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公开(公告)号：CN105051242A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201380073525.1
申请日：2013-02-25
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/0047 , C23C14/0063 , C23C14/06 , C23C14/0641 , C23C14/0652 , C23C14/0676 , C23C14/0694 , C23C14/081 , C23C14/083 , C23C14/086
Abstract: 描述了一种用于在基板(310)上沉积材料的装置。装置包括真空腔室(300)；基板接收部(305)，基板接收部(305)位于真空腔室中，用以在沉积材料的期间内接收基板；靶材支撑件(320)，靶材支撑件(320)用以在沉积材料于基板(305)上的期间内固持靶材(330)；等离子体产生装置，等离子体产生装置位于真空腔室(300)中，用以于基板接收部(305)与靶材支撑件(320)之间产生等离子体；以及第一气体入口(360)，第一气体入口(360)用以提供气体超音速流(365)，其中所述第一气体入口是导向基板接收部(305)。再者，还描述了一种在真空腔室(300)中沉积材料于基板(310)上的方法。所述方法包括于基板(310)与靶材(330)之间形成等离子体、利用等离子体从靶材(330)释出粒子(335)，以及导引第一气体的超音速流(365)朝向基板的表面，所述材料将被沉积于基板的表面上。
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公开(公告)号：CN103314130B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201180065117.2
申请日：2011-10-24
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/32532 , C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/345 , H01J37/3452 , H01J37/3455
Abstract: 提供了一种用于溅射沉积装置的阴极组件130、200、300、400）以及用于涂布基板的方法。阴极组件具有用于在基板上涂布的涂布侧。此外，阴极组件包括：旋转靶组件，所述旋转靶组件适合于围绕旋转轴（220、320、420）旋转靶材料210、310、410）；至少一个第一磁体组件（230、330、340、430、431、432、433），所述至少一个第一磁体组件具有内部磁极和至少一个外部磁极且适于产生一个或多个等离子体区（240、250、340、350、440、441、442、443）。阴极组件（130、200、300、400）具有对于一个磁极的第一角坐标，将所述磁极提供用于所述涂布侧；以及对于另一磁极的第二角坐标，将所述磁极提供用于涂布侧；其中第一角坐标（260、360、460）和第二角坐标270、370、461）界定大于约20度且小于约160度的角度α。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103890226A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201180072999.5
申请日：2011-08-09
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C14/042 , C23C16/042
Abstract: 说明了一种用以形成沉积材料层于基板上的沉积设备。沉积设备包括：基板支撑件，用以支撑基板；以及边缘（660）排除遮罩（640），用以在层沉积期间覆盖基板（610）的周边。遮罩具有至少一框部，该至少一框部定义一孔洞。遮罩的该至少一框部用以根据在遮罩的该至少一框部上沉积的沉积材料的数量来相对于基板移动（670，680）。进一步来说，说明了一种利用边缘排除遮罩来沉积沉积材料层于基板上的方法。
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公开(公告)号：CN103314130A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201180065117.2
申请日：2011-10-24
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/32532 , C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/345 , H01J37/3452 , H01J37/3455
Abstract: 提供了一种用于溅射沉积装置的阴极组件（130、200、300、400）以及用于涂布基板的方法。阴极组件具有用于在基板上涂布的涂布侧。此外，阴极组件包括：旋转靶组件，所述旋转靶组件适合于围绕旋转轴（220、320、420）旋转靶材料（210、310、410）；至少一个第一磁体组件（230、330、340、430、431、432、433），所述至少一个第一磁体组件具有内部磁极和至少一个外部磁极且适于产生一个或多个等离子体区（240、250、340、350、440、441、442、443）。阴极组件（130、200、300、400）具有对于一个磁极的第一角坐标，将所述磁极提供用于所述涂布侧；以及对于另一磁极的第二角坐标，将所述磁极提供用于涂布侧；其中第一角坐标（260、360、460）和第二角坐标（270、370、461）界定大于约20度且小于约160度的角度α。
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公开(公告)号：CN206624912U
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201490001442.1
申请日：2014-05-20
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C14/56 , C23C16/4412 , C23C16/54
Abstract: 一种用于在基板上沉积材料的沉积装置(300)。沉积装置(300)包括第一处理腔室(310)和第二处理腔室(320)；位于第一处理腔室(310)内的至少一个第一沉积源(311)和位于第二处理腔室(320)内的至少一个第二沉积源(321)；和至少一个第一遮蔽设备(350)。此至少一个第一遮蔽设备(350)配置为至少在第一位置和第二位置之间为可移动的，其中此至少一个第一遮蔽设备(350)配置为当至少一个第一遮蔽设备(350)在第一位置时遮蔽至少一个第一沉积源(311)，且其中至少一个第一遮蔽设备(350)配置为在第一处理腔室(310)和第二处理腔室(320)之间为可移动的。
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公开(公告)号：CN206858652U
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201490001446.X
申请日：2014-05-20
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C14/568 , C23C14/3464 , C23C14/562
Abstract: 提供一种用于在基板上沉积材料的沉积设备(300)。沉积设备(300)包括：两个或更多的处理腔室，包括第一处理腔室(310)及第二处理腔室(320)；基板支撑件(330)，至少延伸通过第一处理腔室(310)及第二处理腔室(320)；及两个或更多的沉积源组件，包括第一处理腔室(310)中的第一沉积源组件(350)及第二处理腔室(320)中的第二沉积源组件(360)。该两个或更多的沉积源组件的每一个包括配置成支撑至少一个第一沉积源与至少一个工艺装置的至少一沉积源支撑件(351,361)。该至少一个沉积源支撑件(351,361)配置成至少在第一位置与第二位置之间是可移动的。在第一位置中，至少一个第一沉积源取向朝向基板支撑件(330)，在第二位置中，至少一个工艺装置取向朝向基板支撑件(330)。
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公开(公告)号：CN206654950U
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201490001441.7
申请日：2014-05-15
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C14/225 , C23C14/352 , C23C14/568 , H01J37/32733 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/345 , H01J37/3452
Abstract: 提供了一种通过旋转靶材组件在两个涂布区域中涂布基板的装置。此溅射沉积装置具有两个或更多个涂布区域以用于涂布所述基板。所述溅射沉积装置包括第一基板导引系统，用以在第一涂布区域中导引所述基板，其中所述第一基板导引系统定义第一基板输送方向。所述溅射沉积装置还包括第二基板导引系统，用以在第二涂布区域中导引所述基板，所述第二基板导引系统定义第二基板输送方向。所述第二基板输送方向是与所述第一基板输送方向相同的方向或不同于所述第一基板输送方向。所述溅射沉积装置还包括：第一阴极组件、第二阴极组件、第三阴极组件以及第四阴极组件。
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