公开(公告)号：CN101517716B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200780035987.9

申请日：2007-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 壁义郎 ,  小林岳志 ,  盐泽俊彦 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H01L27/04 ,  H01L21/76 ,  H01L29/78 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供硅氧化膜的形成方法、等离子体处理装置和存储介质，能够不损失等离子体氧化处理的优点地形成绝缘耐性优异、能够提高半导体装置的成品率的膜质优异的硅氧化膜。该硅氧化膜的形成方法包括：第一氧化处理工序，其以处理气体中的氧的比例为1％以下、且压力为133Pa以下的第一处理条件形成等离子体，利用该等离子体，氧化被处理体表面的硅，形成硅氧化膜；和第二氧化处理工序，其接着上述第一氧化处理工序，以处理气体中的氧的比例为20％以上、且压力为400～1333Pa的第二处理条件形成等离子体，利用该等离子体，氧化上述被处理体表面，进一步形成硅氧化膜。

公开(公告)号：CN101517716A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780035987.9

申请日：2007-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 壁义郎 ,  小林岳志 ,  盐泽俊彦 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H01L27/04 ,  H01L21/76 ,  H01L29/78 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供硅氧化膜的形成方法、等离子体处理装置和存储介质，能够不损失等离子体氧化处理的优点地形成绝缘耐性优异、能够提高半导体装置的成品率的膜质优异的硅氧化膜。该硅氧化膜的形成方法包括：第一氧化处理工序，其以处理气体中的氧的比例为1％以下、且压力为133Pa以下的第一处理条件形成等离子体，利用该等离子体，氧化被处理体表面的硅，形成硅氧化膜；和第二氧化处理工序，其接着上述第一氧化处理工序，以处理气体中的氧的比例为20％以上、且压力为400～1333Pa的第二处理条件形成等离子体，利用该等离子体，氧化上述被处理体表面，进一步形成硅氧化膜。

公开(公告)号：CN101095224A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200580045366.X

申请日：2005-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盐泽俊彦 ,  古井真悟 ,  小林岳志 ,  北川淳一

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/318 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3143 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。

公开(公告)号：CN102753727A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180006900.1

申请日：2011-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 米泽亮太 ,  高桥哲朗 ,  大崎良规 ,  铃木公贵 ,  齐藤智博 ,  山下润 ,  佐藤吉宏 ,  盐泽俊彦 ,  山崎幸一 ,  古木和弘

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/166

Abstract: 在电介质板（28）和盖部件（13）的支撑部（13a）之间具有环状的O型环（29a），并且在该O型环（29a）的外周侧设置有用于在处理容器（1）的上部配置的盖部件（13）的支撑部（13a）和电介质板（28）之间形成缝隙（d）的垫片（60）。即使处理容器（1）内的等离子体的热导致盖部件（13）和电介质板（28）热膨胀，通过缝隙（d），盖部件（13）和电介质板（28）也不会接触、摩擦，能够防止电介质板（28）的破损和颗粒的产生。

公开(公告)号：CN101523576B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200780036402.5

申请日：2007-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盐泽俊彦 ,  壁义郎 ,  小林岳志 ,  北川淳一 ,  伊佐和裕

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7621

Abstract: 本发明提供的硅氧化膜的形成方法包括：在等离子体处理装置的处理容器内，配置表面由硅构成且在表面具有凹凸形状的图案的被处理体；在所述处理容器内，按照处理气体中的氧的比例在5～20％范围，并且处理压力在267Pa以上400Pa以下的范围的条件形成等离子体；并且，通过所述等离子体，氧化所述被处理体的表面的硅形成硅氧化膜。

公开(公告)号：CN101834133B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201010163894.8

申请日：2005-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盐泽俊彦 ,  古井真悟 ,  小林岳志 ,  北川淳一

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/00 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3143 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。

公开(公告)号：CN102090153A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980103949.1

申请日：2009-01-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 太田欣也 ,  田才忠 ,  小林浩 ,  佐藤吉宏 ,  盐泽俊彦 ,  前川浩治

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置，其中，对用于形成等离子体的微波进行放射的平面天线(31)，在其表面以同心状被分为中央区域(31a)、外周区域(31c)、中央区域和外周区域的中间区域(31b)的情况下，朝向各异的微波放射孔(32)的对以同心圆状在中央区域(31a)以及所述外周区域(31c)配列多个，在中间区域(31b)上不形成微波放射孔，微波透过板(28)在其微波放射面上形成有凹部(28a)。

公开(公告)号：CN101652842B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200880011183.X

申请日：2008-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 壁义郎 ,  小林岳志 ,  盐泽俊彦 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/76232

Abstract: 本发明提供等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置、以及存储介质，在等离子体处理装置的处理室内，在对具有凹凸图案的被处理体实施基于等离子体的氧化处理从而形成氧化硅膜时，在处理气体中的氧的比率是0.5％以上不足10％并且处理压力为1.3～665Pa的条件下，在向载置被处理体的载置台施加高频电力的同时形成等离子体。

公开(公告)号：CN101523575B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200780036197.2

申请日：2007-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盐泽俊彦 ,  壁义郎 ,  小林岳志 ,  足立光 ,  北川淳一 ,  山本伸彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7621

Abstract: 本发明提供等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置和存储介质。该等离子体氧化处理方法包括：在配置在等离子体处理装置的处理容器内的载置台上载置表面具有硅的被处理体的工序；在处理容器内形成含氧的处理气体的等离子体的工序；在形成等离子体时，向载置台供给高频电力，向被处理体施加高频偏压的工序；和利用等离子体，氧化被处理体表面的硅，形成硅氧化膜的工序。

公开(公告)号：CN101523576A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036402.5

申请日：2007-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盐泽俊彦 ,  壁义郎 ,  小林岳志 ,  北川淳一 ,  伊佐和裕

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7621

Abstract: 本发明提供的硅氧化膜的形成方法包括：在等离子体处理装置的处理容器内，配置表面由硅构成且在表面具有凹凸形状的图案的被处理体；在所述处理容器内，按照处理气体中的氧的比例在5～20％范围，并且处理压力在267Pa以上400Pa以下的范围的条件形成等离子体；并且，通过所述等离子体，氧化所述被处理体的表面的硅形成硅氧化膜。