发明授权
- 专利标题： 等离子处理装置以及微波导入装置
- 专利标题（英）： Plasma processing apparatus and microwave introduction device
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申请号： CN201210093675.6申请日： 2012-03-31
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公开(公告)号： CN102737947B公开(公告)日： 2015-07-08
- 发明人: 藤野丰 , 植田笃 , 尾崎成则 , 北川淳一
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 李伟; 舒艳君
- 优先权： 2011-080078 2011.03.31 JP; 2011-172458 2011.08.06 JP
- 主分类号： H01J37/32
- IPC分类号： H01J37/32 ; H05H1/46
摘要：
本发明的目的在于提供等离子处理装置以及微波导入装置，用简单的构成使等离子的分布均匀化。等离子处理装置(1)具备向处理容器(2)内导入微波的微波导入装置(5)。微波导入装置(5)包括嵌合于顶部(11)的多个开口部的多个微波透过板(73)。多个微波透过板(73)在嵌合于顶部(11)的多个开口部的状态下，配置于与载置台(21)的载置面(21a)平行的一个假想的平面上。多个微波透过板(73)包括微波透过板(73A～73G)。设定为微波透过板(73G、73A)的中心点(PG，PA)间距离与微波透过板(73G、73B)的中心点(PG、PB)间距离相互相等或者几乎相等。
公开/授权文献
- CN102737947A 等离子处理装置以及微波导入装置 公开/授权日：2012-10-17
