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公开(公告)号：CN116685709A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202280008019.3
申请日：2022-03-23
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明的一个方式的溅射装置具有：一个以上的靶，其与基板相向地配置且由成膜材料构成；一个以上的磁铁单元，其配置在所述靶的背面；控制装置，其具有最优解计算部，所述最优解计算部基于至少包含设定条件和由该溅射装置成膜的所述基板上的成膜材料的膜质的测定值的输入信息，计算关于至少一个所述磁铁单元的所述设定条件的最优解，所述设定条件包含各所述磁铁单元的位置、各所述磁铁单元的移动模式、以及构成各所述磁铁单元的电磁铁的流入电流或流入电流变动模式中的至少一个；以及调整单元，其能够基于所述最优解，个别地调整所述磁铁单元的所述设定条件。
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