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公开(公告)号：CN101924006A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010243822.4
申请日：2004-06-22
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/3402 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3457 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/32623 , H01J37/3408 , H01J37/3411 , H01J37/3441 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76877
Abstract: 本发明涉及用于溅射反应器中的护罩。本发明的一个方面包括定位在等离子体溅射反应器的室壁外部的辅助磁环，其至少部分地布置在RF线圈的径向外部，该RF线圈用于感应发生等离子体，尤其是用于溅射刻蚀被溅射沉积的衬底。由此，磁阻挡防止等离子体向外泄漏至线圈，并改进溅射刻蚀的不均匀性。当线圈由与主靶相同材料制成时，线圈被用作第二磁体时，磁场还充当磁体。本发明的另一方面包括从靶延伸到支座的单片内护罩，该内护罩具有光滑内表面并在护罩中间部分由环形法兰支撑。该护罩可以被用于支撑RF线圈。
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公开(公告)号：CN101884091A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200880118551.0
申请日：2008-11-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 约翰·福斯特 , 阿纳恩萨·苏布拉玛尼 , 伟·D·王
IPC: H01L21/203 , H01L21/304 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32477 , C23C14/34 , H01J37/32495 , H01L21/02043 , H01L21/67005
Abstract: 本发明揭示一种用以减少等离子体处理室中微粒污染的方法与设备。在一个实施例中，本发明提供黏贴盘，该黏贴盘包括盘形基部，该盘形基部由高电阻材料组成，导电黏贴材料层施加到该基部之顶表面，因而该黏贴材料层部分地覆盖住该基部之顶表面。该黏贴盘被溅射蚀刻，以在等离子体处理室之内部面积的大范围上沉积导电黏贴材料，同时可以将在多个电介质部件上的沉积减到最少，其中该些电介质部件用以在衬底处理期间最适化溅射蚀刻处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1813332B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200480017849.4
申请日：2004-06-22
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/3402 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3457 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/32623 , H01J37/3408 , H01J37/3411 , H01J37/3441 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76877
Abstract: 本发明的一个方面包括定位在等离子体溅射反应器的室壁外部的辅助磁环，其至少部分地布置在RF线圈的径向外部，该RF线圈用于感应发生等离子体，尤其是用于溅射刻蚀被溅射沉积的衬底。由此，磁阻挡防止等离子体向外泄漏至线圈，并改进溅射刻蚀的不均匀性。当线圈由与主靶相同材料制成时，线圈被用作第二磁体时，磁场还充当磁体。本发明的另一方面包括从靶延伸到支座的单片内屏壁，该内护罩具有光滑内表面并在护罩中间部分由环形法兰支撑。该护罩可以被用于支撑RF线圈。
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公开(公告)号：CN1813332A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200480017849.4
申请日：2004-06-22
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/3402 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3457 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/32623 , H01J37/3408 , H01J37/3411 , H01J37/3441 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76877
Abstract: 本发明的一个方面包括定位在等离子体溅射反应器的室壁外部的辅助磁环，其至少部分地布置在RF线圈的径向外部，该RF线圈用于感应发生等离子体，尤其是用于溅射刻蚀被溅射沉积的衬底。由此，磁阻挡防止等离子体向外泄漏至线圈，并改进溅射刻蚀的不均匀性。当线圈由与主靶相同材料制成时，线圈被用作第二磁体时，磁场还充当磁体。本发明的另一方面包括从靶延伸到支座的单片内屏壁，该内护罩具有光滑内表面并在护罩中间部分由环形法兰支撑。该护罩可以被用于支撑RF线圈。
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公开(公告)号：CN119384719A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202380047269.2
申请日：2023-06-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本文所揭示的实施方式包括半导体处理工具。在一实施方式中，半导体处理工具包括：腔室；腔室内的卡盘，其中卡盘被配置来旋转；围绕卡盘的基座支架；以及耦接到卡盘的公用柱。在一实施方式中，公用柱包括使卡盘和公用柱的部分能够旋转的磁耦合器，以及旋转电馈通器。
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公开(公告)号：CN101924006B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201010243822.4
申请日：2004-06-22
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/3402 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3457 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/32623 , H01J37/3408 , H01J37/3411 , H01J37/3441 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76877
Abstract: 本发明涉及用于溅射反应器中的护罩。本发明的一个方面包括定位在等离子体溅射反应器的室壁外部的辅助磁环，其至少部分地布置在RF线圈的径向外部，该RF线圈用于感应发生等离子体，尤其是用于溅射刻蚀被溅射沉积的衬底。由此，磁阻挡防止等离子体向外泄漏至线圈，并改进溅射刻蚀的不均匀性。当线圈由与主靶相同材料制成时，线圈被用作第二磁体时，磁场还充当磁体。本发明的另一方面包括从靶延伸到支座的单片内护罩，该内护罩具有光滑内表面并在护罩中间部分由环形法兰支撑。该护罩可以被用于支撑RF线圈。
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公开(公告)号：CN101884091B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200880118551.0
申请日：2008-11-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 约翰·福斯特 , 阿纳恩萨·苏布拉玛尼 , 伟·D·王
IPC: H01L21/203 , H01L21/304 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32477 , C23C14/34 , H01J37/32495 , H01L21/02043 , H01L21/67005
Abstract: 本发明揭示一种用以减少等离子体处理室中微粒污染的方法与设备。在一个实施例中，本发明提供黏贴盘，该黏贴盘包括盘形基部，该盘形基部由高电阻材料组成，导电黏贴材料层施加到该基部之顶表面，因而该黏贴材料层部分地覆盖住该基部之顶表面。该黏贴盘被溅射蚀刻，以在等离子体处理室之内部面积的大范围上沉积导电黏贴材料，同时可以将在多个电介质部件上的沉积减到最少，其中该些电介质部件用以在衬底处理期间最适化溅射蚀刻处理。
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