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公开(公告)号：CN104704603B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201280075041.6
申请日：2012-07-02
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： C23C14/352 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/345
摘要： 本发明描述了一种用以涂布溅镀材料层于基板(12)上的装置(10；166；224)。所述装置(10；166；224)包括至少两个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)，其中每个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)具有外磁极性及内磁极性。所述至少两个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)中的一者的外磁极性不同于所述至少两个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)中的另一者的相邻的外磁极性。并且，本发明描述了一种沉积系统(14)，所述沉积系统包括所述装置(10；166；224)。
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公开(公告)号：CN103140929A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201180044614.4
申请日：2011-08-09
申请人： 应用材料公司
发明人： F·皮耶拉利西
IPC分类号： H01L29/45 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L23/532
CPC分类号： H01L29/45 , H01L23/53238 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种错列薄膜晶体管及一种形成该错列薄膜晶体管的方法。该薄膜晶体管包括退火层堆叠，该退火层堆叠包括：含氧化物层；铜合金层，该铜合金层沉积于导电氧化物层上；含铜氧化物层；以及含铜层。
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公开(公告)号：CN105849310B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201380081823.5
申请日：2013-12-23
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/458
摘要： 提供一种用于在真空层沉积期间保持基板(20)的保持设备(10)。所述保持设备(10)包括：框架，所述框架具有一或多个框架元件；以及一或多个接触界面(50、500)，所述一或多个接触界面提供在所述框架元件中的一或多个处，并且被配置来接触输送系统的一或多个输送辊(60)，其中所述一或多个接触界面(50、500)的材料的萧氏D硬度在85至90的范围内。
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公开(公告)号：CN103201839A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180051782.6
申请日：2011-10-18
申请人： 应用材料公司
发明人： F·皮耶拉利西
IPC分类号： H01L29/45 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/45 , H01L29/78618 , H01L29/7869
摘要： 本申请提供沉积至少一个薄膜电极（402、403）至透明导电氧化物膜（405）上的方法。首先，沉积透明导电氧化物膜（405）至待处理基板（101）上。接着，使基板（101）和透明导电氧化物膜（405）经受含有处理气体（207）的处理环境，该处理气体相对于透明导电氧化物膜（405）作为施体材料或受体材料。沉积至少一个薄膜电极（402、403）至至少部分的透明导电氧化物膜（405）上。当沉积至少一个薄膜电极（402、403）至至少部分的透明导电氧化物膜（405）上时，改变相对于透明导电氧化物膜（405）作为施体材料或受体材料的处理气体（207）的分压。如此可得到具有较低界面电阻（408）与体电阻（409’）的改性透明导电氧化物膜（410）。
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公开(公告)号：CN106165058A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201480077982.2
申请日：2014-04-17
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： H01J37/347 , C23C14/352 , C23C14/542 , C23C14/568 , H01J37/32385 , H01J37/32449 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3464
摘要： 描述了一种用于材料在基板上的沉积的设备。所述设备包括沉积阵列(222)，所述沉积阵列具有三个或更多个阴极(122)，其中所述沉积阵列包括：第一外侧沉积组件(301)，所述第一外侧沉积组件至少包括所述三个或更多个阴极中的第一阴极；第二外侧沉积组件(302)，所述第二外侧沉积组件与所述第一外侧沉积组件相对，所述第二外侧沉积组件(302)至少包括所述三个或更多个阴极中的第二阴极；内侧沉积组件(303)，所述内侧沉积组件包括位于所述第一外侧沉积组件与所述第二外侧沉积组件之间的至少一个内侧阴极。所述第一外侧沉积组件(301)和所述第二外侧沉积组件(302)中的至少一者被配置成用于在相同时间中、在相同基板上、以比所述内侧沉积组件(303)高的速率来沉积材料。
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公开(公告)号：CN104704603A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201280075041.6
申请日：2012-07-02
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： C23C14/352 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/345
摘要： 本发明描述了一种用以涂布溅镀材料层于基板(12)上的装置(10；166；224)。所述装置(10；166；224)包括至少两个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)，其中每个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)具有外磁极性及内磁极性。所述至少两个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)中的一者的外磁极性不同于所述至少两个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)中的另一者的相邻的外磁极性。并且，本发明描述了一种沉积系统(14)，所述沉积系统包括所述装置(10；166；224)。
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公开(公告)号：CN106232863B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201480078013.9
申请日：2014-04-16
申请人： 应用材料公司
摘要： 描述一种用于真空处理系统的负载锁定腔室(122；422；522)。所述负载锁定腔室包括形成负载锁定腔室容积的负载锁定壁和用于将所述负载锁定腔室抽空的真空产生装置(425)。所述负载锁定腔室还进一步包括颗粒捕集器(127；427；527)，所述颗粒捕集器至少位于所述负载锁定腔室的一个壁(430；528；529；530；531)处。此外，描述一种包括负载锁定腔室和处理腔室的处理系统。
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公开(公告)号：CN106165058B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201480077982.2
申请日：2014-04-17
申请人： 应用材料公司
摘要： 描述了一种用于材料在基板上的沉积的设备。所述设备包括沉积阵列(222)，所述沉积阵列具有三个或更多个阴极(122)，其中所述沉积阵列包括：第一外侧沉积组件(301)，所述第一外侧沉积组件至少包括所述三个或更多个阴极中的第一阴极；第二外侧沉积组件(302)，所述第二外侧沉积组件与所述第一外侧沉积组件相对，所述第二外侧沉积组件(302)至少包括所述三个或更多个阴极中的第二阴极；内侧沉积组件(303)，所述内侧沉积组件包括位于所述第一外侧沉积组件与所述第二外侧沉积组件之间的至少一个内侧阴极。所述第一外侧沉积组件(301)和所述第二外侧沉积组件(302)中的至少一者被配置成用于在相同时间中、在相同基板上、以比所述内侧沉积组件(303)高的速率来沉积材料。
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公开(公告)号：CN105026611B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201380073537.4
申请日：2013-02-25
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： C23C14/568 , C23C14/14 , C23C14/35 , C23C14/352 , C23C14/50 , C23C14/542 , H01J37/3435 , H01J37/345
摘要： 描述一种用于在载体内提供的非柔性基板或基板上沉积层堆叠的装置。所述装置包括：真空腔室；运输系统，其中所述运输系统和所述真空腔室被配置用于内联沉积；第一支撑件，所述第一支撑件用于可围绕所述真空腔室内的第一旋转轴线旋转的第一旋转溅射阴极，其中提供用于沉积第一材料的第一沉积区；第二支撑件，所述第二支撑件用于可围绕所述真空腔室内的第二旋转轴线旋转的第二旋转溅射阴极，其中提供用于沉积第二材料的第二沉积区，其中所述第一旋转轴线和所述第二旋转轴线的彼此相距距离为700mm或更小；以及分离器结构，所述分离器结构介于所述第一旋转轴线与所述第二旋转轴线之间，适于接收朝向所述第二沉积区溅射的所述第一材料以及朝向所述第一沉积区溅射的所述第二材料，其中装置被配置成用来沉积包括所述第一材料的层以及所述第二材料的后续层的所述层堆叠。
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公开(公告)号：CN103314130B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201180065117.2
申请日：2011-10-24
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： H01J37/32532 , C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/345 , H01J37/3452 , H01J37/3455
摘要： 提供了一种用于溅射沉积装置的阴极组件130、200、300、400）以及用于涂布基板的方法。阴极组件具有用于在基板上涂布的涂布侧。此外，阴极组件包括：旋转靶组件，所述旋转靶组件适合于围绕旋转轴（220、320、420）旋转靶材料210、310、410）；至少一个第一磁体组件（230、330、340、430、431、432、433），所述至少一个第一磁体组件具有内部磁极和至少一个外部磁极且适于产生一个或多个等离子体区（240、250、340、350、440、441、442、443）。阴极组件（130、200、300、400）具有对于一个磁极的第一角坐标，将所述磁极提供用于所述涂布侧；以及对于另一磁极的第二角坐标，将所述磁极提供用于涂布侧；其中第一角坐标（260、360、460）和第二角坐标270、370、461）界定大于约20度且小于约160度的角度α。
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