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公开(公告)号：CN104937134B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201480005804.9
申请日：2014-02-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/35
CPC classification number: H01J37/3455 , H01J37/3405 , H01J37/3452 , H01J37/3461
Abstract: 本文提供用于磁电管组件的方法和设备。在一些实施方式中，磁电管组件包括：第一底板；第二底板，所述第二底板相对于第一底板在第一位置与第二位置之间是可移动的；外部磁极，所述外部磁极为环形并包括耦接至第一底板的外部磁极区段和耦接至第二底板的外部磁极区段；和内部磁极，所述内部磁极设置于外部磁极内，其中外部磁极和内部磁极限定闭环磁场，并且其中当在第一位置和第二位置两者中设置第二底板时维持所述闭环磁场。
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公开(公告)号：CN103180483B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201180051170.7
申请日：2011-09-06
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C14/046 , C23C14/185 , C23C14/3492
Abstract: 在此提供在高深宽比特征结构中沉积金属的方法。一些实施例中，一种处理衬底的方法包括以下步骤：施加VHF频率的RF功率至包含金属的靶材以从等离子体形成气体形成等离子体，所述靶材配置在所述PVD腔室中于所述衬底上方；使用所述等离子体从所述靶材溅射金属原子，同时在所述PVD腔室中维持第一压力，所述第一压力足以离子化溅射的所述金属原子的主要部分；将所述离子化的金属原子沉积在所述开口的底部表面上以及沉积在所述衬底的第一表面上；施加第一RF功率以从所述底部表面与上表面再分配至少一些沉积的所述金属原子至所述开口的侧壁；以及重复所述沉积工艺与所述再分配工艺，直到金属的第一层沉积在所述开口的实质上所有表面上为止。
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公开(公告)号：CN102918175A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180027524.4
申请日：2011-03-31
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/3405 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的实施例提供用于物理气相沉积(PVD)处理基板的改善方法和装置。在某些实施例中，物理气相沉积装置(PVD)可包括：靶材组件，所述靶材组件具有包含待沉积于基板上的源材料的靶材、反向配置于靶材背面并沿靶材的周围边缘电耦接至靶材的相对源分配板、和配置在靶材背面与源分配板之间的空腔；在与靶材的中央轴重合的一点处耦接至源分配板上的电极；和包括可旋转磁铁的磁控管组件，可旋转磁铁配置于空腔内且具有与靶材组件的中央轴对齐的旋转轴，其中所述磁控管组件并非由电极驱动。
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公开(公告)号：CN102859029A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180020863.X
申请日：2011-03-28
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/3405 , H01J37/3411
Abstract: 在某些实施例中，一种用来将射频能量耦接至靶材的馈送结构可包括：主体，该主体具有用来接收射频能量的第一末端和与该第一末端相对以将该射频能量耦接至靶材的第二末端，该主体进一步具有被设置为从该第一末端至该第二末端贯穿该主体的中心开口；第一部件，该第一部件在该第一末端处耦接至该主体，其中该第一部件包括外接该主体且从该主体径向向外延伸的第一元件，和设置在该第一部件中以从射频电源接收射频能量的一个或多个端子；和源分布板，该源分布板耦接至该主体的该第二末端以将该射频能量分布至该靶材，其中该源分布板包括被设置为贯穿该板且与该主体的该中心开口对准的孔。
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公开(公告)号：CN106086804A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610580821.6
申请日：2011-06-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/35 , C23C14/54 , C23C16/505 , C23C16/52 , H01L21/67 , H01L21/203 , H01L21/205
CPC classification number: C23C14/35 , C23C16/517 , H01J37/32651 , H01J37/34 , H01J37/3411 , H01J37/3455 , C23C14/542 , C23C16/505 , C23C16/52 , H01L21/02365 , H01L21/67155
Abstract: 本发明的一个或多个实施例涉及沉积设备，所述沉积设备包括接地顶壁、处理腔室和等离子体源组件，所述等离子体源组件具有导电中空圆柱及实质连续接地遮护板，所述接地遮护板实质顺应所述中空圆柱的形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102859029B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201180020863.X
申请日：2011-03-28
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/3405 , H01J37/3411
Abstract: 在某些实施例中，一种用来将射频能量耦接至靶材的馈送结构可包括：主体，该主体具有用来接收射频能量的第一末端和与该第一末端相对以将该射频能量耦接至靶材的第二末端，该主体进一步具有被设置为从该第一末端至该第二末端贯穿该主体的中心开口；第一部件，该第一部件在该第一末端处耦接至该主体，其中该第一部件包括外接该主体且从该主体径向向外延伸的第一元件，和设置在该第一部件中以从射频电源接收射频能量的一个或多个端子；和源分布板，该源分布板耦接至该主体的该第二末端以将该射频能量分布至该靶材，其中该源分布板包括被设置为贯穿该板且与该主体的该中心开口对准的孔。
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公开(公告)号：CN103180483A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051170.7
申请日：2011-09-06
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C14/046 , C23C14/185 , C23C14/3492
Abstract: 在此提供在高深宽比特征结构中沉积金属的方法。一些实施例中，一种处理衬底的方法包括以下步骤：施加VHF频率的RF功率至包含金属的靶材以从等离子体形成气体形成等离子体，所述靶材配置在所述PVD腔室中于所述衬底上方；使用所述等离子体从所述靶材溅射金属原子，同时在所述PVD腔室中维持第一压力，所述第一压力足以离子化溅射的所述金属原子的主要部分；将所述离子化的金属原子沉积在所述开口的底部表面上以及沉积在所述衬底的第一表面上；施加第一RF功率以从所述底部表面与上表面再分配至少一些沉积的所述金属原子至所述开口的侧壁；以及重复所述沉积工艺与所述再分配工艺，直到金属的第一层沉积在所述开口的实质上所有表面上为止。
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公开(公告)号：CN104204285B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201380017345.1
申请日：2013-03-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/34 , H01J37/32495 , H01J37/32642 , H01J37/32651 , H01J37/3405
Abstract: 在此提供用于处理基板的设备。在一些实施方式中，一种设备包括处理配件，所述处理配件包括挡板，所述挡板具有配置成围绕第一容积的一个或更多个侧壁，所述第一容积设置在工艺腔室的内容积内；以及第一环，所述第一环可移动地介于第一位置与第二位置之间，在第一位置，第一环置于挡板上，而在第二位置，在第一环的外表面与一个或更多个侧壁的内表面之间形成间隙，其中对于在约40MHz或更高的频率下和约140毫托或更低的压力下形成的等离子体而言，间隙的宽度小于约两倍等离子体壳层的宽度。
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公开(公告)号：CN103081061B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201180036763.6
申请日：2011-06-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/203 , H01L21/205
CPC classification number: C23C14/35 , C23C16/517 , H01J37/32651 , H01J37/34 , H01J37/3411 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的一个或多个实施例涉及沉积设备，所述沉积设备包括接地顶壁、处理腔室和等离子体源组件，所述等离子体源组件具有导电中空圆柱及实质连续接地遮护板，所述接地遮护板实质顺应所述中空圆柱的形状。
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公开(公告)号：CN103026462B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201180036678.X
申请日：2011-07-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/203 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76898 , C23C14/046 , C23C14/34 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/354 , C23C16/503 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01J37/3408 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76865 , H01L21/76873
Abstract: 本发明提供一种在形成于基板上的高深宽比特征结构中沉积金属的方法。在某些实施例中，一方法包括以超高频(VHF)频率施加第一射频(RF)功率至含金属的靶材以形成等离子体，该靶材设置在基板上方；施加直流(DC)功率至靶材，以引导等离子体朝向靶材；利用等离子体从靶材溅射金属原子，同时维持物理气相沉积(PVD)腔室内的压力使足以离子化大部分的金属原子；在开口的底表面上以及基板的第一表面上沉积第一多个金属原子；施加第二RF功率以将至少某些第一多个金属原子从底表面重分配至该开口侧壁的下部；以及通过减少PVD腔室内的离子化金属原子数量在侧壁上部沉积第二多个金属原子，其中第一多个金属原子与第二多个金属原子形成第一层，该第一层实质上沉积在开口的全表面上。
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