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公开(公告)号：CN103985653B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201310271765.4
申请日：2013-02-07
Applicant: 北京智朗芯光科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶片应力测量方法，属于半导体器件技术领域。该方法包括步骤1：测量沿X方向的各入射光束被晶片反射后的沿X方向的光斑偏移量，旋转样品托盘，使晶片旋转，测量各入射光束在晶片上沿Y方向扫描时，各入射点沿Y方向的光斑偏移量；步骤2：通过沿X方向的各入射光束的光斑偏移量，计算出晶片沿X方向的曲率半径，通过沿Y方向的各入射点的光斑偏移量，计算出晶片沿Y方向的曲率半径；步骤3：根据式1）计算出应力； 应用该测量装置及测量方法能够同时测量晶片X方向及Y方向应力的晶片应力。
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公开(公告)号：CN104697974A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310651513.4
申请日：2013-12-04
Applicant: 北京智朗芯光科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种在线实时检测外延片生长的装置，属于半导体材料制造设备技术领域。该装置MOCVD反应室、光学组件、拉曼散射光谱产生系统、拉曼散射光谱接收系统、数据分析系统、光电开关、触发信号电路和操作电路。该装置结构简单、参数易协调一致且实时检测数据量明显降低。
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公开(公告)号：CN104697972A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310646667.4
申请日：2013-12-04
Applicant: 北京智朗芯光科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种在线实时检测外延片生长的方法，属于半导体材料制造设备技术领域。该方法根据各外延片对应的实时拉曼散射光谱数据，实时分析各外延片带隙、微结构、组分信息，并实时反馈各外延片的波长偏差，从而在线实时检测各外延片的生长信息。该方法参数易协调一致且实时检测数据量明显降低，应用本发明提供的在线实时检测外延片生长的方法能够减小外延片质量差及报废带来的损失。
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公开(公告)号：CN104089703A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410325405.2
申请日：2014-07-09
Applicant: 北京智朗芯光科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体薄膜反应腔辅助温度校准装置，属于半导体制造领域。该装置能够将光源的光强调节到P0，由于P0对应的黑体炉靶心的温度为T0，因此，可以将光源等效为一个温度为T0的热辐射源，此时，由温度探测装置探测到的光源透过狭缝窗口后光线的光强的最大值P0＇等效为半导体薄膜反应腔内温度T0时的热辐射强度。应用该半导体薄膜反应腔辅助温度校准装置时，相当于在已知T0和P0＇的条件下，对半导体薄膜反应腔的测温装置进行校准。因此，该光源能够模拟温度为T0时的黑体辐射P0＇，为半导体薄膜反应腔温度校准提供支持。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103575703A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210281822.2
申请日：2012-08-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 北京智朗芯光科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种利用反射光谱测量单晶硅基太阳能电池表面增透膜的方法，包括通过建模模拟计算分别得出包含增透膜的单晶硅基太阳能电池的总反射效率A与不包含增透膜的单晶硅基太阳能电池的总反射效率B；基于所述总反射效率A和所述总反射效率B求出单晶硅基太阳能电池的相对反射比率Rcal；测量包含增透膜的单晶硅基太阳能电池相对于不包含增透膜的单晶硅基太阳能电池的反射比率R；将所述Rcal与所述R比较，模型中设定增透膜厚度及增透膜材料的光学常数或光学常数物理模型的系数为变量，通过数值回归的曲线拟合过程，计算得出膜厚与材料光学常数。本发明提高了反射率测量方法测量硅基太阳能样品薄膜特征的准确度，拓展了光谱反射仪的应用领域，使测量硬件结构更加简单，成本更低。
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公开(公告)号：CN103185638A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110444985.3
申请日：2011-12-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 北京智朗芯光科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种宽带偏振光谱仪，包括光源、分光元件、第一聚光单元、偏振器、第二聚光单元、第一平面反射镜、第二平面反射镜、探测单元。本发明还公开了包含该宽带偏振光谱仪的光学测量系统。本发明提供的垂直入射宽带偏振光谱仪不仅可以通过简单的操作进行聚焦，而且可以精确地控制探测光束的偏振变化，即，可以保持任意偏振光的偏振特性。
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公开(公告)号：CN104697637B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201310655561.0
申请日：2013-12-06
Applicant: 北京智朗芯光科技有限公司
IPC: G01J5/00
Abstract: 本发明公开了一种薄膜生长的实时测温方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括获得双波长测温结构的薄膜生长反应腔的校准系数；测量实际热辐射功率，将校准系数和实际热辐射功率代入公式，计算得到薄膜生长反应腔内薄膜的温度。该方法由于双波长测温结构所依附的薄膜生长反应腔经过校准，计算得到的薄膜的温度值更接近真值。
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公开(公告)号：CN104697666B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201310655549.X
申请日：2013-12-06
Applicant: 北京智朗芯光科技有限公司
IPC: G01K13/00
Abstract: 本发明公开了一种MOCVD反应腔测温方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括获得双波长测温结构的MOCVD反应腔的校准系数；测量实际热辐射功率，将校准系数和实际热辐射功率代入公式，计算得到MOCVD反应腔的温度。该方法由于双波长测温结构的MOCVD反应腔经过校准，计算得到的MOCVD反应腔的温度值更接近真值。
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公开(公告)号：CN104807495B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201410036443.6
申请日：2014-01-24
Applicant: 北京智朗芯光科技有限公司
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明公开了一种监测晶片生长薄膜特性的装置及其用途，属于半导体材料无损检测领域。该装置包括第一激光光源、第二激光光源、第一二相色镜、分束镜、第二二相色镜、第一探测器、第二探测器、位置探测器、腔室、狭缝窗口、样品托盘和转轴。该装置及其用途能够集成实现待测晶片反射率、温度和应力三个特性参数集成监测。
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