公开(公告)号：CN113936985A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202110757947.7

申请日：2021-07-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 进藤崇央 ,  冈本清一 ,  大友洋 ,  菊地贵伦 ,  松土龙夫 ,  森田靖 ,  佐久间隆

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够抑制对基片的离子冲击的同时高效地生成等离子体来进行等离子体处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置对基片实施等离子体处理，其包括：处理容器；设置在处理容器内的能够载置基片的基片载置台；基片载置台所包含的接地的下部电极；与下部电极相对地设置的上部电极；向上部电极与基片载置台之间供给处理气体的气体供给部；对上部电极施加高频电功率来生成处理气体的等离子体的高频电源；和电压波形整形部，其设置在高频电源与上部电极之间，对高频电源的电压波形进行整形，以抑制被施加于上部电极的高频电压中的正电压。

公开(公告)号：CN101421825B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200780012765.5

申请日：2007-02-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐久间隆 ,  池田太郎 ,  横山敦 ,  松田司 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/046 ,  H01J37/321 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883

Abstract: 公开了一种仅通过等离子体溅射在例如半导体晶片W的处理对象的表面中所设置的凹部中嵌入金属的技术。作为典型实例，金属为铜。作为典型实例，凹部具有直径或宽度为100nm或更小的微细孔或沟。使成膜步骤和扩散步骤交替执行多次。成膜步骤在凹部中沉积少量金属膜。扩散步骤使沉积的金属膜朝向凹部的底部移动。在成膜步骤中，将对用于支持晶片W的载置台施加的偏置电能设定到一定的值，以保证在晶片W的表面上，由于金属粒子的吸入而产生的金属沉积速率基本上等于由等离子体进行的溅射蚀刻的速率。在扩散步骤中，将晶片W保持在允许发生沉积在凹部中的金属膜的表面扩散的温度。

公开(公告)号：CN101410952B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200780004018.7

申请日：2007-01-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐久间隆 ,  池田太郎 ,  横山敦 ,  松田司 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明提供一种种膜的成膜方法、等离子体成膜装置和存储介质，该种膜的成膜方法能够不产生悬突部分地形成种膜。该种膜以下述方式形成：在能够抽真空的处理容器(24)内利用等离子体使金属靶(70)离子化而产生金属离子，利用偏压电力将金属离子引向载置在处理容器内的载置台(34)上的表面具有凹部(4)的被处理体，在包括凹部内的被处理体的表面上形成金属膜，由此形成电镀用的种膜，该成膜方法的特征在于，交替地多次重复进行下述工序：将偏压电力设定为在被处理体的表面上一度形成的金属膜不会被溅射的大小，并形成金属膜的成膜工序；和不产生金属离子，中止金属膜的形成的中止工序。

公开(公告)号：CN101432459A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780014788.X

申请日：2007-04-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐久间隆 ,  横山敦 ,  池田太郎 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3471 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明提供成膜方法、成膜装置和存储介质。将表面形成有凹部的被处理体(例如，半导体晶片(W)等)载置于设置在能够抽真空的处理容器(24)的内部的载置台(34)。之后，在处理容器(24)的内部产生等离子体，在该处理容器(24)的内部，通过上述等离子体使金属靶(70)离子化并生成金属离子。而且，向载置台(34)供给偏置电力，通过该供给的偏置电力将上述金属离子引至载置在上述载置台(34)上的上述被处理体，由此，在包括上述凹部内的表面的上述被处理体的表面上形成薄膜。在本发明中，使偏置电力的大小在上述被处理体的表面实质上不被溅射的范围内变化。

公开(公告)号：CN108573866A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810191647.5

申请日：2018-03-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林岳志 ,  佐久间隆 ,  山崎英亮 ,  清水梨央 ,  津田荣之辅

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供氧化膜去除方法和装置以及接触部形成方法和系统。该氧化膜去除方法在将形成于图案底部的硅部分的含硅氧化膜去除时抑制CD损失。所述氧化膜去除方法用于在具有形成有规定图案的绝缘膜并且具有形成于图案的底部的硅部分的含硅氧化膜的被处理基板中去除含硅氧化膜，所述氧化膜去除方法包括以下工序：通过基于碳系气体的等离子体的离子性的各向异性等离子体蚀刻，来将形成于图案的底部的含硅氧化膜去除；通过化学蚀刻，来去除各向异性等离子体蚀刻后的含硅氧化膜的残余部分；以及去除在化学蚀刻后残留的残渣。

公开(公告)号：CN101421825A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200780012765.5

申请日：2007-02-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐久间隆 ,  池田太郎 ,  横山敦 ,  松田司 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/046 ,  H01J37/321 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883

Abstract: 公开了一种仅通过等离子体溅射在例如半导体晶片W的处理对象的表面中所设置的凹部中嵌入金属的技术。作为典型实例，金属为铜。作为典型实例，凹部具有直径或宽度为100nm或更小的微细孔或沟。使成膜步骤和扩散步骤交替执行多次。成膜步骤在凹部中沉积少量金属膜。扩散步骤使沉积的金属膜朝向凹部的底部移动。在成膜步骤中，将对用于支持晶片W的载置台施加的偏置电能设定到一定的值，以保证在晶片W的表面上，由于金属粒子的吸入而产生的金属沉积速率基本上等于由等离子体进行的溅射蚀刻的速率。在扩散步骤中，将晶片W保持在允许发生沉积在凹部中的金属膜的表面扩散的温度。

公开(公告)号：CN108573866B

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN201810191647.5

申请日：2018-03-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林岳志 ,  佐久间隆 ,  山崎英亮 ,  清水梨央 ,  津田荣之辅

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供氧化膜去除方法和装置以及接触部形成方法和系统。该氧化膜去除方法在将形成于图案底部的硅部分的含硅氧化膜去除时抑制CD损失。所述氧化膜去除方法用于在具有形成有规定图案的绝缘膜并且具有形成于图案的底部的硅部分的含硅氧化膜的被处理基板中去除含硅氧化膜，所述氧化膜去除方法包括以下工序：通过基于碳系气体的等离子体的离子性的各向异性等离子体蚀刻，来将形成于图案的底部的含硅氧化膜去除；通过化学蚀刻，来去除各向异性等离子体蚀刻后的含硅氧化膜的残余部分；以及去除在化学蚀刻后残留的残渣。

公开(公告)号：CN102918633A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180027424.1

申请日：2011-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  佐久间隆 ,  波多野达夫 ,  横山敦 ,  五味淳 ,  安室千晃 ,  福岛利彦 ,  户岛宏至 ,  川又诚也 ,  水泽宁 ,  加藤多佳良

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/14 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/768 ,  C23C14/021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/541 ,  C23C14/542 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在处理容器内利用等离子体从金属靶产生金属离子，然后通过偏压引入，由此在形成有凹部的被处理体上沉积金属的薄膜，该成膜方法包括：基膜形成工序，从靶生成金属离子，通过偏压将该金属离子引入到被处理体，在凹部内形成基膜；蚀刻工序，在不产生金属离子的状态下，通过偏压将稀有气体电离，并且将生成的离子引入到被处理体，对基膜进行蚀刻；和成膜回流工序，对靶进行等离子体溅射从而生成金属离子，通过偏置电力将该金属离子引入到被处理体，沉积由金属膜构成的主膜，使该主膜加热回流。

公开(公告)号：CN101914752A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010244028.1

申请日：2006-06-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  横山敦 ,  佐久间隆

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3471 ,  H01J37/321 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844

Abstract: 本发明提供金属膜的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置。本发明的金属膜的薄膜沉积方法，包括以下步骤：将表面上形成有凹部的被处理的物体放置在处理容器中的载置台上；抽空处理容器以在其中产生真空；借助于从惰性气体生成等离子体而形成的等离子体，在抽空的处理容器中将金属靶离子化，以产生包括金属离子的金属粒子；通过对放置在载置台上的被处理的物体施加偏压电功率，将等离子体和金属粒子吸向被处理的物体，刮削凹部的底部以形成刮削凹部，并在包括凹部内和刮削凹部内的表面在内的被处理的物体的整个表面上沉积金属膜。

公开(公告)号：CN101213642B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200680023575.9

申请日：2006-06-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  横山敦 ,  佐久间隆

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3471 ,  H01J37/321 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844

Abstract: 本发明是金属膜的薄膜沉积方法，包括以下步骤：将表面上形成有凹部的被处理的物体放置在处理容器中的载置台上；抽空处理容器以在其中产生真空；借助于从惰性气体生成等离子体而形成的等离子体，在抽空的处理容器中将金属靶离子化，以产生包括金属离子的金属粒子；通过对放置在载置台上的被处理的物体施加偏压电功率，将等离子体和金属粒子吸向被处理的物体，刮削凹部的底部以形成刮削凹部，并在包括凹部内和刮削凹部内的表面在内的被处理的物体的整个表面上沉积金属膜。