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公开(公告)号：CN103502783A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201180067946.4
申请日：2011-12-22
Applicant: 维易科仪器公司
Inventor： 亚历山大·I·古瑞丽 , 瓦迪姆·博古斯拉夫斯基 , 桑迪普·克里希南 , 马修·金
IPC: G01J5/00
CPC classification number: G01J5/0003 , G01J5/0007 , G01J2005/0048
Abstract: 一种用于晶圆处理反应器(例如CVD反应器12)的原位高温计校准的方法，包括步骤：将校准高温计80定位在第一校准位置A并且加热反应器直至反应器达到高温计校准温度。所述方法期望地包括绕旋转轴42旋转支撑元件40，并且通过绕旋转轴旋转支撑元件从而从安装在第一操作位置1R处的第一操作高温计71获得第一操作温度测量结果，并且从而校准高温计80获得第一校准温度测量结果。校准高温计80和第一操作高温计71期望地用于接收来自晶圆支撑元件40的与晶圆支撑元件的旋转轴相距第一径向距离D1的第一部分的辐射。
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公开(公告)号：CN104321859A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201380026257.8
申请日：2013-03-01
Applicant: 维易科仪器公司
Inventor： 桑迪普·克里希南 , 耿莫伊 , 亚历山大·I·古拉里 , 马修·金 , 瓦迪姆·博古斯拉夫斯基 , 史蒂文·克罗门霍伊克
IPC: H01L21/683 , H01L21/205 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/4586 , C23C16/46 , H01L21/6719 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68792
Abstract: 本发明提供一种用于化学气相沉积反应器的装置(10)，其理想地包括：具有内部区域(26)的反应室，安装在所述反应室内的主轴(30)，以及可释放地安装在所述主轴上以随之旋转的晶片载体(40)。所述主轴理想地具有沿着竖直旋转轴线(32)延伸的传动轴(36)以及从所述传动轴向外突出的键(80)。所述晶片载体(40)优选地具有限定了顶表面(41)和底表面(44)的主体(40a)以及至少一个构造来保持晶片(50)的晶片保持结构(43)。所述晶片载体(40)理想地还具有从所述底表面(44)延伸进入所述主体的凹部(47)，以及沿着所述横向轴线(106)从所述凹部的外围(104)向外突出的键槽(48)。所述传动轴(36)优选地接合在所述凹部(47)中并且所述键(80)优选地接合在所述键槽(48)中。
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公开(公告)号：CN104321859B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201380026257.8
申请日：2013-03-01
Applicant: 维易科仪器公司
Inventor： 桑迪普·克里希南 , 耿莫伊 , 亚历山大·I·古拉里 , 马修·金 , 瓦迪姆·博古斯拉夫斯基 , 史蒂文·克罗门霍伊克
IPC: H01L21/683 , H01L21/205 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/4586 , C23C16/46 , H01L21/6719 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68792
Abstract: 本发明提供一种用于化学气相沉积反应器的装置(10)，其理想地包括：具有内部区域(26)的反应室，安装在所述反应室内的主轴(30)，以及可释放地安装在所述主轴上以随之旋转的晶片载体(40)。所述主轴理想地具有沿着竖直旋转轴线(32)延伸的传动轴(36)以及从所述传动轴向外突出的键(80)。所述晶片载体(40)优选地具有限定了顶表面(41)和底表面(44)的主体(40a)以及至少一个构造来保持晶片(50)的晶片保持结构(43)。所述晶片载体(40)理想地还具有从所述底表面(44)延伸进入所述主体的凹部(47)，以及沿着所述横向轴线(106)从所述凹部的外围(104)向外突出的键槽(48)。所述传动轴(36)优选地接合在所述凹部(47)中并且所述键(80)优选地接合在所述键槽(48)中。
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公开(公告)号：CN103502783B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201180067946.4
申请日：2011-12-22
Applicant: 维易科仪器公司
Inventor： 亚历山大·I·古瑞丽 , 瓦迪姆·博古斯拉夫斯基 , 桑迪普·克里希南 , 马修·金
IPC: G01J5/00
CPC classification number: G01J5/0003 , G01J5/0007 , G01J2005/0048
Abstract: 一种用于晶圆处理反应器(例如CVD反应器12)的原位高温计校准的方法，期望地包括步骤：将校准高温计80定位在第一校准位置A并且加热反应器直至反应器达到高温计校准温度。所述方法期望地包括绕旋转轴42旋转支撑元件40，并且通过绕旋转轴旋转支撑元件从而从安装在第一操作位置1R处的第一操作高温计71获得第一操作温度测量结果，并且从而校准高温计80获得第一校准温度测量结果。校准高温计80和第一操作高温计71期望地用于接收来自晶圆支撑元件40的与晶圆支撑元件的旋转轴相距第一径向距离D1的第一部分的辐射。
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