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公开(公告)号：CN102666909A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080051495.0
申请日：2010-11-16
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/08
Abstract: 本发明提供一种透明导电膜的制造方法，无需使用水蒸气就可形成具有良好蚀刻特性及导电特性的透明导电膜。本发明的实施方式涉及的透明导电膜的制造方法包括：通过溅射靶材从而在基板上形成铟锡氧化物薄膜的工序，其中所述靶材包含由氧化铟组成的第一组分，由氧化锡组成的第二组分，以及由选自La、Nd、Dy、Eu、Gd、Tb、Zr、Al、Si、Ti及B的至少一种元素或其氧化物组成的第三组分；利用蚀刻液使所述铟锡氧化物薄膜进行图案化的工序；通过热处理使所述铟锡氧化物薄膜结晶的工序。由此，成膜不久后的ITO薄膜可以利用弱酸蚀刻，并且，可以对该ITO膜赋予期望的导电特性。
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公开(公告)号：CN104213085A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410341203.7
申请日：2010-11-16
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/08
Abstract: 本发明提供一种透明导电膜的制造方法，无需使用水蒸气就可形成具有良好蚀刻特性及导电特性的透明导电膜。本发明的实施方式涉及的透明导电膜的制造方法包括：通过溅射靶材从而在基板上形成铟锡氧化物薄膜的工序，其中所述靶材包含由氧化铟组成的第一组分，由氧化锡组成的第二组分，以及由选自La、Nd、Dy、Eu、Gd、Tb、Zr、Al、Si、Ti及B的至少一种元素或其氧化物组成的第三组分；利用蚀刻液使所述铟锡氧化物薄膜进行图案化的工序；通过热处理使所述铟锡氧化物薄膜结晶的工序。由此，成膜不久后的ITO薄膜可以利用弱酸蚀刻，并且，可以对该ITO膜赋予期望的导电特性。
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公开(公告)号：CN102666909B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201080051495.0
申请日：2010-11-16
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/08
Abstract: 本发明提供一种透明导电膜的制造方法，无需使用水蒸气就可形成具有良好蚀刻特性及导电特性的透明导电膜。本发明的实施方式涉及的透明导电膜的制造方法包括：通过溅射靶材从而在基板上形成铟锡氧化物薄膜的工序，其中所述靶材包含由氧化铟组成的第一组分，由氧化锡组成的第二组分，以及由选自La、Nd、Dy、Eu、Gd、Tb、Zr、Al、Si、Ti及B的至少一种元素或其氧化物组成的第三组分；利用蚀刻液使所述铟锡氧化物薄膜进行图案化的工序；通过热处理使所述铟锡氧化物薄膜结晶的工序。由此，成膜不久后的ITO薄膜可以利用弱酸蚀刻，并且，可以对该ITO膜赋予期望的导电特性。
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公开(公告)号：CN105518179A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201380079134.0
申请日：2013-10-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/08 , C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3417 , H01J37/3455 , H01J37/347
Abstract: 反应性溅射装置具备阴极装置(18)，阴极装置(18)向化合物膜的形成区域(R1)放射溅射粒子。阴极装置(18)具备：扫描部(27)，其在相对区域(R2)扫描烧蚀区域；以及靶(23)，其形成有烧蚀区域，扫描方向上的长度短于相对区域(R2)。扫描部(27)从开始位置(St)朝向相对区域(R2)扫描烧蚀区域，在开始位置(St)上，扫描方向上的形成区域(R1)的2个端部中的溅射粒子先到达的第1端部(Re1)与靶(23)的第1端部(23e1)的距离(D1)在扫描方向上为150mm以上，靶(23)的第1端部(23e1)在扫描方向上离形成区域的第1端部(Re1)近。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104818458A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510033778.7
申请日：2015-01-23
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其具有能使基板面内膜厚度分布和薄膜质量分布均匀性良好地成膜的功能，并且可使各靶的靶寿命大致均等而有利于批量生产。在处理室(11a、11b)内，以处理室的相连设置方向为移动方向，沿移动方向以等间隔分别并列设置相同个数的靶(31a～31l)，在各处理室内将基板传送到与各靶相对的位置并停止，层压薄膜。改变基板的停止位置，以使各处理室相互间在基板表面上的与各靶相对的区域在移动方向上彼此错开。除分别位于移动方向前后端的靶外的各靶上输入的功率为稳态功率，在分别位于移动方向前后端的靶上，随每次待成膜处理基板的变更而交替切换低于稳态功率的低功率和高于稳态功率的高功率，且输入功率时相互切换给两靶的输入功率。
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公开(公告)号：CN104818458B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201510033778.7
申请日：2015-01-23
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其具有能使基板面内膜厚度分布和薄膜质量分布均匀性良好地成膜的功能，并且可使各靶的靶寿命大致均等而有利于批量生产。在处理室(11a、11b)内，以处理室的相连设置方向为移动方向，沿移动方向以等间隔分别并列设置相同个数的靶(31a～31l)，在各处理室内将基板传送到与各靶相对的位置并停止，层压薄膜。改变基板的停止位置，以使各处理室相互间在基板表面上的与各靶相对的区域在移动方向上彼此错开。除分别位于移动方向前后端的靶外的各靶上输入的功率为稳态功率，在分别位于移动方向前后端的靶上，随每次待成膜处理基板的变更而交替切换低于稳态功率的低功率和高于稳态功率的高功率，且输入功率时相互切换给两靶的输入功率。
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公开(公告)号：CN105518179B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201380079134.0
申请日：2013-10-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/08 , C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3417 , H01J37/3455 , H01J37/347
Abstract: 反应性溅射装置具备阴极装置(18)，阴极装置(18)向化合物膜的形成区域(R1)放射溅射粒子。阴极装置(18)具备：扫描部(27)，其在相对区域(R2)扫描烧蚀区域；以及靶(23)，其形成有烧蚀区域，扫描方向上的长度短于相对区域(R2)。扫描部(27)从开始位置(St)朝向相对区域(R2)扫描烧蚀区域，在开始位置(St)上，扫描方向上的形成区域(R1)的2个端部中的溅射粒子先到达的第1端部(Re1)与靶(23)的第1端部(23e1)的距离(D1)在扫描方向上为150mm以上，靶(23)的第1端部(23e1)在扫描方向上离形成区域的第1端部(Re1)近。
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公开(公告)号：CN105555996B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201480047603.5
申请日：2014-09-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/568 , H01J37/32908 , H01J37/342 , H01J37/3435 , H01J37/3444
Abstract: 基板处理装置具备框体(21)以及位于框体内部的中空的摆动臂(23)。摆动臂包括与框体连接的中空的摆动中心轴部(23a)以及作为摆动端的中空的连结轴部(23b)。进一步，基板处理装置具备处理部(22)，该处理部(22)位于框体内部，并且在与基板面对的处理空间，沿与摆动中心轴部的轴向(P)正交的方向移动而对基板实施处理。处理部以追随处理部的移动而使连结轴部(23b)能够与处理部平移的方式与连结轴部连结。因此，通过处理部(22)的移动而使摆动臂线路，该连接线路位于摆动臂(23)内部，通过摆动中心轴部(23a)内部而与位于框体外部的共用设备连接、且通过连结轴部(23b)内部而与处理部连接。(23)进行摆动。进一步，基板处理装置具备连接
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公开(公告)号：CN105555996A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480047603.5
申请日：2014-09-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/568 , H01J37/32908 , H01J37/342 , H01J37/3435 , H01J37/3444
Abstract: 基板处理装置具备框体(21)以及位于框体内部的中空的摆动臂(23)。摆动臂包括与框体连接的中空的摆动中心轴部(23a)以及作为摆动端的中空的连结轴部(23b)。进一步，基板处理装置具备处理部(22)，该处理部(22)位于框体内部，并且在与基板面对的处理空间，沿与摆动中心轴部的轴向(P)正交的方向移动而对基板实施处理。处理部以追随处理部的移动而使连结轴部(23b)能够与处理部平移的方式与连结轴部连结。因此，通过处理部(22)的移动而使摆动臂(23)进行摆动。进一步，基板处理装置具备连接线路，该连接线路位于摆动臂(23)内部，通过摆动中心轴部(23a)内部而与位于框体外部的共用设备连接、且通过连结轴部(23b)内部而与处理部连接。
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