：腔室主体；腔室盖，其封闭该腔室主体；以及衬底支撑组件。多个窗口形成在该衬底支撑组件的衬底支撑表面中。信号产生器经由该衬底支撑组件光学地耦接到这些窗口。传感器设置在该衬底支撑组件上方，并对齐以接收来自该信号产生器而穿透至少一个窗口的能量，其中该传感器被配置以检测可表明穿透率的度量。

公开(公告)号：CN101512744A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780032373.5

申请日：2007-06-29

Applicant: 马特森技术公司

Inventor： 保罗·J·蒂曼斯

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01K15/00 ,  G01J5/0007 ,  G01J5/0806 ,  G01J5/0831 ,  G01J5/0846 ,  G01K11/125

Abstract: 本发明提供了用于晶片温度测量和温度测量器件校准的方法和装置，它们可基于对半导体晶片中层的吸收的确定而实现。所述吸收的确定可通过朝晶片引导光并测量从光所入射的表面下被晶片反射的光而实现。校准晶片和测量系统可布置和构造成使得以相对晶片表面预定角度反射的光被测量，而其它光不会。测量还可基于评价晶片中或晶片上的图案的像的对比度。其它测量法可采用确定晶片内光程长度以及根据反射或透射光的温度测量。

公开(公告)号：CN108955889A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710625449.0

申请日：2017-07-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 塞缪尔·C·豪厄尔斯

IPC: G01J5/00

CPC classification number: G01J5/0828 ,  G01J3/18 ,  G01J5/0007 ,  G01J5/041 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  G01J5/00

Abstract: 一种处理基板的装置和方法包括：探测器歧管，所述探测器歧管用以探测来自腔室主体中的处理区附近的辐射；辐射探测器，所述辐射探测器光耦合至所述探测器歧管；和光谱多陷波滤波器。处理基板的装置和方法包括：探测来自腔室主体中的基板的发射表面的透射辐射；将所探测的辐射的至少一个光谱带传递至光探测器；以及分析在至少一个光谱带中的所探测的辐射以确定基板的推断温度。

公开(公告)号：CN103968952B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410043567.7

申请日：2014-01-29

Applicant: AP系统股份有限公司

Inventor： 池尙炫

IPC: G01J5/00

CPC classification number: G01J5/522 ,  G01J5/0007 ,  G01J5/0893

Abstract: 本发明揭示一种校准设备，其用于除去高温计的测量偏差，且更特定来说涉及一种用于校准高温计的设备，其校准参考值以便除去在高温计中测得的温度中的偏差。所述用于校准高温计的设备包含：黑体，其包含辐射空间，辐射能量从所述辐射空间辐射；主体外壳，其经配置以在其中接纳所述黑体，且包含光输出壁，所述光输出壁具有与所述辐射空间连接的光输出端口；光输出壁保护盖，其包括透明阻挡板，所述透明阻挡板安置于与所述光输出端口相对的位置处以便透射近似5μm到近似20μm的长波长，且经配置以与所述主体外壳的所述光输出壁耦合；以及固定部件，其经配置以将所述光输出壁保护盖固定到所述主体外壳的所述光输出壁。