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公开(公告)号：CN115398029A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180024562.8
申请日：2021-09-13
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的溅射装置具备：真空腔室、阴极、靶、基板保持部和摆动部。摆动部具有：沿摆动方向延伸的摆动轴；摆动驱动部，用于使所述基板保持部在所述摆动轴的轴线方向上摆动；以及旋转驱动部，设置于所述摆动轴且用于使所述摆动轴转动。旋转驱动部能够使所述基板保持部在水平载置位置和铅直处理位置之间进行旋转动作，所述水平载置位置是载置及取出位于大致水平方向位置的所述被处理基板的位置，所述铅直处理位置是以沿大致铅直方向的方式立起所述被处理基板的被处理面后的位置。所述摆动部具备配置在所述被处理基板的周围且与所述基板保持部同步摆动的防沉积板。
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公开(公告)号：CN112041627B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201980029651.4
申请日：2019-08-26
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 提供一种具有不发生由热伸长带来的损伤的反射器装置的真空加热装置。将被行列配置的多个单位反射板（31）通过固定装置（21）和保持装置（11a～11d）分别安装于真空槽（17）的安装面（19）。如果在各单位反射板（31）被照射红外线，则随着保持装置（11a～11d）的变形部（64）的变形，各单位反射板（31）以固定装置（21）的安装场所为中心而热伸长。通过热伸长，向各单位反射板（31）附加的力被缓和，防止了各单位反射板（31）被安装于安装面（19）的部位的损伤。
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公开(公告)号：CN112334591A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980042545.X
申请日：2019-12-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/00
Abstract: 本发明提供一种能够抑制在真空处理时从配置在放电空间的防附着构件产生的微粒的技术。本发明的防附着构件(30)具有：框状的防附着主体构件(10)；以及框状的保持构件(20)，其在使防附着主体构件(10)紧贴在真空槽(6)内的放电空间(9)侧的状态下保持防附着主体构件(10)。防附着主体构件(10)从背面(20R)被多个支撑螺栓(23)固定，所述背面(20R)是保持构件(20)的放电空间(9)侧的面的相反侧的面，支撑螺栓(23)构成为各自的顶端部不从防附着主体构件(10)的放电空间(9)侧的面即表面(10F)向放电空间(9)侧露出。
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公开(公告)号：CN111511956A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201980007085.7
申请日：2019-06-12
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/00
Abstract: 本发明提供能够抑制在真空处理时从配置于放电空间的防附着部件产生的微粒的技术。本发明是防止在真空处理时产生的物质向真空槽内附着的防附着部件(30)，具备框状的防附着主体部件(10)和保持防附着主体部件(10)的保持部件(20)。防附着主体部件(10)具有在基板的周围设置的板状的第一至第四构成部件1-4，并且第一至第四构成部件1-4在与真空槽内的放电空间相向的面相反侧的面上分别设有第一至第四勾挂部，第一至第四勾挂部用于勾挂并安装于在保持部件(20)设置的第一至第四钩部。
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公开(公告)号：CN107429386A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680021346.7
申请日：2016-04-12
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/50 , H01L21/683
Abstract: 基板保持机构(20)具备：保持部(21、22)，具有载置面(21S)，基板(S)的外周部被载置于载置面(21S)，保持部(21、22)将基板保持于该载置面上。保持部(21、22)在第一位置(P1)与不同于该第一位置(P1)的第二位置(P2)之间变更载置面(21S)的位置。保持部(21、22)具备：吸附部，将基板(S)静电吸附于载置面(21S)的至少一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105518179A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201380079134.0
申请日：2013-10-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/08 , C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3417 , H01J37/3455 , H01J37/347
Abstract: 反应性溅射装置具备阴极装置(18)，阴极装置(18)向化合物膜的形成区域(R1)放射溅射粒子。阴极装置(18)具备：扫描部(27)，其在相对区域(R2)扫描烧蚀区域；以及靶(23)，其形成有烧蚀区域，扫描方向上的长度短于相对区域(R2)。扫描部(27)从开始位置(St)朝向相对区域(R2)扫描烧蚀区域，在开始位置(St)上，扫描方向上的形成区域(R1)的2个端部中的溅射粒子先到达的第1端部(Re1)与靶(23)的第1端部(23e1)的距离(D1)在扫描方向上为150mm以上，靶(23)的第1端部(23e1)在扫描方向上离形成区域的第1端部(Re1)近。
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公开(公告)号：CN103038385B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201180029637.8
申请日：2011-06-14
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/564 , H01J37/32477 , H01J37/32871 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3435
Abstract: 本发明提供一种在成膜处理中附着物的薄膜不剥离的防附着部件和具有该防附着部件的溅射成膜装置。防附着部件(251～254、35)的材质为Al2O3，成膜粒子附着的附着面的算术平均粗糙度为4μm以上10μm以下，附着膜不易剥离。在溅射成膜装置中，将防附着部件(251～254、35)配置在包围靶(211～214)的溅射面(231～234)的外周的位置、包围基板(31)的成膜面的外周的位置。
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公开(公告)号：CN116685709A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202280008019.3
申请日：2022-03-23
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明的一个方式的溅射装置具有：一个以上的靶，其与基板相向地配置且由成膜材料构成；一个以上的磁铁单元，其配置在所述靶的背面；控制装置，其具有最优解计算部，所述最优解计算部基于至少包含设定条件和由该溅射装置成膜的所述基板上的成膜材料的膜质的测定值的输入信息，计算关于至少一个所述磁铁单元的所述设定条件的最优解，所述设定条件包含各所述磁铁单元的位置、各所述磁铁单元的移动模式、以及构成各所述磁铁单元的电磁铁的流入电流或流入电流变动模式中的至少一个；以及调整单元，其能够基于所述最优解，个别地调整所述磁铁单元的所述设定条件。
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公开(公告)号：CN112334591B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201980042545.X
申请日：2019-12-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/00
Abstract: 本发明提供一种能够抑制在真空处理时从配置在放电空间的防附着构件产生的微粒的技术。本发明的防附着构件(30)具有：框状的防附着主体构件(10)；以及框状的保持构件(20)，其在使防附着主体构件(10)紧贴在真空槽(6)内的放电空间(9)侧的状态下保持防附着主体构件(10)。防附着主体构件(10)从背面(20R)被多个支撑螺栓(23)固定，所述背面(20R)是保持构件(20)的放电空间(9)侧的面的相反侧的面，支撑螺栓(23)构成为各自的顶端部不从防附着主体构件(10)的放电空间(9)侧的面即表面(10F)向放电空间(9)侧露出。
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公开(公告)号：CN112041627A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980029651.4
申请日：2019-08-26
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 提供一种具有不发生由热伸长带来的损伤的反射器装置的真空加热装置。将被行列配置的多个单位反射板（31）通过固定装置（21）和保持装置（11a～11d）分别安装于真空槽（17）的安装面（19）。如果在各单位反射板（31）被照射红外线，则随着保持装置（11a～11d）的变形部（64）的变形，各单位反射板（31）以固定装置（21）的安装场所为中心而热伸长。通过热伸长，向各单位反射板（31）附加的力被缓和，防止了各单位反射板（31）被安装于安装面（19）的部位的损伤。
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