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    可配置的可变位置式封闭轨道磁电管
    1.
    发明授权
    可配置的可变位置式封闭轨道磁电管 有权

    公开(公告)号：CN104937134B

    公开(公告)日：2017-10-27

    申请号：CN201480005804.9

    申请日：2014-02-24

    申请人： 应用材料公司

    发明人： 艾伦·里奇 ,  瑞安·汉森 ,  赵贤伟

    IPC分类号： C23C14/35

    CPC分类号： H01J37/3455 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3461

    摘要： 本文提供用于磁电管组件的方法和设备。在一些实施方式中，磁电管组件包括：第一底板；第二底板，所述第二底板相对于第一底板在第一位置与第二位置之间是可移动的；外部磁极，所述外部磁极为环形并包括耦接至第一底板的外部磁极区段和耦接至第二底板的外部磁极区段；和内部磁极，所述内部磁极设置于外部磁极内，其中外部磁极和内部磁极限定闭环磁场，并且其中当在第一位置和第二位置两者中设置第二底板时维持所述闭环磁场。

    磁控管溅射装置用旋转式阴极单元
    2.
    发明公开
    磁控管溅射装置用旋转式阴极单元 无效

    公开(公告)号：CN107250427A

    公开(公告)日：2017-10-13

    申请号：CN201680012047.7

    申请日：2016-01-08

    申请人： 株式会社爱发科

    发明人： 斋藤修司

    IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/34

    CPC分类号： C23C14/355 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/342 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3455 ,  H01J37/3497

    摘要： 本发明提供一种在靶(Tg)的母线方向全长上均匀侵蚀靶的磁控管溅射装置用旋转式阴极单元(RC)。设置在圆筒状的靶内，产生从靶表面泄漏的磁场且通过磁场的垂直分量为零的位置的线沿靶的母线延伸并封闭成跑道形的磁铁单元(Mu)分为：在靶的母线方向两端分别形成跑道的拐角部的第一部分(5a)、从第一部分在靶的母线方向内向与第一部分分别相邻配置的第二部分(5b)、以及位于第二部分彼此之间的第三部分(5c)。使第一部分～第三部分独立并可相对于靶表面接近远离地进退的移动装置(6)收纳在靶的内部空间中。

    成膜装置及成膜方法
    4.
    发明授权
    成膜装置及成膜方法 失效

    公开(公告)号：CN105189810B

    公开(公告)日：2017-09-29

    申请号：CN201480027855.1

    申请日：2014-03-31

    申请人： 株式会社神户制钢所

    发明人： 永峰明日香 ,  玉垣浩

    IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/56

    CPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/35 ,  C23C14/562 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3452

    摘要： 提供一种仅将磁铁单元和靶材替换就能够对应于基材的尺寸变更的成膜装置。本发明的成膜装置（1）是使用与基材（W）的正面对置的蒸发源（2）对被输送的基材（W）的表面进行成膜的装置，蒸发源（2）具有靶材（7）、背板（8）、磁铁单元（9）、阴极体（10）和冷却水流路（12）。冷却水流路（12）是磁铁单元（9）与背板（8）分离而形成的空间，冷却水能够在该空间中流通。作为磁铁单元（9），可以对应于比基材（W）窄幅的窄幅基材而配备短尺寸的尺寸者，作为靶材（7），对应于配备的磁铁单元（9）的宽度而配备短尺寸的尺寸者。

    磁控管以及应用该磁控管的磁控溅射设备
    8.
    发明授权
    磁控管以及应用该磁控管的磁控溅射设备 有权

    公开(公告)号：CN103887130B

    公开(公告)日：2016-08-31

    申请号：CN201210562303.3

    申请日：2012-12-21

    申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

    发明人： 李杨超 ,  王厚工 ,  耿波 ,  吕峰

    IPC分类号： H01J25/50 ,  H01J23/02 ,  C23C14/35

    CPC分类号： H01J37/3408 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/347

    摘要： 本发明提供一种磁控管和磁控溅射设备，包括极性相反的外磁极和内磁极，其中，在垂直于所述磁控管的径向截面上，所述内磁极为由两段螺旋线首尾串接而形成的不对称的闭合环形，且该螺旋线遵循下述极坐标方程：r＝a×θn+b×(cosθ)m+c×(tanθ)k+d，其中，r和θ为极坐标，n，m和k分别为θ、cosθ和tanθ的指数，且?2＜n＜2，?2＜m＜2，?2＜k＜2；而且，所述内磁极和与之形状相对应的外磁极相互不接触地嵌套在一起，以在二者之间形成闭合且不对称的通道；并且，该通道在磁控管扫描靶材表面时经过靶材的中心和边缘。本发明提供一种磁控管，不仅可以实现采用较低的溅射气压就能够满足启辉和维持等离子体的工艺条件，而且还可以提高薄膜厚度在基片径向方向上的均匀性，从而可以提高成膜质量。

    线性扫描溅射系统和方法
    9.
    发明授权
    线性扫描溅射系统和方法 有权

    公开(公告)号：CN104114741B

    公开(公告)日：2016-06-22

    申请号：CN201280059621.6

    申请日：2012-11-02

    申请人： 因特瓦克公司

    发明人： D·W·布朗 ,  V·沙阿 ,  T·佩德森 ,  T·布卢克

    IPC分类号： C23C14/35

    CPC分类号： H01J37/3455 ,  C23C14/35 ,  C23C14/56 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3452

    摘要： 一种溅射系统，其具有带输入端口和输出端口的处理室，和定位在所述处理室的壁上的溅射靶。可动的磁体配置被定位在所述溅射靶的后面并且在所述靶的后面往复地滑动。输送机以恒定速度连续地运输基片经过所述溅射靶，使得在任意给定时刻，若干基片在前缘和后缘之间面对所述靶。所述可动的磁体配置以至少是所述输送机的所述恒定速度几倍的速度滑动。旋转区域被限定在靶的所述前缘和后缘的后面，其中所述磁体配置当其进入所述旋转区域时减速、且当其在所述旋转区域内调转滑动方向时加速。