-
公开(公告)号：CN1938449B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200580009861.5
申请日：2005-02-23
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 弗兰克·M·小切里奥 , 雅克·法戈特 , 布鲁斯·D·吉特莱曼 , 罗德尼·L·罗宾森
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01L21/2855 , C23C14/025 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3492 , H01J37/32706 , H01J2237/3327 , H01L21/76843 , H01L21/76865 , H01L21/76873 , H01L2221/1078 , H01L2221/1089
摘要： 设置iPVD系统(200)，用于将例如阻挡材料(912)的均一材料沉积在半导体衬底(21)上的高深宽比的纳米尺寸构件(11)中，所采用的工艺在真空室(30)内相对于表面(10)和底部(15)覆盖而增加了侧壁(16)覆盖，而使突悬(14)最小和消除。在低靶功率和＞50mT的高压下操作iPVD系统(200)，从而由靶溅射材料。将RF能量耦合到处理室中，从而形成高密度等离子体。为了提高覆盖特别是底部覆盖，可施加小RF偏压(仅数伏特)。
-
公开(公告)号：CN101044258B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200580035895.1
申请日：2005-10-18
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/14 , C23C14/06 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/2855 , C23C14/046 , C23C14/3471 , H01J37/34 , H01J2237/3327 , H01L21/76844 , H01L21/76865 , H01L21/76871 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L2221/1089
摘要： 本发明涉及利用等离子体溅射在半导体晶片(S)的上面和在上面开口的凹部的表面形成金属薄膜的技术。本发明的成膜方法的特征在于：利用放电气体的等离子体在处理容器(14)内溅射金属靶(56)而产生金属离子，同时，对载置台(20)施加偏置电力，其中，该电力的大小使在处理体(S)上面通过金属离子的引入进行的金属膜的沉积和通过放电气体的等离子体进行的溅射蚀刻同时发生。
-
公开(公告)号：CN101924006B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201010243822.4
申请日：2004-06-22
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： H01J37/3402 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3457 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/32623 , H01J37/3408 , H01J37/3411 , H01J37/3441 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76877
摘要： 本发明涉及用于溅射反应器中的护罩。本发明的一个方面包括定位在等离子体溅射反应器的室壁外部的辅助磁环，其至少部分地布置在RF线圈的径向外部，该RF线圈用于感应发生等离子体，尤其是用于溅射刻蚀被溅射沉积的衬底。由此，磁阻挡防止等离子体向外泄漏至线圈，并改进溅射刻蚀的不均匀性。当线圈由与主靶相同材料制成时，线圈被用作第二磁体时，磁场还充当磁体。本发明的另一方面包括从靶延伸到支座的单片内护罩，该内护罩具有光滑内表面并在护罩中间部分由环形法兰支撑。该护罩可以被用于支撑RF线圈。
-
公开(公告)号：CN1301880A
公开(公告)日：2001-07-04
申请号：CN00135989.4
申请日：2000-10-08
申请人： 应用材料有限公司
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/14 , H01L21/3205 , H01L21/283
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3457 , C23C14/35 , C23C14/358 , C23C14/564 , H01J37/321 , H01J37/3402 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76862 , H01L21/76865 , H01L21/76868 , H01L21/76871 , H01L21/76873 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L2221/1089
摘要： 溅射铜的DC磁控管溅射反应器,优选压力低于5毫乇,使用SIP作第一铜层将铜涂覆进入窄而深的通道或沟槽的方法。使用有磁强度不相等磁极的小磁控管促进SIP并且在溅射期间向靶施加高功率。通过长投射溅射促进洞孔填充,靶－基体间隔是基体直径的至少50%,SIP铜层起籽晶和成核层作用。可联合SIP和高密度等离子体溅射来沉积铜籽晶层。优选以冷激发工序来激发等离子体,在存在较高压的氩气工作气体下向靶施加较低功率。激发后,降低压力,将靶功率提升到较高的作业量级,以便溅射沉积薄膜。
-
公开(公告)号：CN103026462A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036678.X
申请日：2011-07-21
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76898 , C23C14/046 , C23C14/34 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/354 , C23C16/503 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01J37/3408 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76865 , H01L21/76873
摘要： 本发明提供一种在形成于基板上的高深宽比特征结构中沉积金属的方法。在某些实施例中，一方法包括以超高频(VHF)频率施加第一射频(RF)功率至含金属的靶材以形成等离子体，该靶材设置在基板上方；施加直流(DC)功率至靶材，以引导等离子体朝向靶材；利用等离子体从靶材溅射金属原子，同时维持物理气相沉积(PVD)腔室内的压力使足以离子化大部分的金属原子；在开口的底表面上以及基板的第一表面上沉积第一多个金属原子；施加第二RF功率以将至少某些第一多个金属原子从底表面重分配至该开口侧壁的下部；以及通过减少PVD腔室内的离子化金属原子数量在侧壁上部沉积第二多个金属原子，其中第一多个金属原子与第二多个金属原子形成第一层，该第一层实质上沉积在开口的全表面上。
-
公开(公告)号：CN101044258A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200580035895.1
申请日：2005-10-18
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/14 , C23C14/06 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/2855 , C23C14/046 , C23C14/3471 , H01J37/34 , H01J2237/3327 , H01L21/76844 , H01L21/76865 , H01L21/76871 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L2221/1089
摘要： 本发明涉及利用等离子体溅射在半导体晶片(S)的上面和在上面开口的凹部的表面形成金属薄膜的技术。本发明的成膜方法的特征在于：利用放电气体的等离子体在处理容器(14)内溅射金属靶(56)而产生金属离子，同时，对载置台(20)施加偏置电力，其中，该电力的大小使在处理体(S)上面通过金属离子的引入进行的金属膜的沉积和通过放电气体的等离子体进行的溅射蚀刻同时发生。
-
公开(公告)号：CN1606795A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN02822495.7
申请日：2002-11-07
申请人： 应用材料有限公司
IPC分类号： H01J37/34
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3457 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/3408 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76838 , H01L21/76877
摘要： 辅助磁体的阵列(60)沿磁控溅射反应器的侧壁(14)一边设置，该边从靶(16)的一边对着晶片。该磁控管优选为一个小而强的磁控管，其具有第一磁极性的强度较高的外磁体(42)，外磁体围绕具有第二磁极性的强度较弱的磁体，且该磁控管绕室中心轴(38)旋转。该辅助磁体优选具有第一磁极性以吸引不平衡的磁场分量投向晶片。该辅助磁体可为永磁体(62)或电磁体(90)。
-
公开(公告)号：CN104583909B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201380044125.8
申请日：2013-08-13
申请人： 微软技术许可有限责任公司
IPC分类号： G06F3/01
CPC分类号： G06F3/04883 , B01J8/0015 , B01J8/02 , B01J2208/00017 , B01J2208/00539 , B01J2208/00548 , B01J2208/00752 , B01J2208/024 , B05D1/04 , C01B31/0226 , C23C14/024 , C23C14/0605 , C23C14/221 , C23C14/24 , C23C14/325 , C23C14/34 , C23C14/54 , C23C16/0272 , C23C16/26 , C23C16/52 , G06F3/016 , G06F3/033 , G06F3/03545 , G06F3/0481 , G06F3/04842 , G06F2203/04807 , H01J37/34 , H01J2237/3327
摘要： 提供经由输入设备的、与同兴趣点(POI)的交互相关联的反馈以及涂写识别。在使用输入设备导航GUI时，各个POI可被确定为对于用户注意、关注或避免而言有益的元素。在接收到可能与POI相关联的输入时，可提供反馈。反馈可包括触觉、视觉、或可听反馈。还可提供涂写识别。在使用输入设备(例如数字笔)时，用户可在页边空白中“涂写”以测试笔的属性。在识别出涂写后，可在上下文菜单中呈现替换笔属性。另外，在选择笔属性后或在UI的另一区域中接收到输入后，涂写可被自动擦除，或者作为替换，反馈可在擦除涂写输入之前被提供。
-
公开(公告)号：CN104583909A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380044125.8
申请日：2013-08-13
申请人： 微软公司
IPC分类号： G06F3/01
CPC分类号： G06F3/04883 , B01J8/0015 , B01J8/02 , B01J2208/00017 , B01J2208/00539 , B01J2208/00548 , B01J2208/00752 , B01J2208/024 , B05D1/04 , C01B31/0226 , C23C14/024 , C23C14/0605 , C23C14/221 , C23C14/24 , C23C14/325 , C23C14/34 , C23C14/54 , C23C16/0272 , C23C16/26 , C23C16/52 , G06F3/016 , G06F3/033 , G06F3/03545 , G06F3/0481 , G06F3/04842 , G06F2203/04807 , H01J37/34 , H01J2237/3327
摘要： 提供经由输入设备的、与同兴趣点(POI)的交互相关联的反馈以及涂写识别。在使用输入设备导航GUI时，各个POI可被确定为对于用户注意、关注或避免而言有益的元素。在接收到可能与POI相关联的输入时，可提供反馈。反馈可包括触觉、视觉、或可听反馈。还可提供涂写识别。在使用输入设备(例如数字笔)时，用户可在页边空白中“涂写”以测试笔的属性。在识别出涂写后，可在上下文菜单中呈现替换笔属性。另外，在选择笔属性后或在UI的另一区域中接收到输入后，涂写可被自动擦除，或者作为替换，反馈可在擦除涂写输入之前被提供。
-
公开(公告)号：CN101924006A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010243822.4
申请日：2004-06-22
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： H01J37/3402 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3457 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/32623 , H01J37/3408 , H01J37/3411 , H01J37/3441 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76877
摘要： 本发明涉及用于溅射反应器中的护罩。本发明的一个方面包括定位在等离子体溅射反应器的室壁外部的辅助磁环，其至少部分地布置在RF线圈的径向外部，该RF线圈用于感应发生等离子体，尤其是用于溅射刻蚀被溅射沉积的衬底。由此，磁阻挡防止等离子体向外泄漏至线圈，并改进溅射刻蚀的不均匀性。当线圈由与主靶相同材料制成时，线圈被用作第二磁体时，磁场还充当磁体。本发明的另一方面包括从靶延伸到支座的单片内护罩，该内护罩具有光滑内表面并在护罩中间部分由环形法兰支撑。该护罩可以被用于支撑RF线圈。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
16 条记录 (耗时 0.012 秒)
