公开(公告)号：CN108573866A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810191647.5

申请日：2018-03-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林岳志 ,  佐久间隆 ,  山崎英亮 ,  清水梨央 ,  津田荣之辅

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供氧化膜去除方法和装置以及接触部形成方法和系统。该氧化膜去除方法在将形成于图案底部的硅部分的含硅氧化膜去除时抑制CD损失。所述氧化膜去除方法用于在具有形成有规定图案的绝缘膜并且具有形成于图案的底部的硅部分的含硅氧化膜的被处理基板中去除含硅氧化膜，所述氧化膜去除方法包括以下工序：通过基于碳系气体的等离子体的离子性的各向异性等离子体蚀刻，来将形成于图案的底部的含硅氧化膜去除；通过化学蚀刻，来去除各向异性等离子体蚀刻后的含硅氧化膜的残余部分；以及去除在化学蚀刻后残留的残渣。

公开(公告)号：CN101523576B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200780036402.5

申请日：2007-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盐泽俊彦 ,  壁义郎 ,  小林岳志 ,  北川淳一 ,  伊佐和裕

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7621

Abstract: 本发明提供的硅氧化膜的形成方法包括：在等离子体处理装置的处理容器内，配置表面由硅构成且在表面具有凹凸形状的图案的被处理体；在所述处理容器内，按照处理气体中的氧的比例在5～20％范围，并且处理压力在267Pa以上400Pa以下的范围的条件形成等离子体；并且，通过所述等离子体，氧化所述被处理体的表面的硅形成硅氧化膜。

公开(公告)号：CN101834133B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201010163894.8

申请日：2005-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盐泽俊彦 ,  古井真悟 ,  小林岳志 ,  北川淳一

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/00 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3143 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。

公开(公告)号：CN101010787A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200580029122.2

申请日：2005-08-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林岳志 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31612 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/32105

Abstract: 在由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理室内而产生等离子体的RLSA方式的等离子体处理装置(100)中，使得腔室内压力为67～667Pa、温度为300～600℃以下、微波功率为1000～3500W、作为处理气体而使用100～2000mL/min的Ar气体、1～500mL/min的O2气体、并且将处理气体中的O2气体相对Ar气体的比例控制为0.5～5％，同时进行多晶硅的氧化。

公开(公告)号：CN102737946A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210093444.5

申请日：2012-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 壁义郎 ,  小林岳志 ,  米泽亮太

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明旨在提供一种将形成在基板上的沟槽侧面的氧化膜薄膜化且抑制沟槽上的图案上部的边角被侵蚀的等离子体处理方法。它是一种在热氧化膜60形成后用等离子体对形成有沟槽61的晶圆W进行氧化处理的等离子处理方法，在该方法中，晶圆W被放置在施加有离子引入用高频电压的基座上，用等离子体进行的氧化处理是边将离子引入用高频电压施加到基板上边进行的。等离子体氧化处理中的处理气体为含氦与氧的混合气体，等离子体处理在减压容器内于6.7～133Pa的压力下进行。

公开(公告)号：CN101523574B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200780036177.5

申请日：2007-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林岳志 ,  北川淳一 ,  壁义郎 ,  盐泽俊彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252

Abstract: 本发明提供等离子体氧化处理方法和等离子体处理装置。该等离子体氧化处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，在处理气体中的氧的比例在20％以上、且处理压力在400Pa以上1333Pa以下的条件下形成等离子体，利用上述等离子体，对露出在被处理体的表面的硅进行氧化而形成硅氧化膜。

公开(公告)号：CN101681833A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880020112.6

申请日：2008-06-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  小林岳志 ,  盐泽俊彦 ,  田村大辅

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供微波等离子体处理装置和微波等离子体处理方法以及微波透过板。微波等离子体处理装置(100)，其利用从平面天线(31)的微波放射孔(32)放射的、透过微波透过板(28)的微波在腔室(1)内形成处理气体的等离子体，利用该等离子体对载置于载置台(2)的被处理体(W)实施等离子体处理，其中，微波透过板(28)在其微波透过面的与被处理体的周缘部对应的部分具有凹凸状部(42)，与被处理体(W)的中央部对应的部分形成为平坦部(43)。

公开(公告)号：CN100561685C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200680001118.X

申请日：2006-01-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林岳志 ,  古井真悟 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H05H1/46 ,  H01L27/14

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662

Abstract: 从微波发生装置(39)经由匹配电路(38)将脉冲状的微波导入波导管(37)，经由内导体(41)供给到平面天线部件(31)，从平面天线部件(31)经由微波透过板(28)放射到腔室(1)中的晶片(W)的上方空间。利用从平面天线部件(31)经由微波透过板(28)放射到腔室(1)的脉冲状的微波在腔室(1)内形成电磁场，使Ar气体、H2气体、O2气体等离子体化而对晶片(W)进行氧化膜的形成。

公开(公告)号：CN101523577A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036502.8

申请日：2007-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林岳志 ,  盐泽俊彦 ,  壁义郎 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66795

Abstract: 一种等离子体氧化处理方法，维持在低压力、低氧浓度条件下的等离子体氧化处理的优点，并且使膜厚不依赖于图案疏密，而以均匀的膜厚形成硅氧化膜。在等离子体处理装置的处理室内，对具有凸凹图案的被处理体表面的硅作用处理气体的等离子体而进行氧化，形成硅氧化膜。以上述处理气体中的氧的比例为0.1％以上10％以下并且压力为0.133Pa以上133.3Pa以下的条件形成上述等离子体。在上述处理室内的等离子体产生区域和被处理体之间设置具有多个贯通开口的板而进行处理。

公开(公告)号：CN118773582A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410394106.8

申请日：2024-04-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成岛健索 ,  小林岳志 ,  冈部真也 ,  佐久间隆 ,  多田国弘 ,  吉田理志

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/14 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  C23C16/44

Abstract: 本公开涉及一种成膜装置和成膜方法，稳定地形成锆膜。成膜装置具备：处理容器，其内部被减压；电极，其用于使该处理容器的内部的处理空间产生电场；高频电源，其向该电极供给高频电力；载置台，其配置于处理容器的内部，用于载置基板；以及成膜气体导入部，其向处理空间导入气化后的氯化锆，其中，成膜气体导入部由金属构成，成膜气体导入部接地。