公开(公告)号：CN104937678B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201480005118.1

申请日：2014-01-15

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 佐佐和明 ,  山本祐辅 ,  待永广宣

IPC: H01B13/00 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  B32B15/08 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  H01B5/14

CPC classification number: C23C14/354 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/542 ,  C23C14/58 ,  C23C14/5806 ,  H01J37/3277 ,  H01J37/3402 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3444 ,  H01J37/3464 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明的透明导电性薄膜的制造方法具有形成透明导电膜的工序(A)，该工序(A)为：在有机高分子薄膜基材的至少一个面上，利用辊对辊的装置，使用{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的靶，在该靶表面的水平磁场为85～200mT的高磁场下、在非活性气体的存在下，利用RF叠加DC溅射成膜法形成透明导电膜，并且，前述透明导电膜为前述铟系复合氧化物的结晶质膜，前述透明导电膜的膜厚为10nm～40nm的范围，前述透明导电膜的电阻率值为1.3×10‑4～2.8×10‑4Ω·cm。根据本发明的制造方法得到的透明导电性薄膜具有透明导电膜，所述透明导电膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且薄膜的结晶质膜构成。

公开(公告)号：CN105555990A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201480040877.1

申请日：2014-07-16

Applicant: 先进能源工业公司

Inventor： D·克里斯蒂

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  H01J37/34

CPC classification number: H01J37/3405 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3438 ,  H01J37/3444 ,  H01J37/3464 ,  H01J37/3467 ,  H01J37/3479

Abstract: 本发明公开了一种溅射系统和方法。所述系统具有至少一个具有第一磁控管和第二磁控管的双磁控管对，配置每个磁控管以支持靶材。所述系统还具有DMS组件，该DMS组件具有与开关组件和电压传感器连接的直流电源。配置所述DMS组件以独立地控制对每个磁控管的功率的施加，以及提供每个磁控管的电压的测量。所述系统还具有一个或多个致动器，配置所述致动器以使用由所述DMS组件提供的测量控制每个磁控管的电压。配置所述DMS组件和所述一个或多个致动器以响应每个磁控管的电压的测量，通过控制施加到每个磁控管的功率和电压，平衡靶材的消耗。

公开(公告)号：CN103348038B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201280008196.8

申请日：2012-02-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 吉田德生

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3444 ,  H01J37/3464

Abstract: 磁控溅射装置中，按每一组对第一靶和第二靶连接交流电源，并该磁控溅射装置具备控制部，该控制部控制从在彼此相邻的组中与第一靶和第二靶连接的交流电源分别输出的各电压的相位差。

公开(公告)号：CN104271231A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380019606.3

申请日：2013-02-28

Applicant: 莱斯特大学

Inventor： 克劳斯·冯·黑夫坦恩 ,  格季米纳斯·加利尼斯

IPC: B01J19/24 ,  B01J3/00 ,  B01J4/00

CPC classification number: B01J3/006 ,  A61K49/005 ,  B01J4/002 ,  B01J19/24 ,  B01J2204/002 ,  B01J2219/00085 ,  B01J2219/00137 ,  C01B33/02 ,  C01P2006/60 ,  C09K11/59 ,  C23C14/34 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3464 ,  H01J2237/002 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本发明提供一种用于制备显示新颖性能的完全新型的纳米微粒的新型装置(20)和方法。所述装置包括含有气体的真空室(22)，以及用于进料液体喷射流(26)到该室并穿过该气体的进料机构(1)。本发明扩展到新型纳米材料本身，以及该纳米材料在多种生物医学应用中的用途，例如在治疗和诊断，以及光电子学中的用途。

公开(公告)号：CN108359945A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810259657.8

申请日：2013-05-06

Applicant: VIAVI科技有限公司

Inventor： 乔治·J.·欧肯法斯

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/0036 ,  C23C14/0063 ,  C23C14/10 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3464

Abstract: 本发明公开了一种反应溅射沉积方法和系统，其中，使用了一种诸如水蒸气的催化剂气体，以便提高总体沉积速率，而基本上不损害电介质化合物层的形成及其光透射。向溅射气体或反应气体加入该催化剂气体能导致电介质氧化物薄膜的沉积速率的增加，而基本上不会提高所述薄膜的光吸收。

公开(公告)号：CN107437489A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201611243428.4

申请日：2016-12-29

Applicant: FEI ,  公司

Inventor： J.米特彻斯 ,  R.沙姆佩斯 ,  M.赫劳泽克 ,  T.加德卡

IPC: H01J37/26

CPC classification number: H01J37/3405 ,  C23C14/35 ,  H01J37/06 ,  H01J37/08 ,  H01J37/18 ,  H01J37/20 ,  H01J37/26 ,  H01J37/28 ,  H01J37/285 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/3464 ,  H01J2237/3137 ,  H01J2237/26

Abstract: 一种带电粒子显微镜，包括真空室，在该真空室中提供了：—样本保持器，其用于将样本保持在照射位置；—粒子光学柱，其用于产生带电粒子束并引导该带电粒子束从而照射该样本；—检测器，其用于响应于被所述射束照射来检测从样本发出的辐射通量，其中：—所述真空室包括原位磁控管溅射沉积模块，其包括用于产生目标材料的蒸气流的磁控管溅射源；—载台被配置成使包括所述样本的至少一部分的样品在所述照射位置与所述沉积模块处的单独沉积位置之间移动；—所述沉积模块被配置成当所述样品被保持在所述沉积位置处时将一层所述目标材料沉积到所述样品上。

公开(公告)号：CN106165058A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201480077982.2

申请日：2014-04-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： E·希尔 ,  M·本德 ,  F·皮耶拉利西 ,  D·泽韦林 ,  R·林德伯格 ,  H·嘉特纳

IPC: H01J37/34 ,  H01J37/32 ,  C23C14/00

CPC classification number: H01J37/347 ,  C23C14/352 ,  C23C14/542 ,  C23C14/568 ,  H01J37/32385 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3464

Abstract: 描述了一种用于材料在基板上的沉积的设备。所述设备包括沉积阵列(222)，所述沉积阵列具有三个或更多个阴极(122)，其中所述沉积阵列包括：第一外侧沉积组件(301)，所述第一外侧沉积组件至少包括所述三个或更多个阴极中的第一阴极；第二外侧沉积组件(302)，所述第二外侧沉积组件与所述第一外侧沉积组件相对，所述第二外侧沉积组件(302)至少包括所述三个或更多个阴极中的第二阴极；内侧沉积组件(303)，所述内侧沉积组件包括位于所述第一外侧沉积组件与所述第二外侧沉积组件之间的至少一个内侧阴极。所述第一外侧沉积组件(301)和所述第二外侧沉积组件(302)中的至少一者被配置成用于在相同时间中、在相同基板上、以比所述内侧沉积组件(303)高的速率来沉积材料。

公开(公告)号：CN104822857A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201480003237.3

申请日：2014-01-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 藤长徹志 ,  松本昌弘 ,  新井真 ,  真濑江理子 ,  岩井治宪 ,  高桥康司 ,  井堀敦仁

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/02 ,  C23C14/34 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C14/541 ,  C23C14/345 ,  C23C14/50 ,  C23C14/568 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3464 ,  H01J37/3497 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6838

Abstract: 薄型电路板处理装置(10)具备：处理薄型电路板(S)的电路板处理部(20A；20B)；以及在电路板处理部(20A；20B)处理薄型电路板(S)时冷却薄型电路板(S)的冷却部(31；101)。冷却部(31；101)由静电卡盘(31)或气体冷却部(101)构成，静电卡盘(31)通过吸附由电路板处理部(20A；20B)所处理的薄型电路板(S)的处理面相反侧的面来冷却薄型电路板(S)，气体冷却部(101)通过供应气体给由电路板处理部(20A；20B)所处理的薄型电路板(S)的处理面相反侧的面来冷却薄型电路板(S)。

公开(公告)号：CN101978093B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200980109933.1

申请日：2009-11-26

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 山口述夫 ,  真下公子 ,  长泽慎也

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C14/564 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/35 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3447 ,  H01J37/3464

Abstract: 一种沉积设备包括：挡板收纳单元，其经由开口连接到处理室，并且将收回状态中的挡板收纳到排气室中；和遮蔽构件，其围绕挡板收纳单元的开口形成，并且遮盖排气室的排气口。遮蔽构件在挡板收纳单元的开口与沉积单元之间的预定高度的位置处具有第一排气路径，该第一排气路径与排气室的排气口连通。

公开(公告)号：CN103382547B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201310169432.0

申请日：2013-05-06

Applicant: VIAVI ,  科技有限公司

Inventor： 乔治·J·欧肯法斯

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/0036 ,  C23C14/0063 ,  C23C14/10 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3464

Abstract: 本发明公开了一种反应溅射沉积方法和系统，其中，使用了一种诸如水蒸气的催化剂气体，以便提高总体沉积速率，而基本上不损害电介质化合物层的形成及其光透射。向溅射气体或反应气体加入该催化剂气体能导致电介质氧化物薄膜的沉积速率的增加，而基本上不会提高所述薄膜的光吸收。