公开(公告)号：CN105256276B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201510564706.5

申请日：2011-06-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 曹勇 ,  唐先民 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  伟·D·王 ,  刘振东 ,  凯文·莫雷斯 ,  穆罕默德·M·拉希德 ,  清·X·源 ,  阿南塔克里希纳·朱普迪

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  H01L21/285

Abstract: 一种具有增强的离子化和RF功率耦合的低电阻率钨PVD。本文所述实施例提供一种半导体器件以及形成该半导体器件的方法和设备。该半导体器件包括基板及栅电极叠层，该基板具有源极区与漏极区，并且该栅电极叠层位于基板上并且在源极区和漏极区之间。该栅电极叠层包括位于栅极介电层上的导电膜层、位于该导电膜层上的耐火金属氮化物膜层、位于该耐火金属氮化物膜层上的含硅膜层以及位于该含硅膜层上的钨膜层。在一个实施例中，该方法包括使基板置于处理腔室中，其中该基板包括源极区及漏极区、位于该源极区与漏极区之间的栅极介电层以及位于该栅极介电层上的导电膜层。该方法还包括在该导电膜层上沉积耐火金属氮化物膜层、在该耐火金属氮化物膜层上沉积含硅膜层以及在该含硅膜层上沉积钨膜层。

公开(公告)号：CN101884091A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880118551.0

申请日：2008-11-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 约翰·福斯特 ,  阿纳恩萨·苏布拉玛尼 ,  伟·D·王

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32477 ,  C23C14/34 ,  H01J37/32495 ,  H01L21/02043 ,  H01L21/67005

Abstract: 本发明揭示一种用以减少等离子体处理室中微粒污染的方法与设备。在一个实施例中，本发明提供黏贴盘，该黏贴盘包括盘形基部，该盘形基部由高电阻材料组成，导电黏贴材料层施加到该基部之顶表面，因而该黏贴材料层部分地覆盖住该基部之顶表面。该黏贴盘被溅射蚀刻，以在等离子体处理室之内部面积的大范围上沉积导电黏贴材料，同时可以将在多个电介质部件上的沉积减到最少，其中该些电介质部件用以在衬底处理期间最适化溅射蚀刻处理。

公开(公告)号：CN105256276A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510564706.5

申请日：2011-06-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 曹勇 ,  唐先民 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  伟·D·王 ,  刘振东 ,  凯文·莫雷斯 ,  穆罕默德·M·拉希德 ,  清·X·源 ,  阿南塔克里希纳·朱普迪

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/28079 ,  C23C14/165 ,  C23C14/345 ,  C23C14/35 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 一种具有增强的离子化和RF功率耦合的低电阻率钨PVD。本文所述实施例提供一种半导体器件以及形成该半导体器件的方法和设备。该半导体器件包括基板及栅电极叠层，该基板具有源极区与漏极区，并且该栅电极叠层位于基板上并且在源极区和漏极区之间。该栅电极叠层包括位于栅极介电层上的导电膜层、位于该导电膜层上的耐火金属氮化物膜层、位于该耐火金属氮化物膜层上的含硅膜层以及位于该含硅膜层上的钨膜层。在一个实施例中，该方法包括使基板置于处理腔室中，其中该基板包括源极区及漏极区、位于该源极区与漏极区之间的栅极介电层以及位于该栅极介电层上的导电膜层。该方法还包括在该导电膜层上沉积耐火金属氮化物膜层、在该耐火金属氮化物膜层上沉积含硅膜层以及在该含硅膜层上沉积钨膜层。

公开(公告)号：CN102939657A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201180030291.3

申请日：2011-06-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 曹勇 ,  唐先民 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  伟·D·王 ,  刘振东 ,  凯文·莫雷斯 ,  穆罕默德·M·拉希德 ,  清·X·源 ,  阿南塔克里希纳·朱普迪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L21/28079 ,  C23C14/165 ,  C23C14/345 ,  C23C14/35 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本文所述实施例提供一种半导体器件以及形成该半导体器件的方法和设备。该半导体器件包括基板及栅电极叠层，该基板具有源极区与漏极区，并且该栅电极叠层位于基板上并且在源极区和漏极区之间。该栅电极叠层包括位于栅极介电层上的导电膜层、位于该导电膜层上的耐火金属氮化物膜层、位于该耐火金属氮化物膜层上的含硅膜层以及位于该含硅膜层上的钨膜层。在一个实施例中，该方法包括使基板置于处理腔室中，其中该基板包括源极区及漏极区、位于该源极区与漏极区之间的栅极介电层以及位于该栅极介电层上的导电膜层。该方法还包括在该导电膜层上沉积耐火金属氮化物膜层、在该耐火金属氮化物膜层上沉积含硅膜层以及在该含硅膜层上沉积钨膜层。

公开(公告)号：CN102939657B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201180030291.3

申请日：2011-06-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 曹勇 ,  唐先民 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  伟·D·王 ,  刘振东 ,  凯文·莫雷斯 ,  穆罕默德·M·拉希德 ,  清·X·源 ,  阿南塔克里希纳·朱普迪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L21/28079 ,  C23C14/165 ,  C23C14/345 ,  C23C14/35 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本文所述实施例提供一种半导体器件以及形成该半导体器件的方法和设备。该半导体器件包括基板及栅电极叠层，该基板具有源极区与漏极区，并且该栅电极叠层位于基板上并且在源极区和漏极区之间。该栅电极叠层包括位于栅极介电层上的导电膜层、位于该导电膜层上的耐火金属氮化物膜层、位于该耐火金属氮化物膜层上的含硅膜层以及位于该含硅膜层上的钨膜层。在一个实施例中，该方法包括使基板置于处理腔室中，其中该基板包括源极区及漏极区、位于该源极区与漏极区之间的栅极介电层以及位于该栅极介电层上的导电膜层。该方法还包括在该导电膜层上沉积耐火金属氮化物膜层、在该耐火金属氮化物膜层上沉积含硅膜层以及在该含硅膜层上沉积钨膜层。

公开(公告)号：CN101884091B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200880118551.0

申请日：2008-11-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 约翰·福斯特 ,  阿纳恩萨·苏布拉玛尼 ,  伟·D·王

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32477 ,  C23C14/34 ,  H01J37/32495 ,  H01L21/02043 ,  H01L21/67005

Abstract: 本发明揭示一种用以减少等离子体处理室中微粒污染的方法与设备。在一个实施例中，本发明提供黏贴盘，该黏贴盘包括盘形基部，该盘形基部由高电阻材料组成，导电黏贴材料层施加到该基部之顶表面，因而该黏贴材料层部分地覆盖住该基部之顶表面。该黏贴盘被溅射蚀刻，以在等离子体处理室之内部面积的大范围上沉积导电黏贴材料，同时可以将在多个电介质部件上的沉积减到最少，其中该些电介质部件用以在衬底处理期间最适化溅射蚀刻处理。