公开(公告)号：CN106972281A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201610986559.5

申请日：2016-11-09

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 伊凡·L·贝瑞

IPC分类号： H01Q21/00 ,  H01Q21/06 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01J37/3222 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/32926 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67069 ,  H01Q21/00 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3211 ,  H01Q21/061

摘要： 本发明涉及用于蚀刻和沉积工艺的计算机可寻址等离子体密度修改。本发明公开了使用微波天线的相控阵改变处理室内的半导体衬底上的反应速率的方法。所述方法可以包括：激励在处理室中的等离子体；从微波天线的相控阵发射微波辐射束；以及将所述束引导到所述等离子体中，以导致所述处理室内的半导体衬底的表面上的反应速率的变化。本发明还公开了微波天线的相控阵的特定实施方式以及包括被配置成发射微波辐射束到处理室内的微波天线的相控阵的半导体处理装置。

公开(公告)号：CN102737947B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201210093675.6

申请日：2012-03-31

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 藤野丰 ,  植田笃 ,  尾崎成则 ,  北川淳一

IPC分类号： H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32201 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32431 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

摘要： 本发明的目的在于提供等离子处理装置以及微波导入装置，用简单的构成使等离子的分布均匀化。等离子处理装置(1)具备向处理容器(2)内导入微波的微波导入装置(5)。微波导入装置(5)包括嵌合于顶部(11)的多个开口部的多个微波透过板(73)。多个微波透过板(73)在嵌合于顶部(11)的多个开口部的状态下，配置于与载置台(21)的载置面(21a)平行的一个假想的平面上。多个微波透过板(73)包括微波透过板(73A～73G)。设定为微波透过板(73G、73A)的中心点(PG，PA)间距离与微波透过板(73G、73B)的中心点(PG、PB)间距离相互相等或者几乎相等。

公开(公告)号：CN102084469B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200980125715.7

申请日：2009-06-16

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 松本直树 ,  加藤和行 ,  四方政史 ,  高井和人

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01L21/6719 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/68785

摘要： 等离子体处理装置(11)具备：在其内部对被处理基板W进行等离子体处理的处理容器(12)；配置在处理容器(12)内且将被处理基板(W)保持在其上面的保持台(14)；被设置在与保持台(14)对置的位置，并且将微波向处理容器(12)内导入的电介质板(16)；向被保持在保持台(14)上的被处理基板(W)的中央区域供应等离子体处理用的反应气体的反应气体供应部(13)。这里，反应气体供应部(13)包含喷射器基座(61)，该喷射器基座(61)被配置在比与保持台(14)对置的呈相对面的电介质板(16)的下表面63向电介质板(16)的内侧后缩的位置。在喷射器基座(61)中设置有将等离子体处理用的反应气体向处理容器(12)内供应的供应孔(66)。

公开(公告)号：CN102792427A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180013454.7

申请日：2011-03-24

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 吉川弥 ,  松本直树 ,  吉川润

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J23/36 ,  H01J9/44 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

摘要： 在等离子体处理装置用电介质窗（41）中，在生成等离子体的一侧的面的径向外侧区域，设置有排列成环状、向电介质窗（41）的板厚方向内侧凹入成锥形状的第一电介质窗凹部（47）。在第一电介质窗凹部（47）的径向内侧区域，设置有从生成等离子体的一侧的面朝向电介质窗（41）的板厚方向内侧凹入的多个第二电介质窗凹部（53a～53g）。多个第二电介质窗凹部（53a～53g），以电介质窗（41）的径向的中心（56）为中心具有旋转对称性地分别在周向上隔开间隔地配置。

公开(公告)号：CN101681833B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200880020112.6

申请日：2008-06-10

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 佐藤吉宏 ,  小林岳志 ,  盐泽俊彦 ,  田村大辅

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144 ,  H05H1/46

摘要： 本发明提供微波等离子体处理装置和微波等离子体处理方法以及微波透过板。微波等离子体处理装置(100)，其利用从平面天线(31)的微波放射孔(32)放射的、透过微波透过板(28)的微波在腔室(1)内形成处理气体的等离子体，利用该等离子体对载置于载置台(2)的被处理体(W)实施等离子体处理，其中，微波透过板(28)在其微波透过面的与被处理体的周缘部对应的部分具有凹凸状部(42)，与被处理体(W)的中央部对应的部分形成为平坦部(43)。

公开(公告)号：CN101519774B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200910005391.5

申请日：2009-02-24

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

发明人： 本乡俊明 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC分类号： C23C16/511 ,  H01L21/00 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32238 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222

摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置，可以排除由安装状况或尺寸误差造成的缝隙天线中的电流流动的不均匀性，生成均匀的等离子体。将电介质板(4)配置为使构成处理容器的一部分的平板外罩(14)的上部开口封闭，在电介质板(4)的上部配置产生等离子体的缝隙天线(5)，将缝隙天线(5)的外缘与平板外罩(14)的内壁部在整体四周用具有弹性的导电性构件(20或25)直接接触，由于在向缝隙天线(5)供给微波时，可以确保平板外罩(14)与缝隙天线(5)的平板外罩(14)的内壁部与缝隙天线(5)的外缘的电连接，因此可以使平板外罩(14)的内壁部与缝隙天线(5)的外缘之间的电阻的大小大致相等。

公开(公告)号：CN100405557C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN03800685.5

申请日：2003-07-03

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  后藤哲也

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC分类号： C23C16/45568 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244

摘要： 一种等离子体处理装置，其具有：处理容器，由外壁围成，具有支承被处理衬底的支承台；排气系统，与所述处理容器相结合；微波透过窗，作为所述外壁的一部分设置在所述处理容器上面，并与所述支承台上的被处理衬底相对；等离子体气体供给部分，向所述处理容器中供给等离子体气体；以及微波天线，对应于所述微波设置在所述处理容器上面；其中，所述等离子体气体供给部分包括多孔介质，并通过所述多孔介质向所述处理容器供给所述等离子体气体。

公开(公告)号：CN101047118A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710093621.9

申请日：2007-03-30

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

发明人： 冈信介 ,  堀口贵弘 ,  西村和晃 ,  北村昌幸 ,  大见忠弘 ,  平山昌树

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  C23C16/511 ,  C23F4/00 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01J37/00

CPC分类号： H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

摘要： 本发明提供一种微波等离子体处理装置(100)，使通过多个缝隙(37)的微波透过由梁(26)所支撑的多枚电介质零件(31)，利用透过的微波使气体等离子体化，对基板G进行等离子体处理。支撑电介质零件(31)的梁(26)向着基板侧突出设置并使其端部周围的等离子体电子密度Ne在临界等离子体电子密度Nc以上。通过该梁(26)的突出，能够抑制因透过相邻电介质零件(31)的微波电场能所生成的表面波所引起的干涉和当相邻电介质零件(31)下方的等离子体干涉扩散时在等离子体中传播并到达相邻等离子体的电子和离子的干涉。

公开(公告)号：CN101017769A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710006580.5

申请日：2007-02-06

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

发明人： 堀口贵弘 ,  大见忠弘 ,  平山昌树

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  C23F4/00 ,  H05H1/00 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244

摘要： 微波等离子体处理装置(100)包括：使通过槽的微波透过的多个介电体元件(31)；和位于各介电体元件(31)下方的气体喷嘴(27)。介电体元件(31)和气体喷嘴(27)由多孔体(多孔质体)和主体(致密质体)形成。第一气体供给部，将氩气从各介电体元件(31)的多孔体(31P)供给至处理室内。第二气体供给部，将硅烷气体和氢气从气体喷嘴(27)的多孔体(27P)供给至处理室内。气体通过各多孔体时减速，由此，能够抑止气体的过度搅拌。结果，能够生成均匀的等离子体，这样能够形成优质的非晶硅膜。

公开(公告)号：CN1751384A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200480004782.0

申请日：2004-02-20

申请人： 夏普株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 山本直子 ,  山本达志 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

摘要： 一种等离子加工装置包括：处理室；具有靠谐振形成微波的第1驻波的内部空间(20)的引入波导管(4)；在内部靠谐振形成微波的第2驻波的介质(5p、5q)；以及具有使微波从内部空间(20)通向介质(5p、5q)用的缝隙(6a)的缝隙天线(6)。缝隙(6a)设置成近似位于将形成第1驻波波腹的位置对于缝隙天线(6)垂直地投影的地点和将形成第2驻波波腹的位置对于缝隙天线(6)垂直地投影的地点一致的地点。根据本发明，能提供一种通过提高穿过缝隙天线开口部的微波的传播效率、从而将微波的能量高效地引入处理室的等离子加工装置。