公开(公告)号：CN104937678B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201480005118.1

申请日：2014-01-15

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 佐佐和明 ,  山本祐辅 ,  待永广宣

IPC: H01B13/00 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  B32B15/08 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  H01B5/14

CPC classification number: C23C14/354 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/542 ,  C23C14/58 ,  C23C14/5806 ,  H01J37/3277 ,  H01J37/3402 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3444 ,  H01J37/3464 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明的透明导电性薄膜的制造方法具有形成透明导电膜的工序(A)，该工序(A)为：在有机高分子薄膜基材的至少一个面上，利用辊对辊的装置，使用{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的靶，在该靶表面的水平磁场为85～200mT的高磁场下、在非活性气体的存在下，利用RF叠加DC溅射成膜法形成透明导电膜，并且，前述透明导电膜为前述铟系复合氧化物的结晶质膜，前述透明导电膜的膜厚为10nm～40nm的范围，前述透明导电膜的电阻率值为1.3×10‑4～2.8×10‑4Ω·cm。根据本发明的制造方法得到的透明导电性薄膜具有透明导电膜，所述透明导电膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且薄膜的结晶质膜构成。

公开(公告)号：CN103849848B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201210495442.9

申请日：2012-11-28

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 陈鹏 ,  赵梦欣 ,  丁培军 ,  王厚工 ,  武学伟 ,  刘建生 ,  耿波 ,  邱国庆 ,  文莉辉

IPC: C23C14/40 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3444

Abstract: 本发明公开了一种物理气相沉积装置，包括：反应腔室；基片支撑部件，所述基片支撑部件设置在所述反应腔室的底部且与所述溅射靶材相对；直流电源，所述直流电源耦接于所述溅射靶材；射频电源，所述射频馈入部件耦接于所述溅射靶材，所述射频馈入部件包括分配环和沿所述分配环的周向间隔设置的多条分配条，所述分配环与所述射频电源耦接，所述分配环通过所述分配条耦接至所述溅射靶材。根据本发明实施例的物理气相沉积装置，降低了在靶材上产生的负偏压，进而减小了对基片或晶圆产生的损伤，且明显提高了沉积速率，从而提高了工艺效率。

公开(公告)号：CN105555990A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201480040877.1

申请日：2014-07-16

Applicant: 先进能源工业公司

Inventor： D·克里斯蒂

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  H01J37/34

CPC classification number: H01J37/3405 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3438 ,  H01J37/3444 ,  H01J37/3464 ,  H01J37/3467 ,  H01J37/3479

Abstract: 本发明公开了一种溅射系统和方法。所述系统具有至少一个具有第一磁控管和第二磁控管的双磁控管对，配置每个磁控管以支持靶材。所述系统还具有DMS组件，该DMS组件具有与开关组件和电压传感器连接的直流电源。配置所述DMS组件以独立地控制对每个磁控管的功率的施加，以及提供每个磁控管的电压的测量。所述系统还具有一个或多个致动器，配置所述致动器以使用由所述DMS组件提供的测量控制每个磁控管的电压。配置所述DMS组件和所述一个或多个致动器以响应每个磁控管的电压的测量，通过控制施加到每个磁控管的功率和电压，平衡靶材的消耗。

公开(公告)号：CN105008585A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201380068267.8

申请日：2013-12-23

Applicant: 零件喷涂公司

Inventor： D.T.克罗利 ,  P.L.摩斯 ,  W.A.小梅雷迪思 ,  J.R.格尔曼 ,  M.L.尼亚尔

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/513

CPC classification number: H01J37/3405 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3438 ,  H01J37/3444 ,  H01J37/345

Abstract: 一个实施方案是关于一种等离子体源，所述等离子体源包括其中形成空腔的主体和设置于所述空腔内的至少两个自含式磁控管组件。所述磁控管组件彼此并且与所述主体互相电绝缘。在此类实施方案的一种实现方式中，所述自含式磁控管组件包括闭合漂移磁控管组件。公开了其它实施方案。

公开(公告)号：CN103348038B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201280008196.8

申请日：2012-02-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 吉田德生

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3444 ,  H01J37/3464

Abstract: 磁控溅射装置中，按每一组对第一靶和第二靶连接交流电源，并该磁控溅射装置具备控制部，该控制部控制从在彼此相邻的组中与第一靶和第二靶连接的交流电源分别输出的各电压的相位差。

公开(公告)号：CN104616959A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410778538.5

申请日：2011-03-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 ,  罗纳德·D·迪多尔 ,  迈克尔·S·考克斯 ,  基思·A·米勒 ,  唐尼·扬 ,  约翰·C·福斯特 ,  阿道夫·M·艾伦 ,  拉拉·哈夫雷查克

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/34

CPC classification number: H01J37/3444 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3438 ,  C30B23/002 ,  H01J37/34

Abstract: 本申请提供用以在基座所支撑的晶圆上执行等离子体处理的设备及方法。该设备可包括基座、可变电容器、马达、马达控制器以及来自该可变电容器的输出，该基座上可支撑晶圆，该可变电容器具有可变的电容量，该马达附接至该可变电容器并可改变该可变电容器的电容量，该马达控制器连接至该马达以使该马达旋转，并且来自该可变电容器的输出连接至该基座。该可变电容器的期望状态与工艺控制器中的工艺方法相关。当执行该工艺方法时，该可变电容器处于该期望状态。

公开(公告)号：CN102869808B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201180022140.3

申请日：2011-03-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 ,  罗纳德·D·迪多尔 ,  迈克尔·S·考克斯 ,  基思·A·米勒 ,  唐尼·扬 ,  约翰·C·福斯特 ,  阿道夫·M·艾伦 ,  拉拉·哈夫雷查克

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3444 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3438

Abstract: 本申请提供用以在基座所支撑的晶圆上执行等离子体处理的设备及方法。该设备可包括基座、可变电容器、马达、马达控制器以及来自该可变电容器的输出，该基座上可支撑晶圆，该可变电容器具有可变的电容量，该马达附接至该可变电容器并可改变该可变电容器的电容量，该马达控制器连接至该马达以使该马达旋转，并且来自该可变电容器的输出连接至该基座。该可变电容器的期望状态与工艺控制器中的工艺方法相关。当执行该工艺方法时，该可变电容器处于该期望状态。

公开(公告)号：CN104201082A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410309313.5

申请日：2006-03-01

Applicant: 奥尔利康贸易股份公司(特吕巴赫)

Inventor： J.拉姆 ,  O.格斯托尔 ,  B.威德里格 ,  D.伦迪

IPC: H01J37/32 ,  C23C14/32

CPC classification number: H01J37/3444 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/083 ,  C23C14/325 ,  F01D5/288 ,  F05D2230/313 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/34

Abstract: 本发明涉及运行脉冲式电弧源的方法。公开了一种用于沉积绝缘层的电弧方法以及用于低温涂层的电弧方法，其中引起或运行在电弧源的靶表面上的电火花放电，其中该火花放电同时用直流电以及脉冲或交流电来馈电。此外本发明还涉及一种电弧源，其中靶与供电单元连接，该供电单元或者是至少一个第一脉冲式高电流电源18，18’以及另一个电源13’，18”，或者是用开关网络分配技术实施的电源21，21’，22。

公开(公告)号：CN101978094B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200980109274.1

申请日：2009-03-10

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 赤松泰彦 ,  中村久三 ,  小林大士 ,  清田淳也 ,  汤川富之 ,  武井应树 ,  大石祐一 ,  新井真 ,  石桥晓

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3444

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以在长时间内生长具有均匀的膜厚分布的薄膜的磁控溅射技术。本发明的磁控溅射装置(1)具有：真空槽(2)；阴极部(6)，设置在真空槽2内，并且具有其正面侧支承标靶(7)、其背面侧支承多个磁体(12)的垫板(8)；和直流电源(30)，向阴极部(6)供给直流电。相对于垫板(8)，在标靶(7)侧的放电空间内设置有多个可以独立地进行电位控制的控制电极(21、22)。

公开(公告)号：CN102334273A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201080008942.4

申请日：2010-02-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 柳谷好男

IPC: H02M7/5387 ,  C23C14/34 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C14/3464 ,  C23C14/3485 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3444 ,  H01J37/3467 ,  H02M1/34 ,  H02M7/53871 ,  H02M2001/344

Abstract: 本发明提供一种溅镀装置用交流电源，能够通过抑制在各个电极的极性反转时产生的过电压来防止诱发电弧放电。在直流电供给源(1)的正负直流输出线(2a、2b)之间，设置由多个开关晶体管(SW1～SW4)构成桥式电路(3)。在从直流电供给源(1)到桥式电路(3)的正负直流输出线(2a、2b)的至少一方上，设置使直流输出具有恒定电流特性的电感器(DCL)，并设置与桥式电路(3)的输入(3a、3b)并联的缓冲电路(7)。