公开(公告)号：CN102414804A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080018603.4

申请日：2010-08-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五味淳 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  横山敦 ,  石坂忠大 ,  安室千晃 ,  加藤多佳良

IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种实施有伴随500℃以上的温度的处理的后续工序的Cu配线的形成方法，其具有：在表面具有沟槽和/或孔的基板上的至少沟槽和/或孔的底面和侧面，形成由具有与Cu的晶格面间距的差为10％以内的晶格面间距的金属构成的密接膜的工序；在密接膜上以填埋沟槽和/或孔的方式形成Cu膜的工序；在Cu膜形成后的基板进行350℃以上的退火处理的工序；研磨Cu膜仅使Cu膜的对应于沟槽和/或孔的部分残留的工序；和在研磨后的Cu膜形成盖而成为Cu配线的工序。

公开(公告)号：CN101405433B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200780009285.3

申请日：2007-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木健二 ,  五味淳 ,  原正道 ,  水泽宁

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/45574

Abstract: 本发明描述了用于减少沉积系统(1)中衬底(25)的粒子污染的方法和系统。沉积系统包括布置在其中并被配置来防止或部分地防止膜前驱体粒子的通过、或者打散或部分地打散膜前驱体粒子的一个或多个粒子扩散器(47)。粒子扩散器可以安装在膜前驱体蒸发系统(50)、或蒸汽传输系统(40)、或蒸汽分配系统(30)内，或者其中两者或更多者内。

公开(公告)号：CN101978477A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980110270.5

申请日：2009-01-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原正道 ,  水泽宁 ,  多贺敏 ,  五味淳 ,  波多野达夫

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/16

CPC classification number: C23C16/45559 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28562

Abstract: 一种成膜方法，其特征在于，使包含含羰基金属原料气体和含一氧化碳运载气体的处理气体，避开所述被处理基板表面而在比被处理基板的外周更靠直径方向上外侧的区域流动，从所述处理气体流使所述羰基金属向所述被处理基板表面扩散，在所述被处理基板表面进行金属膜的成膜。

公开(公告)号：CN101421825A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200780012765.5

申请日：2007-02-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐久间隆 ,  池田太郎 ,  横山敦 ,  松田司 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/046 ,  H01J37/321 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883

Abstract: 公开了一种仅通过等离子体溅射在例如半导体晶片W的处理对象的表面中所设置的凹部中嵌入金属的技术。作为典型实例，金属为铜。作为典型实例，凹部具有直径或宽度为100nm或更小的微细孔或沟。使成膜步骤和扩散步骤交替执行多次。成膜步骤在凹部中沉积少量金属膜。扩散步骤使沉积的金属膜朝向凹部的底部移动。在成膜步骤中，将对用于支持晶片W的载置台施加的偏置电能设定到一定的值，以保证在晶片W的表面上，由于金属粒子的吸入而产生的金属沉积速率基本上等于由等离子体进行的溅射蚀刻的速率。在扩散步骤中，将晶片W保持在允许发生沉积在凹部中的金属膜的表面扩散的温度。

公开(公告)号：CN101405433A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780009285.3

申请日：2007-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木健二 ,  五味淳 ,  原正道 ,  水泽宁

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/45574

Abstract: 本发明描述了用于减少沉积系统(1)中衬底(25)的粒子污染的方法和系统。沉积系统包括布置在其中并被配置来防止或部分地防止膜前驱体粒子的通过、或者打散或部分地打散膜前驱体粒子的一个或多个粒子扩散器(47)。粒子扩散器可以安装在膜前驱体蒸发系统(50)、或蒸汽传输系统(40)、或蒸汽分配系统(30)内，或者其中两者或更多者内。

公开(公告)号：CN102349138A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201080011219.1

申请日：2010-02-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤多佳良 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  五味淳 ,  安室千晃 ,  横山敦

IPC: H01L21/3205 ,  C23C16/18 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/16 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过使用含有有机金属化合物的成膜原料并通过CVD在基板上形成Ru膜的工序和对形成有上述Ru膜的基板进行在含氢气氛中的退火的工序，形成CVD-Ru膜。

公开(公告)号：CN102112649A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980129915.X

申请日：2009-08-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五味淳 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  原正道 ,  山本薰 ,  多贺敏

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/45597 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明提供一种载置台构造。为了使用产生具有可逆性的热分解反应的原料气体在处理容器内在被处理体上形成薄膜，该载置台构造设置在上述处理容器内来载置上述被处理体，其特征在于，包括：载置台，其用于在作为其上表面的载置面载置上述被处理体；分解抑制气体供给部件，其设置在上述载置台内，用于朝向载置于上述载置台的载置面的上述被处理体的周边部供给用于抑制上述原料气体的热分解的分解抑制气体。

公开(公告)号：CN101044258B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200580035895.1

申请日：2005-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  铃木健二 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C23C14/06 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/2855 ,  C23C14/046 ,  C23C14/3471 ,  H01J37/34 ,  H01J2237/3327 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明涉及利用等离子体溅射在半导体晶片(S)的上面和在上面开口的凹部的表面形成金属薄膜的技术。本发明的成膜方法的特征在于：利用放电气体的等离子体在处理容器(14)内溅射金属靶(56)而产生金属离子，同时，对载置台(20)施加偏置电力，其中，该电力的大小使在处理体(S)上面通过金属离子的引入进行的金属膜的沉积和通过放电气体的等离子体进行的溅射蚀刻同时发生。

公开(公告)号：CN101410952B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200780004018.7

申请日：2007-01-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐久间隆 ,  池田太郎 ,  横山敦 ,  松田司 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明提供一种种膜的成膜方法、等离子体成膜装置和存储介质，该种膜的成膜方法能够不产生悬突部分地形成种膜。该种膜以下述方式形成：在能够抽真空的处理容器(24)内利用等离子体使金属靶(70)离子化而产生金属离子，利用偏压电力将金属离子引向载置在处理容器内的载置台(34)上的表面具有凹部(4)的被处理体，在包括凹部内的被处理体的表面上形成金属膜，由此形成电镀用的种膜，该成膜方法的特征在于，交替地多次重复进行下述工序：将偏压电力设定为在被处理体的表面上一度形成的金属膜不会被溅射的大小，并形成金属膜的成膜工序；和不产生金属离子，中止金属膜的形成的中止工序。

公开(公告)号：CN101432459A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780014788.X

申请日：2007-04-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐久间隆 ,  横山敦 ,  池田太郎 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3471 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明提供成膜方法、成膜装置和存储介质。将表面形成有凹部的被处理体(例如，半导体晶片(W)等)载置于设置在能够抽真空的处理容器(24)的内部的载置台(34)。之后，在处理容器(24)的内部产生等离子体，在该处理容器(24)的内部，通过上述等离子体使金属靶(70)离子化并生成金属离子。而且，向载置台(34)供给偏置电力，通过该供给的偏置电力将上述金属离子引至载置在上述载置台(34)上的上述被处理体，由此，在包括上述凹部内的表面的上述被处理体的表面上形成薄膜。在本发明中，使偏置电力的大小在上述被处理体的表面实质上不被溅射的范围内变化。