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公开(公告)号：CN101772833B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200980100056.1
申请日：2009-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 津田荣之辅
IPC: H01L21/316 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/409 , C23C16/45508 , C23C16/45531 , C23C16/45559 , C23C16/45563 , C23C16/45582
Abstract: 本发明是一种气体供给装置，其与在处理容器内的载置台上载置的基板对置地配置，供给对上述基板进行处理的处理气体。包括：在与上述载置台上的基板对置的位置，为了构成气体扩散空间而具有形成朝向上述载置台逐渐扩展的形状的凹部的顶板部件；从上述凹部的顶部向该凹部内突出，并具有多个沿着该凹部的周向的气体供给孔的气体供给喷嘴。
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公开(公告)号：CN113451198B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110266661.9
申请日：2021-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , C23C16/54
Abstract: 本发明提供恰当地控制用于载置基板的载置面的温度的基板载置台及基板处理装置。该基板载置台具有：载置台主体，在该载置台主体的内部具有被冷却面；以及供给流路形成构件，该供给流路形成构件由导热性较所述载置台主体低的材料形成，且具有朝向所述被冷却面喷射制冷剂的冷却喷嘴。
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公开(公告)号：CN113921444A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110727345.7
申请日：2021-06-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , C23C16/458 , C23C16/46
Abstract: 本发明提供载置台装置和基片处理装置，能够抑制载置台中的供升降销升降的销孔的周围、升降销成为低温部位，而载置面的温度在面内变得不均匀的情况，其中，载置台具有能够载置基片的载置面。载置台装置包括：载置台，其具有销孔，并且具有能够载置基片的载置面；能够在上述销孔中升降的升降销；和使上述升降销升降的升降机，上述载置台在其内部具有加热上述载置台的第1加热部，上述升降销在其内部或者周围具有加热上述升降销的第2加热部。
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公开(公告)号：CN109148326B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201810613271.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本公开涉及基板处理装置、基板载置机构和基板处理方法。能够在一个处理容器内对被处理基板以高生产率连续地进行温度不同的多个工序。基板处理装置具有：处理容器；处理气体供给机构，其向处理容器内供给处理气体；基板载置台，其载置被处理基板；制冷剂流路，其设置于基板载置台的主体；制冷剂抽取机构，其从制冷剂流路抽取制冷剂；加热器，其被印刷在静电卡盘的背面；温度控制部，其使制冷剂流通于制冷剂流路中，将被处理基板温度调整为第一温度，利用加热器进行加热并且利用制冷剂抽取机构抽取制冷剂流路的制冷剂，将被处理基板温度调整为比第一温度高的第二温度，连续地进行基于第一温度的处理和基于第二温度的处理。
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公开(公告)号：CN113451198A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110266661.9
申请日：2021-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , C23C16/54
Abstract: 本发明提供恰当地控制用于载置基板的载置面的温度的基板载置台及基板处理装置。该基板载置台具有：载置台主体，在该载置台主体的内部具有被冷却面；以及供给流路形成构件，该供给流路形成构件由导热性较所述载置台主体低的材料形成，且具有朝向所述被冷却面喷射制冷剂的冷却喷嘴。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110016654A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811516405.5
申请日：2018-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种能够使多个托盘内的原料的消耗量之差减小的原料容器。一实施方式的原料容器具备壳体、托盘组件以及多个筒状构件。壳体提供载气的导入口、和开口，含有原料的蒸气的气体从该开口输出。托盘组件包括多个托盘。多个托盘叠置于壳体中。多个筒状构件各自具有圆筒形状。多个筒状构件沿着径向排列于托盘组件与壳体之间。多个筒状构件中的最外侧的筒状构件提供狭缝，其他一个以上的筒状构件各自提供多个狭缝。在从导入口到托盘组件与最内侧的筒状构件之间的间隙为止，载气的流路利用多个筒状构件阶段性地向上方和下方分支。
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公开(公告)号：CN102339745A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110276045.8
申请日：2009-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 津田荣之辅
IPC: H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/409 , C23C16/45531 , C23C16/45582 , C23C16/45591 , H01L21/02197 , H01L21/0228 , Y10T137/4673
Abstract: 本发明提供一种气体供给装置(3)，具备：主体部(31)，其具有用于使气体从缩径端(32a)侧向扩径端(32b)侧流通的近似圆锥形的气体流通空间(32)；气体导入口(61a～63a、61b～63b)，其设于气体流通空间(32)的缩径端(32a)侧，用于将气体向气体流通空间(32)导入；多个划分构件(41～46)，其设于气体流通空间(32)内，将气体流通空间(32)以同心圆状划分。一个划分构件(42～46)的逐渐扩展程度大于在径向内侧相邻的划分构件(41～45)的逐渐扩展程度。利用该设置，与以往的气体喷淋头相比可以增大气体供给装置内部的气体流路中的流导，使该气体流路中的气体的置换性提高。
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公开(公告)号：CN101107467A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200680003159.2
申请日：2006-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 津田荣之辅
IPC: F16K11/044 , B01D8/00 , B01J3/00 , B01J3/02 , F16K1/36 , F16K37/00 , F16K49/00 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: F16K49/002 , F16K11/044 , F16K11/207 , F16K51/02 , H01L21/67017 , Y10T137/87917
Abstract: 本发明涉及阀芯、阀、转换阀和收集装置。当使流体在阀芯(1)的第一流路(11a)中流动时，通过将空气从空气导入路(35a)导入气缸(3a)中，使动作板(5a)滑动，驱动轴(4a)，使密封板(6a)的第二密封面(8a)后退至与壁(13a)抵接的位置。气缸(3b)进入至密封板(6b)的第一密封面(7b)与壁(12b)抵接的位置，密封开口(14b)。
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公开(公告)号：CN109148326A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810613271.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
CPC classification number: H01J37/32522 , H01J37/20 , H01J2237/334 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/31116 , H01L21/67109 , H01L21/67069 , H01L21/67248
Abstract: 本公开涉及基板处理装置、基板载置机构和基板处理方法。能够在一个处理容器内对被处理基板以高生产率连续地进行温度不同的多个工序。基板处理装置具有：处理容器；处理气体供给机构，其向处理容器内供给处理气体；基板载置台，其载置被处理基板；制冷剂流路，其设置于基板载置台的主体；制冷剂抽取机构，其从制冷剂流路抽取制冷剂；加热器，其被印刷在静电卡盘的背面；温度控制部，其使制冷剂流通于制冷剂流路中，将被处理基板温度调整为第一温度，利用加热器进行加热并且利用制冷剂抽取机构抽取制冷剂流路的制冷剂，将被处理基板温度调整为比第一温度高的第二温度，连续地进行基于第一温度的处理和基于第二温度的处理。
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公开(公告)号：CN108573866A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810191647.5
申请日：2018-03-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供氧化膜去除方法和装置以及接触部形成方法和系统。该氧化膜去除方法在将形成于图案底部的硅部分的含硅氧化膜去除时抑制CD损失。所述氧化膜去除方法用于在具有形成有规定图案的绝缘膜并且具有形成于图案的底部的硅部分的含硅氧化膜的被处理基板中去除含硅氧化膜，所述氧化膜去除方法包括以下工序：通过基于碳系气体的等离子体的离子性的各向异性等离子体蚀刻，来将形成于图案的底部的含硅氧化膜去除；通过化学蚀刻，来去除各向异性等离子体蚀刻后的含硅氧化膜的残余部分；以及去除在化学蚀刻后残留的残渣。
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