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公开(公告)号：CN104697638B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201310655576.7
申请日：2013-12-06
Applicant: 北京智朗芯光科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MOCVD设备实时测温系统自校准方法，半导体制造技术领域。该方法包括根据实际热辐射比值，在理论热辐射比值‑温度曲线上描出与实际热辐射比值对应的点，将点对应的温度T的值代入计算公式，分别得到校准系数m1和m2。该方法能够得到双波长测温结构中第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的校准系数m1和m2，从而实现了MOCVD设备实时测温系统自校准，能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。
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公开(公告)号：CN105698705B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201410692862.5
申请日：2014-11-26
Applicant: 北京智朗芯光科技有限公司
IPC: G01B11/245
Abstract: 本发明提供的检测晶片基底二维形貌的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该检测晶片基底二维形貌的装置包括具有与N束激光一一对应N个第一分光片和与N束激光一一对应的N个第二分光片，N个第一分光片和N个第二分光片上分别设有镀膜区域，镀膜区域使各分光片形成不同的反射率和透过率，从而通过第一分光片和第二分光片可以入射到样品上后返回的N束光分成两个方向，分别进行探测，镀膜区域反射和透射的性质则根据个第一种反射光束的传播方向决定，而通过在分光片的不同区域镀不同性质的镀膜满足检测晶片基底二维形貌的装置对光路传播的要求，由于镀膜精度极高，因此，能够保证不同传播方向PSD接收到的光的一致性。
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公开(公告)号：CN105698704B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201410692695.4
申请日：2014-11-26
Applicant: 北京智朗芯光科技有限公司
IPC: G01B11/245 , G01K11/30
Abstract: 本发明提供的检测晶片基底二维形貌和温度的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该检测晶片基底二维形貌和温度的装置在N个第一分光片和N个第二分光片上分别设有镀膜区域，镀膜区域使各分光片形成不同的反射率和透过率，从而通过N个第一分光片和N个第二分光片，可以使入射到样品上并返回的N束第一种反射光分成两个方向，分别进行探测，能够得到用于检测晶片基底二维形貌的数据；该装置还通过在第一分光片或者第二分光片相应区域镀膜的方法，在第一分光片或者第二分光片上耦合温度测量装置，得到用于检测晶片基底温度的数据。由于镀膜精度极高，因此，能够保证不同传播方向PSD接收到的光的一致性。
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公开(公告)号：CN103575230B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201210281504.6
申请日：2012-08-09
Applicant: 北京智朗芯光科技有限公司 , 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请涉及光学测量领域，特别涉及一种光学无色差聚焦系统。包括：第一曲面反射元件、第二曲面反射元件及第三曲面反射元件；所述第一曲面反射元件，接收由点光源发射出的光束，并将该光束变成平行光束；第二曲面反射元件，接收由第一曲面反射元件反射的所述平行光束；所述第三曲面反射元件，接收由所述第二曲面反射元件反射的平行光束，将其变成会聚光束并垂直入射至待测样品的表面；所述第一曲面反射元件、第二曲面反射元件及第三曲面反射元件构成交叉切尔尼‑特纳结构。本申请提供的光学无色差聚焦系统结构简单、价格低廉，光学测量时不会产生色差，并且可合理地改变入射光的传播方向，使其聚焦在样品表面，同时获得较为合适的工作距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104697972B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201310646667.4
申请日：2013-12-04
Applicant: 北京智朗芯光科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种在线实时检测外延片生长的方法，属于半导体材料制造设备技术领域。该方法根据各外延片对应的实时拉曼散射光谱数据，实时分析各外延片带隙、微结构、组分信息，并实时反馈各外延片的波长偏差，从而在线实时检测各外延片的生长信息。该方法参数易协调一致且实时检测数据量明显降低，应用本发明提供的在线实时检测外延片生长的方法能够减小外延片质量差及报废带来的损失。
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公开(公告)号：CN103575223B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201210281798.2
申请日：2012-08-09
Applicant: 北京智朗芯光科技有限公司
Abstract: 公开利用反射光谱测量硅基太阳能电池增透膜的方法，包括通过垂直入射测量包含增透膜的硅基太阳能电池的相对反射率R’，测量反射率R’时参考样品的已知的绝对反射率Rr，模拟计算包含增透膜的平滑的硅基薄膜的绝对反射率R，反射率中引入粗糙度系数α，α＝M+Nλ。将所述R*α/Rr与所述反射率R’比较，模型中设定粗糙度系数中M及/或N、增透膜厚度及增透膜材料的光学常数或光学常数物理模型的系数为变量，通过数值回归的曲线拟合过程，计算得出膜厚与材料光学常数。本发明提高了反射率测量方法测量硅基太阳能样品薄膜特征的准确度，拓展了光谱反射仪的应用领域，使测量硬件结构更加简单，成本更低。
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公开(公告)号：CN105698964A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201410693553.X
申请日：2014-11-26
Applicant: 北京智朗芯光科技有限公司
IPC: G01K11/32
Abstract: 本发明公开了一种单透镜型晶片基底温度测量装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置在光束入射至晶片基底之前，将透镜设置于分光平片之后，而在形成第二种反射光束之后，将透镜设置于分光平片之前，这样，只需要应用一个透镜即可，无需选用两个透镜，或者，在选用激光器和探测器时，无需它们自身集成有透镜，使得检测晶片基底二维形貌的装置的成本降低。
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公开(公告)号：CN105698705A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201410692862.5
申请日：2014-11-26
Applicant: 北京智朗芯光科技有限公司
IPC: G01B11/245
Abstract: 本发明提供的检测晶片基底二维形貌的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该检测晶片基底二维形貌的装置包括具有与N束激光一一对应N个第一分光片和与N束激光一一对应的N个第二分光片，N个第一分光片和N个第二分光片上分别设有镀膜区域，镀膜区域使各分光片形成不同的反射率和透过率，从而通过第一分光片和第二分光片可以入射到样品上后返回的N束光分成两个方向，分别进行探测，镀膜区域反射和透射的性质则根据个第一种反射光束的传播方向决定，而通过在分光片的不同区域镀不同性质的镀膜满足检测晶片基底二维形貌的装置对光路传播的要求，由于镀膜精度极高，因此，能够保证不同传播方向PSD接收到的光的一致性。
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公开(公告)号：CN105627951A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410692768.X
申请日：2014-11-26
Applicant: 北京智朗芯光科技有限公司
IPC: G01B11/245
Abstract: 本发明公开了一种自动检测晶片基底二维形貌的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置中，N束激光的多路出射光是由一个激光器经过一个包含多个分光面的分光棱镜，通过给所述多个分光面赋予差异化的反射率和透射率，使得经过该分光棱镜后射出的多路出射光光强相同，即该多路光强相同的出射光不是由多个激光器发射得到的，而是仅仅由一个激光器经过该分光棱镜的反射、折射得到的，由此，在有限的布置空间内，可以选用体积稍大的激光器，当激光器体积增大后，其内部散热性能改善，并且，由于该激光器内增设了反馈电路，可以根据需要改变激光器的内部参数，因此，能够增强激光器的输出功率和波长的稳定性。
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